一种滤波装置、一种射频前端装置及一种无线通信装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种滤波装置、一种射频前端装置及一种无线通信装置。其中，滤波装置包括：基底、至少一个谐振装置、无源装置及连接件；其中，至少一个谐振装置包括第一侧及第一侧相对的第二侧，基底位于第一侧，无源装置位于第二侧；其中，至少一个谐振装置与无源装置通过连接件连接。将谐振装置(例如，SAW谐振装置或BAW谐振装置)及无源装置(例如，IPD)集成到一个晶片中形成射频滤波装置，可以拓宽通带带宽，具有高带外抑制，且减少占用射频前端芯片中的空间。片中的空间。片中的空间。

【技术实现步骤摘要】
一种滤波装置、一种射频前端装置及一种无线通信装置


[0001]本技术涉及半导体
，具体而言，本技术涉及一种滤波装置、一种射频前端装置及一种无线通信装置。

技术介绍

[0002]无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括：压电声表面波(Surface Acoustic Wave，SAW)滤波器、压电体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)滤波器、微机电系统(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System，MEMS)滤波器、集成无源装置(Integrated Passive Devices，IPD)滤波器等。
[0003]SAW谐振器和BAW谐振器的品质因数值(Q值)较高，由SAW谐振器和BAW谐振器制作成低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器。其中，Q值是谐振器的品质因数值，定义为中心频率除以谐振器3dB带宽。由SAW谐振器和BAW谐振器制作的滤波器受制于压电材料的机电耦合系数(electro
‑
mechanical coupling factor)，通带(passband)带宽有限，而IPD具有较SAW滤波器和BAW滤波器更宽的通带。
[0004]结合谐振器(例如，SAW谐振器或BAW谐振器)和IPD形成的滤波器可以拓宽通带带宽并同时具有高带外抑制。然而，电连接单片谐振器和单片IPD(例如，SAW谐振器或BAW谐振器位于一个晶片中，IPD位于另一个晶片中)会占用更多RF前端芯片中的空间，及引入更高的制作成本。随着5G时代的到来，RF前端芯片会包括比4G时代更多的RF前端模组，每个模组包括多个RF滤波器，芯片的尺寸却需要进一步缩小，因此空间优化会是RF滤波器设计中的一个重要考虑因素。

技术实现思路

[0005]本技术解决的问题是提供一种滤波装置，可以拓宽通带带宽，具有高带外抑制，且减少占用RF前端芯片中的空间。
[0006]为解决上述问题，本技术实施例提供一种滤波装置，包括：基底、至少一个谐振装置、无源装置及连接件；其中，所述至少一个谐振装置包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧，所述基底位于所述第一侧，所述无源装置位于所述第二侧；其中，所述至少一个谐振装置与所述无源装置通过所述连接件连接。其中，所述基底、所述至少一个谐振装置及所述无源装置位于一个晶片中。
[0007]在一些实施例中，所述至少一个谐振装置包括但不限于以下至少之一：声表面波(SAW)谐振装置、体声波(BAW)谐振装置。
[0008]在一些实施例中，所述无源装置包括但不限于以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。在一些实施例中，所述无源装置包括但不限于集成无源装置(IPD)，其中，所述集成无源装置通过半导体工艺形成。
[0009]在一些实施例中，所述连接件包括但不限于以下至少之一：凸块、连接盘、电导线、
通孔。
[0010]在一些实施例中，所述至少一个谐振装置包括第一谐振装置，所述第一谐振装置包括：第一空腔；第一电极层，所述第一电极层的至少一部分位于所述第一空腔内或所述第一空腔上；第一压电层，覆盖所述第一空腔，所述第一空腔和所述第一压电层位于所述第一电极层的至少一部分的两侧；第二电极层，位于所述第一压电层上，所述第一电极层和所述第二电极层位于所述第一压电层两侧。
[0011]在一些实施例中，所述基底包括所述第一空腔及第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一空腔水平方向上的一侧并与所述第一空腔相通；所述第一电极层的第一端位于所述第一空腔内，所述第一电极层的第二端位于所述第一凹槽内，所述第一凹槽的深度等于所述第一电极层的厚度；所述第一压电层位于所述第一电极层上，所述第一压电层为平层，还覆盖所述基底。
[0012]在一些实施例中，所述基底包括所述第一空腔；所述第一电极层位于所述第一空腔上，覆盖所述第一空腔；所述第一压电层位于所述基底上方，覆盖所述第一电极层。在一些实施例中，所述第一压电层包括第一突起部，所述第一突起部位于所述第一电极层上方；所述第二电极层包括第二突起部，所述第二突起部位于所述第一突起部上。在一些实施例中，所述第一突起部的形状包括：梯形、矩形；所述第二突起部的形状包括：梯形、矩形。
[0013]在一些实施例中，所述第一空腔位于所述基底上；所述第一电极层位于所述基底上，所述第一电极层包括第三突起部，所述第三突起部位于所述第一空腔上，所述第一空腔与所述第一压电层位于所述第三突起部两侧；所述第一压电层位于所述基底上，所述第一压电层包括第四突起部，所述第四突起部位于所述第三突起部上方；所述的第二电极层包括第五突起部，所述第五突起部位于所述第四突起部上。在一些实施例中，所述第三突起部的形状包括：梯形、拱形、矩形；所述第四突起部的形状包括：梯形、拱形、矩形；所述第五突起部的形状包括：梯形、拱形、矩形。
[0014]在一些实施例中，所述第一谐振装置还包括：第一中间层，所述基底和所述第一压电层位于所述第一中间层两侧，所述第一中间层用于阻隔漏波，所述第一中间层包括所述第一空腔，所述第一中间层的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。在一些实施例中，所述第一中间层还包括第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第一空腔水平方向上的一侧并与所述第一空腔相通；所述第一电极层的第一端位于所述第一空腔内，所述第一电极层的第二端位于所述第二凹槽内，所述第二凹槽的深度等于所述第一电极层的厚度；所述第一压电层位于所述第一电极层上，所述第一压电层为平层，还覆盖所述第一中间层。在一些实施例中，所述第一电极层位于所述第一空腔上，覆盖所述第一空腔；所述第一压电层位于所述第一中间层上方，覆盖所述第一电极层。
[0015]在一些实施例中，所述第一谐振装置还包括：第二中间层，所述基底和所述第一压电层位于所述第二中间层两侧，所述第二中间层用于阻隔漏波，所述第一空腔位于所述第二中间层上，所述第二中间层的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。在一些实施例中，所述第一电极层位于所述第二中间层上，所述第一电极层包括第六突起部，所述第六突起部位于所述第一空腔上，所述第一空腔与所述第一压电层位于所述第六突起部两侧；所述第一压电层位于所述第二中间层上，所述第一压电层包括第七突起部，所述第七突起部位于所述第六突起部上方；所述的第二电极层包括第八突起部，所述第
八突起部位于所述第七突起部上。在一些实施例中，所述第六突起部的形状包括：梯形、拱形、矩形；所述第七突起部的形状包括：梯形、拱形、矩形；所述第八突起部的形状包括：梯形、拱形、矩形。
[0016]在一些实施例中，所述至少一个谐振装置包括第二谐振装置，所述第二谐振装置包括：第一反射层；第三电极层，位于所述第一反射层上；第二压电层，位于所述第一反射层上方，覆盖所述第三电极层；第四电极层，位于所述第二压电层上，所述第三电极层和所述第四电极层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波装置，其特征在于，包括：基底、至少一个谐振装置、无源装置及连接件；其中，所述至少一个谐振装置包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧，所述基底位于所述第一侧，所述无源装置位于所述第二侧；其中，所述至少一个谐振装置与所述无源装置通过所述连接件连接；所述基底、所述至少一个谐振装置及所述无源装置位于一个晶片中。2.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述至少一个谐振装置包括以下至少之一：声表面波谐振装置、体声波谐振装置。3.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述无源装置包括以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。4.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述无源装置包括集成无源装置，其中，所述集成无源装置通过半导体工艺形成。5.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述连接件包括以下至少之一：凸块、连接盘、电导线、通孔。6.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述至少一个谐振装置包括第一谐振装置，所述第一谐振装置包括：第一空腔；第一电极层，所述第一电极层的至少一部分位于所述第一空腔内或所述第一空腔上；第一压电层，覆盖所述第一空腔，所述第一空腔和所述第一压电层位于所述第一电极层的至少一部分的两侧；第二电极层，位于所述第一压电层上，所述第一电极层和所述第二电极层位于所述第一压电层两侧。7.如权利要求6所述的滤波装置，其特征在于，所述基底包括所述第一空腔及第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一空腔水平方向上的一侧并与所述第一空腔相通；所述第一电极层的第一端位于所述第一空腔内，所述第一电极层的第二端位于所述第一凹槽内，所述第一凹槽的深度等于所述第一电极层的厚度；所述第一压电层位于所述第一电极层上，所述第一压电层为平层，还覆盖所述基底。8.如权利要求6所述的滤波装置，其特征在于，所述基底包括所述第一空腔；所述第一电极层位于所述第一空腔上，覆盖所述第一空腔；所述第一压电层位于所述基底上方，覆盖所述第一电极层。9.如权利要求8所述的滤波装置，其特征在于，所述第一压电层包括第一突起部，所述第一突起部位于所述第一电极层上方；所述第二电极层包括第二突起部，所述第二突起部位于所述第一突起部上。10.如权利要求9所述的滤波装置，其特征在于，所述第一突起部的形状包括：梯形、矩形；所述第二突起部的形状包括：梯形、矩形。11.如权利要求6所述的滤波装置，其特征在于，所述第一空腔位于所述基底上；所述第一电极层位于所述基底上，所述第一电极层包括第三突起部，所述第三突起部位于所述第一空腔上，所述第一空腔与所述第一压电层位于所述第三突起部两侧；所述第一压电层位于所述基底上，所述第一压电层包括第四突起部，所述第四突起部位于所述第三突起部上方；所述的第二电极层包括第五突起部，所述第五突起部位于所述第四突起部上。12.如权利要求11所述的滤波装置，其特征在于，所述第三突起部的形状包括：梯形、拱形、矩形；所述第四突起部的形状包括：梯形、拱形、矩形；所述第五突起部的形状包括：梯形、拱形、矩形。13.如权利要求6所述的滤波装置，其特征在于，所述第一谐振装置还包括：第一中间
层，所述基底和所述第一压电层位于所述第一中间层两侧，所述第一中间层用于阻隔漏波，所述第一中间层包括所述第一空腔，所述第一中间层的材料包括聚合物、绝缘电介质或多晶硅。14.如权利要求13所述的滤波装置，其特征在于，所述第一中间层还包括第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第一空腔水平方向上的一侧并与所述第一空腔相通；所述第一电极层的第一端位于所述第一空腔内，所述第一电极层的第二端位于所述第二凹槽内，所述第二凹槽的深度等于所述第一电极层的厚度；所述第一压电层位于所述第一电极层上，所述第一压电层为平层，还覆盖所述第一中间层。15.如权利要求13所述的滤波装置，其特征在于，所述第一电极层位于所述第一空腔上，覆盖所述第一空腔；所述第一压电层位于所述第一中间层上方，覆盖所述第一电极层。16.如权利要求6所述的滤波装置，其特征在于，所述第一谐振装置还包括：第二中间层，所述基底和所述第一压电层位于所述第二中间层两侧，所述第二中间层用于阻隔漏波，所述第一空腔位于所述第二中间层上，所述第二中间层的材料包括聚合物、绝缘电介质或多晶硅。17.如权利要求16所述的滤波装置，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：虞成城，曹艳杰，王伟，
申请(专利权)人：深圳市信维通信股份有限公司，
类型：新型
国别省市：