本实用新型专利技术公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，该阵列基板包括：自下而上依次排布的转接层、源极层和公共电极层，源极层与转接层之间通过过孔连接，且源极层的上表面与公共电极层的下表面之间具有第一距离；转接层的上表面与公共电极层的下表面之间具有第二距离；其中，第一距离小于第二距离。本实用新型专利技术公开的阵列基板、显示面板和显示装置可以有效的增大源极层与公共电极层之间的距离，降低源极层与公共电极层之间的寄生电容，进而能够降低驱动像素所需的动态功耗。驱动像素所需的动态功耗。驱动像素所需的动态功耗。
【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板和显示装置
[0001]本技术涉及显示
，具体涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
技术介绍
[0002]随着科学技术的不断进步，各种手持式终端设备的功能越来越强大，能量消耗也越来越大，由于现有技术无法在电池容量上取得更大的突破，因而受到功耗的制约各种新技术始终不能在终端设备上得到很好的发展。设备的整体功耗是衡量设备性能的重要要素，各大终端设备厂商都竭尽全力降低设备的功耗。如在显示驱动领域，实现低功耗的液晶显示设计成为一个重要的研究方向。
[0003]已知地，电路的动态功耗的计算公式为：P＝0.5fCV2。其中，P为功耗，f为频率，C为电容，V为驱动电压。基于此公式，现有的实现低功耗的液晶显示设计主要为降低驱动频率，例如将频率从60Hz降低为15Hz、1Hz等，进而达到降低功耗的目的。但是，频率的降低需要TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)器件特性的支持，如较低的漏电流要求等，容易出现闪烁、灰阶偏离等画质问题。因此，有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。
技术实现思路
[0004]为了解决上述技术问题，本技术提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，可以有效的增大源极层与公共电极层之间的距离，降低源极层与公共电极层之间的寄生电容，进而能够降低了驱动像素所需的动态功耗。
[0005]根据本公开第一方面，提供了一种阵列基板，包括：自下而上依次排布的转接层、源极层和公共电极层，
[0006]所述源极层的上表面与所述公共电极层的下表面之间具有第一距离；
[0007]所述转接层的上表面与所述公共电极层的下表面之间具有第二距离；
[0008]所述源极层与所述转接层之间通过过孔连接，
[0009]其中，所述第一距离小于所述第二距离。
[0010]可选地，所述阵列基板还包括：
[0011]覆盖所述转接层的栅绝缘层；
[0012]位于所述栅绝缘层上表面的单晶硅层；以及
[0013]覆盖所述源极层的显示像素绝缘层，
[0014]其中，所述公共电极层位于所述显示像素绝缘层的上方，且所述源极层覆盖所述单晶硅层。
[0015]可选地，所述过孔贯穿所述栅绝缘层。
[0016]可选地，所述过孔中填充有导电材料。
[0017]可选地，所述阵列基板还包括：
[0018]栅线层，所述栅线层与所述转接层位于所述阵列基板的同一层，且彼此之间通过
所述栅绝缘层隔离。
[0019]可选地，所述阵列基板还包括：
[0020]像素晶体管，电性连接于所述栅线层；
[0021]像素电极层，电性连接于所述像素晶体管。
[0022]可选地，所述像素电极层位于所述公共电极层的上方。
[0023]可选地，所述公共电极层位于所述像素电极层的上方。
[0024]根据本公开第二方面，提供了一种显示面板，包括：如上述的阵列基板。
[0025]根据本公开第三方面，提供了一种显示装置，包括：如上述的显示面板。
[0026]本技术的有益效果是：本公开涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置，采用开孔将位于不同层的源极层与转接层互连，可以使得转接层相应具有源极层的功能，实现源极层至转接层的转层设计，由于转接层距离公共电极层的距离大于源极层距离公共电极层的距离，转层后的源极层与公共电极层之间的距离会增大，进而导致源极层与公共电极层之间的寄生电容的电容容值降低，实现降低驱动像素所需的动态功耗的目的。
[0027]应当说明的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本技术。
附图说明
[0028]通过以下参照附图对本技术实施例的描述，本技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。
[0029]图1a示出根据本公开实施例提供的显示装置的结构示意图；
[0030]图1b示出图1a中像素的结构示意图；
[0031]图2a示出现有的一种阵列基板的像素结构示意图；
[0032]图2b示出根据本公开实施例提供的阵列基板的像素结构示意图；
[0033]图3示出图2b中阵列基板沿线AA
′
的剖面结构示意图。
具体实施方式
[0034]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施例。但是，本技术可以通过不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反的，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。
[0035]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。
[0036]下面，参照附图对本技术进行详细说明。
[0037]图1a示出根据本公开实施例提供的显示装置的结构示意图，如图1a所示，本公开实施例中，显示装置包括显示面板100、栅极驱动电路110以及源极驱动电路120。
[0038]显示面板100中包含有阵列基板，该阵列基板包括显示区域DA和非显示区域PA。该非显示区域PA位于显示区域DA之外，并可以围绕该显示区域DA，同时，阵列基板的非显示区域PA中可以设置有驱动显示区域DA中像素的驱动电路及其布线。
[0039]阵列基板的显示区域DA中布置有多个像素PX。其中，每个像素PX均通过一条数据线DL连接至源极驱动电路120，以及均通过一条扫描线SL连接至栅极驱动电路110。也可以理解为显示区域DA中的多个像素PX被置于相应的数据线与栅极线相交的位置处。
[0040]进一步地，栅极驱动电路110可以包括若干个栅极驱动单元，每个栅极驱动单元均耦接显示面板100的一条扫描线SL，用以通过扫描线SL提供栅极驱动信号至相应的像素PX。
[0041]源极驱动电路120耦接至多条数据线DL，用以通过数据线DL提供多个灰阶数据至相应的像素PX。
[0042]图1b示出图1a中像素的结构示意图，如图1b所示，多个像素PX中的每个像素均包括薄膜晶体管TFT和像素电极。其中像素电极包括并联连接的液晶电容C
Lc
和存储电容C
S
。像素电极的一端与显示电极连接，另一端与公共电极V
com
连接。薄膜晶体管TFT的栅极与扫描线SL连接，第一通路端与数据线DL连接，第二通路端与像素PX的显示电极连接，且在薄膜晶体管TFT的栅漏极之间还存在有寄生电容。其中，液晶分子在栅极信号的控制下，通过像素电极和公共电极分别施加在液晶电容上形成的电场来控制液晶分子的旋转角度，实现单个液晶像素的显示。所述存储电容主要是在栅极驱动信号进行逐行扫描时保持上一行图像一帧时间内的正常显示。
[0043]进一步地，显示面板1本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：自下而上依次排布的转接层、源极层和公共电极层，所述源极层的上表面与所述公共电极层的下表面之间具有第一距离；所述转接层的上表面与所述公共电极层的下表面之间具有第二距离；所述源极层与所述转接层之间通过过孔连接，其中，所述第一距离小于所述第二距离。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：覆盖所述转接层的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上表面的单晶硅层；以及覆盖所述源极层的显示像素绝缘层，其中，所述公共电极层位于所述显示像素绝缘层的上方，且所述源极层覆盖所述单晶硅层。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔贯穿所述栅绝缘层。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔中填充有...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘厚锋，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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