LED显示器的发光单元、像素单元以及其LED显示器制造技术

本发明专利技术涉及显示设备技术领域，具体涉及一种LED显示器的发光单元、像素单元以及其LED显示器，其发光单元包括：LED芯片组，所述LED芯片组包括并联设置的N个LED芯片，N为大于等于2的正整数；所述N个LED芯片中至少两个LED芯片的饱和阈值电压不相同；所述LED芯片组中所有LED芯片的饱和亮度之和等于所述发光单元的预设亮度；本发明专利技术的发光单元中设有两颗以上相并联且饱和阈值电压不相同的LED芯片，其有效地缩短了驱动电压的调节幅度，提高了电路调节的灵活性。活性。活性。

【技术实现步骤摘要】
LED显示器的发光单元、像素单元以及其LED显示器


[0001]本专利技术涉及显示设备
，具体涉及一种LED显示器的发光单元、像素单元及具有该发光单元的LED显示器。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro LED)，即发光二极管微缩化和矩阵化技术,其具有良好的稳定性，寿命，以及运行温度上的优势，同时也承继了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点,其具有极大的应用前景。
[0003]由微型发光二极管制作成Micro LED显示器是显示设备未来的主流发展方向；而现有Micro LED显示器由多个像素单元组成，每个像素单元均包含了红、绿、蓝三种颜色的发光单元，且每个发光单元中的LED均可以单独调控其亮度，通过三种颜色进行混合以达到需要的显示色彩。
[0004]在现有技术中，每个发光单元只包括一颗LED芯片，该发光单元可通过调整驱动电压来调控LED芯片的亮度；如图1所示，由于现有发光单元将LED芯片从零亮度调整至饱和亮度L0之间的驱动电压的调节幅度(0至V0)较大，不便于电路的灵活调节。

技术实现思路

[0005]为克服上述缺陷，本专利技术的目的即在于提供一种能灵活调节LED芯片发光亮度的发光单元、像素单元以及具有该发光单元的LED显示器。
[0006]本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0007]本专利技术是一种LED显示器的发光单元，包括：LED芯片组，
[0008]所述LED芯片组包括并联设置的N个LED芯片，N为大于等于2的正整数；
[0009]所述N个LED芯片中至少两个LED芯片的饱和阈值电压不相同；
[0010]所述LED芯片组中所有LED芯片的饱和亮度之和等于所述发光单元的预设亮度。
[0011]在本专利技术中，所述LED芯片组中每个所述LED芯片饱和阈值电压均不相同。
[0012]在本专利技术中，所述LED芯片包括N型层和P型层，所述N型层的掺杂浓度与所述P型层的掺杂浓度的积为掺杂浓度积；所述LED芯片组中每个所述LED芯片的所述掺杂浓度积均不相同。
[0013]在本专利技术中，所述LED芯片组中任一个LED芯片的饱和阈值电压均不超过其饱和阈值电压最小的LED芯片的安全电压。
[0014]在本专利技术中，所述发光单元还包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极与扫描线相连接，所述第一薄膜晶体管的源极和信号线连接；所述第一薄膜晶体管的漏极与第二薄膜晶体管的栅极相连接，所述第二薄膜晶体管的漏极上连接有LED芯片组。
[0015]在本专利技术中，所述LED芯片组中每个LED芯片的饱和亮度均相等。
[0016]本专利技术是一种LED显示器的像素单元，其包括：如上所述的发光单元，所述发光单元的数量为三个。
[0017]在本专利技术中，三个所述发光单元分别为：红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元。
[0018]本专利技术是一种LED显示器，其包括：如上所述的像素单元，所述像素单元的数量为一个以上。
[0019]在本专利技术中，所述LED显示器还包括：数据信号驱动器和扫描信号驱动器，所述数据信号驱动器通过信号线与像素单元中的发光单元相连接，所述扫描信号驱动器通过扫描线与像素单元中的发光单元相连接。
[0020]本专利技术的发光单元中设有两颗以上相并联且饱和阈值电压不相同的LED芯片，其有效地缩短了驱动电压的调节幅度，提高了电路调节的灵活性。
附图说明
[0021]为了易于说明，本专利技术由下述的较佳实施例及附图作详细描述。
[0022]图1为现有技术中的驱动电压与亮度之间的关系图；
[0023]图2为本专利技术实施例1中的驱动电压与亮度之间的关系图；
[0024]图3为本专利技术中发光单元的电路结构示意图；
[0025]图4为本专利技术实施例2中的驱动电压与亮度之间的关系图；
[0026]图5为本专利技术LED显示器的电路结构示意图。
具体实施方式
[0027]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0028]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0029]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接。可以是机械连接，也可以是电连接。可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0030]实施例1
[0031]下面以一个实施例对本专利技术的一种LED显示器的发光单元进行具体描述，请参阅图2至图3，其主要包括两个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)、一个电容器和一个发光二极管LED芯片组；
[0032]第一薄膜晶体管T1，所述第一薄膜晶体管T1的栅极与扫描线SCAN相连接，所述第一薄膜晶体管T1的源极和信号线DATA连接；所述第一薄膜晶体管T1的漏极与第二薄膜晶体管T2的栅极相连接，所述第二薄膜晶体管T2的源极与所述电容器的一端连接，所述电容器的另一端与所述所述第二薄膜晶体管T2的栅极连接；所述第二薄膜晶体管T2的漏极上连接有LED芯片组，所述LED芯片组包括并联的四颗LED芯片，其分别是第一LED芯片D1、第二LED芯片D2、第三LED芯片D3、第四LED芯片D4；其中，第一LED芯片的饱和阈值电压V
D1
与第二LED芯片的饱和阈值电压V
D2
相同，第三LED芯片的饱和阈值电压V
D3
与第四LED芯片的饱和阈值电压V
D4
相同；且第一、第二LED芯片的饱和阈值电压V
D1
、V
D2
小于第三、第四LED芯片的饱和阈值电压V
D3
、V
D4
，即；V
D1
＝V
D2
、V
D3
＝V
D4
，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED显示器的发光单元，其特征在于，包括：LED芯片组，所述LED芯片组包括并联设置的N个LED芯片，N为大于等于2的正整数；所述N个LED芯片中至少两个LED芯片的饱和阈值电压不相同；所述LED芯片组中所有LED芯片的饱和亮度之和等于所述发光单元的预设亮度。2.根据权利要求1所述的LED显示器的发光单元，其特征在于，所述LED芯片组中每个所述LED芯片饱和阈值电压均不相同。3.根据权利要求2所述的LED显示器的发光单元，其特征在于，所述LED芯片包括N型层和P型层，所述N型层的掺杂浓度与所述P型层的掺杂浓度的积为掺杂浓度积；所述LED芯片组中每个所述LED芯片的所述掺杂浓度积均不相同。4.根据权利要求1至3任一所述的LED显示器的发光单元，其特征在于，所述LED芯片组中任一个LED芯片的饱和阈值电压均不超过其饱和阈值电压最小的LED芯片的安全电压。5.根据权利要求4所述的LED显示器的发光单元，其特征在于，所述发光单元还包括：第一薄膜晶体管，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：江仁杰，徐瑞林，钟光韦，伍凯义，杨然翔，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：