具有自发光组件和非自发光组件的显示装置制造方法及图纸

一种包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，包含：第一基板、第二基板以及像素数组。像素数组具有至少一像素，其中每一像素包含：一第一切换组件、由第一切换组件控制的一非自发光组件、一第二切换组件、以及由第二切换组件控制的一自发光组件。其中第一切换组件与第二切换组件可为主动组件。或者，第一和第二切换组件其中之一可为被动组件，而另一可为主动组件。而且，第一切换组件位于第一基板上，第二切换组件位于第二基板上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种显示装置，特别有关于一种具有自发光组件和非自发 光组件的显示装置。
技术介绍
随着科技的进步，各式数字行动装置如手机、PDA以及笔记型计算机等已 经变成社会大众的必要配备。然而，因为数字行动装置的蓄电量通常不高，因 此数字行动装置上的显示装置必须具有低耗电的功能。而且，随着数字行动装 置的功能愈来愈强大，所搭载的显示装置也必须能够显示复杂的内容，如高分 辨率全彩照片或动态影像等。 一般而言，显示装置可分为自发光显示装置和非 自发光显示装置，而非自发光显示装置中常用的液晶显示装置又可分为穿透式、 反射式以及半反射半穿透式。穿透式液晶显示装置具有较佳的影像品质，然而其背光源耗电量大，而且 在强光下亮度不足，可视性差。反射式液晶显示装置可以利用环境光作为光源，使得在强光下可视性佳， 但在环境光不足时，需要有前光源来提供足够的亮度，然而前光源在大面积时 光的亮度很难均匀，造成影像品质下降'。半反射半穿透式液晶显示装置同时具有穿透区及反射区，可以在外界环境 光源不足时使用穿透区显示，而强光下使用反射区显示。然而反射区与穿透区 的面积总和是固定的，所以反射品质佳时，穿透亮度必然不够；而穿透亮度够 时，反射区的面积就相对比较小。有机EL (电子冷光)是一种具有高发光效率的省电显示装置。然而，有机 EL是一种自发光显示装置，在强光下与穿透式液晶显示装置一样，可视性差。如果要将亮度大幅提升至强光下可见，则发光效率及使用寿命将急剧的下降。为了综合上述各种类型的显示装置的优点而避开其缺点，相关领域人士提 出了包舍自发光组件和非自发光组件的显示装置，但此类型的技术却有着下列缺点要在同一基板上形成控制两种显示组件(自发光和非自发光)的TFT数 组及其控制电极会使得制程相当困难。而且，利用同一组TFT控制两个不同的 显示组件也会使电路的设计较为困难，降低产品的良率。 因此，需要一种新颖的显示装置改正上述的缺点。
技术实现思路
本专利技术的一 目的为提供一种具有自发光组件和非自发光组件的显示装置， 其具有分别控制自发光组件和非自发光组件的两主动切换组件，使得电路的设 计更为容易。本专利技术的另 一 目的为提供一种具有自发光组件和非自发光组件的显示装 置，其具有一主动切换组件以及一被动切换组件以分别控制自发光组件和非自 发光组件。而且，第一切换组件位于第一基板上，第二切换组件位于第二基板 上。本专利技术的又一目的为提供一种可运用在本专利技术的显示装置的第一基板和第 二基板的配线方式。因此，本专利技术提供一种包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，包含第一基板、第二基板以及像素数组。其中像素数组具有至少一像素，其中每一像素包含 一第一切换组件、由第一切换组件控制的一非自发光组件、 一第二 切换组件、以及由第二切换组件控制的一自发光组件，其中第一切换组件与第 二切换组件皆为主动组件。而且，第一切换组件位于第一基板上，第二切换组 件位于第二基板上。其中此第一切换组件以及第二切换组件可为薄膜晶体管。而自发光组件可 为EL组件，并包含第一电极层、第二电极层与介于第一电极层与该第二电极层之间的EL层。而非自发光组件是从电泳组件、电致表面张力改变组件、电致色 变组件、电致相变组件、微机电反射组件以及液晶组件所组成的群组中至少择若非自发光组件为液晶组件时，可更包含第三电极层、第四电极层、介于 第三电极层与第四电极层之间的液晶层、介于第三电极层与液晶层之间的第一 配向层与介于第四电极层与液晶层之间的第二配向层。上述EL层介于第一电极层与第二电极层之间，液晶层介于第三电极层与第 四电极层之间，且第二电极层可与第三电极层两者相邻。或者第二电极层与第 三电极层之间有一可透光绝缘层。此绝缘层可为有机或无机材料或者形成凸面 或凹面的非平坦架构。或者，第二电极层与第三电极层之间更包含一散光层。其中第二电极层与第三电极层也可合并为一第五电极层，使得EL层介于第 一电极层与第五电极层之间，而液晶层介于第五电极层与第四电极层之间。第 一电极层与第四电极层可为可透光材料，而第五电极层可为高反射率材料。其中上述的第三电极层与液晶层之间可具有第一配向层，而第四电极层与 液晶层之间可具有第二配向层。而此第一配向层及第二配向层为具有碳或硅至 少其一的无机层。其中无机层可为类钻碳膜(Diamond Like Carbon film)或氧化 硅(SiOx)。其中上述的第二和第三电极之间可更包含一绝缘层。而绝缘层包含一可透 光绝缘部份以及一散光部份。上述的可透光材料可为ITO或IZO,而高反射率材料可为银或铝。 此态样的第一基板和第二基板其中之一可具有 一第一主动矩阵、 一第一 接线区、 一第二接线区以及一信号接收区，第一基板和第二基板中的另一基板 具有一第二主动矩阵，其中第一接线区连接第一主动矩阵中的数据线以及信号 接收区，第二接线区连接信号接收区，第一主动矩阵中的扫瞄线连接信号接收 区，且第二主动矩阵中的数据线突出第二主动矩阵，当第一基板和第二基板实 质上重合时，第二主动矩阵中的数据线的突出部与第二接线区连接，而第二主 动矩阵中的扫瞄线与信号接收区连接。更详细来说，第一主动矩阵中所述的扫瞄线突出第一主动矩阵，第二主动 矩阵中的扫瞄线突出第二主动矩阵，当第一基板和第二基板实质上重合时，第 一主动矩阵中的扫瞄线的突出部与第二主动矩阵中的扫瞄线的突出部相连接并 一同连接至信号接收区。或者，其中具有第一主动矩阵的基板更包含一第三接线区，第三接线区与 该信号接收区连接并独立于第一主动矩阵中的扫瞄线，而第二主动矩阵的扫描 线的至少一部份突出第二主动矩阵，当第一基板和第二基板实质上重合时，第 二主动矩阵中的扫瞄线的突出部与第三接线区相连接。本专利技术的另 一态样为一种包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，包含第一基板、第二基板以及像素数组。其中像素数组具有至少一像素，其中 每一像素包含:一第一切换组件、由第一切换组件控制的一非自发光组件、 一第 二切换组件、以及由第二切换组件控制的一自发光组件，其中第一切换组件与 第二切换组件其中之一为被动组件，而另一为主动组件。而且，第一切换组件 位于第一基板上，第二切换组件位于第二基板上。在此态样中，第一基板和第二基板的配线方式可如下所述。第一基板和第 二基板其中之一具有至少一扫瞄线、至少一数据线、至少一第一电极条、一 第一接线区、 一第二接线区以及一信号接收区，第一基板和第二基板中的另一 基板具有至少一第二电极条，其中至少一第一电极条覆盖于扫瞄线以及数据线 上，扫瞄线连接信号接收区，第一接线区连接数据线以及信号接收区，第二接 线区连接信号接收区，第一基板和第二基板实质上重合时，第二电极条与第二 接线区连接。此态样的其它特征方面与上一态样相同，故在此不再赘述。 须注意的是，上述的实施例可根据不同的需求选择各电极的材料，也可在 基板的外侧加上偏光膜以让影像更为完善。附图说明图l(a)绘示了根据本专利技术的显示装置的第一较佳实施例的示意图； 图l(b)绘示了根据本专利技术的显示装置的第一较佳实施例的剖面图； 图l(c)绘示了根据本专利技术的显示装置的第一较佳实施例的电路图； 图1 (d)绘示了根据本专利技术的显示装置的第 一较佳实施例的电路图； 图l(e)绘示了根据本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，包含：第一基板；第二基板；以及像素数组，具有至少一像素，其中该每一像素包含：一第一切换组件；一非自发光组件，由该第一切换组件控制；一第二切换组件；以及一自发光组件，由该第二切换组件控制；其中所述的第一切换组件与所述的第二切换组件皆为主动组件且该第一切换组件位于所述的第一基板，该第二切换组件位于所述的第二基板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐瑞禧，
申请(专利权)人：江欣峻，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]