一种用于CT机架倾斜推杆的控制电路及CT主机制造技术

技术编号:30004124 阅读:36 留言:0更新日期:2021-09-11 04:52
本实用新型专利技术提供了一种用于CT机架倾斜推杆的控制电路及CT主机,控制电路包括功率模块及驱动模块,功率模块包括:第一MOS管组,连接于母线电压正极DC_BUS端与接地端间,且与驱动模块的第一输出端组连接,并与功率模块的第一动力输出端连接;第二MOS管组,连接于母线电压正极DC_BUS端与接地端间,且与驱动模块的第二输出端组连接,并与功率模块的第二动力输出端连接;驱动模块包括:第一MOS管驱动芯片,与一控制芯片的PWM控制引脚连接,通过第一输出端组向第一MOS管组提供PWM控制信号;第二MOS管驱动芯片,与一控制芯片的PWM控制引脚连接,通过第二输出端组向第二MOS管组提供PWM控制信号。采用上述技术方案后,实现机架倾斜的平稳运动,减少振动。减少振动。减少振动。

【技术实现步骤摘要】
MOS管D1的源极连接;
[0016]MOS管D2,其栅极连接至第二输出端组,源极连接至第二动力输出端,漏极连接至母线电压正极DC_BUS端;
[0017]MOS管D6,其栅极连接至第二输出端组,源极接地,漏极至第二动力输出端且与 MOS管D2的源极连接。
[0018]优选地,MOS管D1还包括第一保护稳压二极管,正极连接至MOS管D1的源极,负极连接至MOS管D1的漏极;
[0019]MOS管D5还包括第二保护稳压二极管,正极连接至MOS管D5的源极,负极连接至MOS管D5的漏极;
[0020]MOS管D2还包括第三保护稳压二极管,正极连接至MOS管D2的源极,负极连接至MOS管D2的漏极;
[0021]MOS管D6还包括第四保护稳压二极管,正极连接至MOS管D6的源极,负极连接至MOS管D6的漏极。
[0022]优选地,驱动模块还包括:
[0023]电容C23、电容C31、电阻R42、电阻R44、电阻R53、电阻R54;
[0024]第一MOS管驱动芯片的第一引脚连接至电容C23的一端,并与15V电压端连接,电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于CT机架倾斜推杆的控制电路,其特征在于,所述控制电路包括功率模块及驱动模块,所述驱动模块向所述功率模块提供驱动信号,使得所述功率模块向倾斜推杆提供动力,其中所述功率模块包括:第一MOS管组,连接于母线电压正极DC_BUS端与接地端间,且与所述驱动模块的第一输出端组连接,并与所述功率模块的第一动力输出端连接;第二MOS管组,连接于母线电压正极DC_BUS端与接地端间,且与所述驱动模块的第二输出端组连接,并与所述功率模块的第二动力输出端连接;所述驱动模块包括:第一MOS管驱动芯片,与一控制芯片的PWM控制引脚连接,通过第一输出端组向所述第一MOS管组提供PWM控制信号;第二MOS管驱动芯片,与一控制芯片的PWM控制引脚连接,通过第二输出端组向所述第二MOS管组提供PWM控制信号。2.如权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述第一MOS管组包括:MOS管D1,其栅极连接至所述第一输出端组,源极连接至所述第一动力输出端,漏极连接至母线电压正极DC_BUS端;MOS管D5,其栅极连接至所述第一输出端组,源极接地,漏极至所述第一动力输出端且与所述MOS管D1的源极连接;MOS管D2,其栅极连接至所述第二输出端组,源极连接至所述第二动力输出端,漏极连接至母线电压正极DC_BUS端;MOS管D6,其栅极连接至所述第二输出端组,源极接地,漏极至所述第二动力输出端且与所述MOS管D2的源极连接。3.如权利要求2所述的控制电路,其特征在于,所述MOS管D1还包括第一保护稳压二极管,正极连接至所述MOS管D1的源极,负极连接至所述MOS管D1的漏极;所述MOS管D5还包括第二保护稳压二极管,正极连接至所述MOS管D5的源极,负极连接至所述MOS管D5的漏极;所述MOS管D2还包括第三保护稳压二极管,正极连接至所述MOS管D2的源极,负极连接至所述MOS管D2的漏极;所述MOS管D6还包括第四保护稳压二极管,正极连接至所述MOS管D6的源极,负极连接至所述MOS管D6的漏极。4.如权利要求3所述的控制电路,其特征在于,所述驱动模块还包括:电容C23、电容C31、电阻R42、电阻R44、电阻R53、电阻R54;所述第一MOS管驱动芯片的第一引脚连接至电容C23的一端,并与15V电压端连接,所述电容C23的另一端接地;所述第一MOS管驱动芯片的第二引脚连接至电阻R42的一端,电阻R42的另一端连接至所述控制芯片的PWM1H引脚;
所述第一MOS管驱动芯片的第三引脚连接至电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘日平李敏黄振强
申请(专利权)人:明峰医疗系统股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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