线性稳压器、软启动方法以及电子设备技术

本申请公开一种线性稳压器、线性稳压器的软启动方法以及电子设备，线性稳压器包括：软启动模块，用于对输入端输入的信号进行升压处理，包括至少两个输入端，其中第一输入端用于获取基准电压，第二输入端用于获取采样电压，基准电压从初始值逐渐上升至参考电压；误差放大模块，包括至少两个输入端，其中第一输入端用于连接至软启动模块的输出端，以获取基准电压升压后对应的第一升压，第二输入端也连接至软启动模块的输出端，以获取采样电压升压后对应的第二升压，并对第一升压和第二升压的差值进行放大，输出误差放大值；误差放大值用于调整线性稳压器的输出电压，采样电压采样自输出电压。电压。电压。

【技术实现步骤摘要】
线性稳压器、软启动方法以及电子设备


[0001]本申请涉及线性稳压器领域，具体涉及一种线性稳压器以及软启动方法以及电子设备。

技术介绍

[0002]线性稳压器是一种电路上常用的器件，能够用来调整输入电压的大小，达到稳压的目的。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。其产品均采用小型封装，具有出色的性能，并且提供热过载保护、安全限流等增值特性，关断模式还能大幅降低功耗。
[0003]现有技术中的线性稳压器包括低压差线性稳压器，低压差线性稳压器利用对地的电压差就能让功率管处于饱和导通状态，输出稳定的负载电压以稳定驱动外接负载。
[0004]现有技术中，在启动线性稳压器以驱动外接负载时，该线性稳压器很有可能会产生超出所述外接负载的正常工作电压的瞬间过电压冲击，造成外接负载的性能损耗，甚至毁损。这种瞬间过电压是发生在极短时间内的一种剧烈脉冲，对外接负载的影响较大，如何防止该种剧烈脉冲的产生，成为本领域的技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]鉴于此，本申请提供一种线性稳压器、线性稳压器软启动的方法以及电子设备。
[0006]本申请提供的一种线性稳压器，包括：软启动模块，用于对输入端输入的信号进行升压处理，包括至少两个输入端，其中第一输入端用于获取基准电压，第二输入端用于获取采样电压，所述基准电压能够从初始值逐渐上升至参考电压；误差放大模块，包括至少两个输入端，其中第一输入端用于连接至所述软启动模块的输出端，以获取所述基准电压升压后对应的第一升压，第二输入端也连接至所述软启动模块的输出端，以获取所述采样电压升压后对应的第二升压，并对所述第一升压和第二升压的差值进行放大，输出误差放大值；所述误差放大值用于调整所述线性稳压器的输出电压，所述采样电压采样自所述输出电压。
[0007]可选的，所述软启动模块包括：第一电流源，用于提供第一电流；升压单元，连接至所述第一电流源，并用于获取所述基准电压和采样电压，以根据所述基准电压和采样电压输出对应的第一升压和第二升压。
[0008]可选的，所述升压单元包括：第一PMOS管，导通阈值高于所述参考电压，栅极用于获取所述基准电压，源极连接至所述第一电流源的输出端，以获取所述第一电流，并用于输出所述第一升压，漏极接地；第二PMOS管，栅极用于接收所述采样电压，源极连接至所述第一电流源的输出端，以获取所述第一电流，并用于输出所述第二升压，漏极接地。
[0009]可选的，所述第一电流源包括第三PMOS管以及第四PMOS管，且所述第三PMOS管以及第四PMOS管的栅极均连接至第一预设电压源，以获取一第一预设电压；所述第三PMOS管的源极用于获取所述线性稳压器的输入电压，漏极连接至所述第一PMOS管和第二PMOS管的
源极；所述第四PMOS管的源极用于获取所述线性稳压器的输入电压，漏极连接至所述第三PMOS管的源极。
[0010]可选的，所述误差放大模块包括第二电流源以及输入对管，所述第二电流源用于给所述输入对管提供第二电流，所述输入对管包括：第一NMOS管，漏极连接至所述第二电流源，以获取所述第二电流，源极通过偏置电流源接地，栅极连接至所述软启动模块的输出端，以获取所述第二升压；第二NMOS管，漏极连接至所述第二电流源，以获取所述第二电流，源极通过所述偏置电流源接地，栅极连接至所述软启动模块的输出端，以获取所述第一升压。
[0011]可选的，所述第二电流源包括：第五PMOS管，源极用于接收至输入电压，漏极连接至所述第一NMOS管的漏极，且所述第五PMOS管的栅极和漏极相互连接；第六PMOS管，源极用于接收所述输入电压，漏极连接至所述第二NMOS管的漏极，且所述第六PMOS管的栅极连接至所述第六PMOS管的栅极。
[0012]可选的，还包括输出模块，所述输出模块包括：第七PMOS管，栅极连接至所述误差放大模块的输出端，源极连接至输入电压，漏极通过分压单元接地，并通过所述漏极输出所述输出电压；所述分压单元包括依次连接的第一电阻和第二电阻，且所述第一电阻的上端连接至所述第七PMOS管的漏极，所述第二电阻的下端接地。
[0013]可选的，所述初始值小于等于0V。
[0014]本申请还提供一种线性稳压器的软启动方法，还包括以下步骤：提供基准电压，并对所述基准电压进行升压处理，获取第一升压，所述基准电压能够从初始值逐渐增大至所述参考电压；对所述线性稳压器的输出电压进行采样，获取采样电压，并对所述采样电压做升压处理，获取第二升压；比较所述第一升压和第二升压，并对所述第一升压和第二升压的误差进行放大；根据误差放大后的误差放大值以调整所述线性稳压器的输出。
[0015]可选的，获取第一升压和第二升压时，包括以下步骤：提供第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极均连接至第一电流源以获取第一电流，漏极均接地；将所述基准电压输出至第一PMOS管的栅极，将所述采样电压输出至第二PMOS管的栅极，并获取第一PMOS管的栅源电压作为所述第一升压，获取第二PMOS管的栅源电压作为第二升压。
[0016]本申请提供的一种电子设备，包括所述线性稳压器。
[0017]本申请的线性稳压器、软启动方法以及所述电子设备，通过所述软启动模块对所述基准电压以及采样电压进行升压，保证所述误差放大模块中的输入对管在初始启动阶段就能够被驱动，防止所述线性稳压器在初始启动阶段失调。并且，所述基准电压从初始值开始逐渐增大，直至增大至参考电压，保证了所述输出电压的逐渐增大。
[0018]并且，本申请中的线性稳压器、软启动方法以及所述电子设备具有结构简单的特点，对电流负载、输出电容等外部因素不敏感，且可以实现N型输入对管的线性稳压器的输出电压的真正意义上的平顺建立。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于
本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本申请的一实施例中线性稳压器的结构示意图。连接关系示意图。
[0021]图2是本申请的一实施例中所述线性稳压器中软启动模块以及误差放大模块的电路结构示意图。
[0022]图3是本申请的一实施例中所述软启动模块和所述误差放大模块的电路示意图。
[0023]图4是本申请的一实施例中所述输出模块的电路结构示意图。
[0024]图5是本申请的一实施例中述线性稳压器的软启动方法的步骤流程示意图。
具体实施方式
[0025]研究发现，现有技术中线性稳压器中的误差放大器常常使用NMOS管作为输入对管。在线性稳压器的初始启动阶段，由于所述线性稳压器的输出电压是逐渐增大的，所述输出电压的采样电压也是逐渐增大的，因此在所述初始启动阶段较低的采样电压无法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种线性稳压器，其特征在于，包括：软启动模块，用于对输入端输入的信号进行升压处理，包括至少两个输入端，其中第一输入端用于获取基准电压，第二输入端用于获取采样电压，所述基准电压能够从初始值逐渐上升至参考电压；误差放大模块，包括至少两个输入端，其中第一输入端用于连接至所述软启动模块的输出端，以获取所述基准电压升压后对应的第一升压，第二输入端也连接至所述软启动模块的输出端，以获取所述采样电压升压后对应的第二升压，并对所述第一升压和第二升压的差值进行放大，输出误差放大值；所述误差放大值用于调整所述线性稳压器的输出电压，所述采样电压采样自所述输出电压。2.根据权利要求1所述的线性稳压器，其特征在于，所述软启动模块包括：第一电流源，用于提供第一电流；升压单元，连接至所述第一电流源，并用于获取所述基准电压和采样电压，以根据所述基准电压和采样电压输出对应的第一升压和第二升压。3.根据权利要求2所述的线性稳压器，其特征在于，所述升压单元包括：第一PMOS管，导通阈值高于所述参考电压，栅极用于获取所述基准电压，源极连接至所述第一电流源的输出端，以获取所述第一电流，并用于输出所述第一升压，漏极接地；第二PMOS管，栅极用于接收所述采样电压，源极连接至所述第一电流源的输出端，以获取所述第一电流，并用于输出所述第二升压，漏极接地。4.根据权利要求3所述的线性稳压器，其特征在于，所述第一电流源包括第三PMOS管以及第四PMOS管，且所述第三PMOS管以及第四PMOS管的栅极均连接至第一预设电压源，以获取一第一预设电压；所述第三PMOS管的源极用于获取所述线性稳压器的输入电压，漏极连接至所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极；所述第四PMOS管的源极用于获取所述线性稳压器的输入电压，漏极连接至所述第三PMOS管的源极。5.根据权利要求1所述的线性稳压器，其特征在于，所述误差放大模块包括第二电流源以及输入对管，所述第二电流源用于给所述输入对管提供第二电流，所述输入对管包括：第一NMOS管，漏极连接至所述第二电流源，以获取所述第二电流，源极通过偏置电流源接地，栅极连接至所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李念龙，刘珍超，余东升，
申请(专利权)人：上海艾为电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：