抗辐射干扰瞬态x射线测量装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种抗辐射干扰瞬态x射线测量装置，包括：无源模块，其包括壳体组件，以及位于所述壳体组件内部的半导体感应芯片、第一准直镜和第二准直镜，所述第一准直镜与半导体感应芯片之间设有入射光路，所述半导体感应芯片与第二准直镜之间设有反射光路；有源模块，其安装在壳体组件远离所述半导体感应芯片的一端，所述有源模块包括舱体，以及位于舱体内部的光纤激光器、第三准直镜和图像传感器，其中，光纤激光器与所述第一准直镜之间连接有第一光纤，第三准直镜所述第二准直镜之间连接有第二光纤，所述第三准直镜与图像传感器之间设有接收光路。本发明专利技术解决了在多种辐射干扰下对聚变目标进行X射线瞬态成像的技术难题。聚变目标进行X射线瞬态成像的技术难题。聚变目标进行X射线瞬态成像的技术难题。

【技术实现步骤摘要】
抗辐射干扰瞬态x射线测量装置


[0001]本专利技术涉及激光聚变
，具体涉及一种抗辐射干扰瞬态x射线测量装置。

技术介绍

[0002]在激光聚变工程试验中，测量设备会受到强电磁脉冲、中子辐射、伽马射线、强光辐射以及X射线等多种聚变辐射场的辐照，而辐照会严重干扰测量设备运行的稳定性。所以，设计一种能够在激光聚变试验中实现抗多种辐射干扰的测量设备是亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供一种抗辐射干扰瞬态x射线测量装置，解决了在多种辐射干扰下对聚变目标进行X射线瞬态成像的技术难题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术技术方案如下：
[0005]一种抗辐射干扰瞬态x射线测量装置，其关键在于，包括：
[0006]无源模块，其包括壳体组件，以及位于所述壳体组件内部的半导体感应芯片、第一准直镜和第二准直镜，所述第一准直镜与半导体感应芯片之间设有入射光路，所述半导体感应芯片与第二准直镜之间设有反射光路；
[0007]有源模块，其安装在壳体组件远离所述半导体感应芯片的一端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗辐射干扰瞬态x射线测量装置，其特征在于，包括：无源模块(A)，其包括壳体组件(1)，以及位于所述壳体组件(1)内部的半导体感应芯片(3)、第一准直镜(8)和第二准直镜(13)，所述第一准直镜(8)与半导体感应芯片(3)之间设有入射光路，所述半导体感应芯片(3)与第二准直镜(13)之间设有反射光路；有源模块(B)，其安装在壳体组件(1)远离所述半导体感应芯片(3)的一端，所述有源模块(B)包括舱体(26)，以及位于舱体(26)内部的光纤激光器(18)、第三准直镜(19)和图像传感器(23)，其中，光纤激光器(18)与所述第一准直镜(8)之间连接有第一光纤(9)，第三准直镜(19)所述第二准直镜(13)之间连接有第二光纤(15)，所述第三准直镜(19)与图像传感器(23)之间设有接收光路。2.根据权利要求1所述的抗辐射干扰瞬态x射线测量装置，其特征在于：所述壳体组件(1)包括飞行管道(5)和连接在飞行管道(5)前端的锥型壳体(2)，所述半导体感应芯片(3)安装在锥型壳体(2)内。3.根据权利要求2所述的抗辐射干扰瞬态x射线测量装置，其特征在于：所述半导体感应芯片(3)安装在锥型壳体(2)的轴线上，所述第一准直镜(8)和第二准直镜(13)的轴线均相对于锥型壳体(2)的轴线偏移设置，所述第一准直镜(8)的轴线上依次设置有第一分光棱镜(7)和第一反射镜(6)，锥型壳体(2)的轴线上设置有第二分光棱镜(11)，第二准直镜(...

【专利技术属性】
技术研发人员：易涛，张军，田进寿，贾辉，汪韬，何凯，高贵龙，闫欣，邵铮铮，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心，
类型：发明
国别省市：