显示装置制造方法及图纸

显示装置包括：基板；包括驱动晶体管的沟道以及第七晶体管的沟道的多晶半导体层；驱动晶体管的与其沟道重叠的栅电极；第七晶体管的与其沟道重叠的栅电极；包括第四晶体管的沟道的氧化物半导体层；第四晶体管的与其沟道重叠的栅电极；连接至第四晶体管的第一电极的第一初始化电压线，第一初始化电压线和第四晶体管的栅电极位于同一层上；以及连接至第七晶体管的第二电极的第二初始化电压线，第二初始化电压线和第一初始化电压线位于彼此不同的层上。压线和第一初始化电压线位于彼此不同的层上。压线和第一初始化电压线位于彼此不同的层上。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年3月4日递交韩国知识产权局的韩国专利申请第10
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2020
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0027043号的优先权和权益，其全部内容通过引用合并于本文。


[0003]本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括具有多晶硅半导体的晶体管和具有氧化物半导体的晶体管的显示装置。

技术介绍

[0004]有机发光装置包括两个电极以及设置在这两个电极之间的有机发射层，并且从一个电极注入的电子与从另一电极注入的空穴在有机发射层中结合以形成激子。激子从激发态跃迁至基态，以输出能量并发光。
[0005]有机发光装置包括多个像素，像素包括是自发光器件的有机发光二极管，并且用于驱动有机发光二极管的多个晶体管和至少一个电容器被形成在相应的像素上。多个晶体管包括开关晶体管和驱动晶体管。
[0006]随着像素的数量增加以便提高有机发光装置的分辨率，并且高速驱动过程被执行以便实现稳定的视频，开口率可能减小，电流密度可能增加，并且驱动电压可能增加。相应地，产生污本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：基板；位于所述基板上的多晶半导体层，所述多晶半导体层包括驱动晶体管的沟道、第一电极和第二电极以及第七晶体管的沟道、第一电极和第二电极；所述驱动晶体管的栅电极，与所述驱动晶体管的所述沟道重叠；所述第七晶体管的栅电极，与所述第七晶体管的所述沟道重叠；位于所述基板上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括第四晶体管的沟道、第一电极和第二电极；所述第四晶体管的栅电极，与所述第四晶体管的所述沟道重叠；第一初始化电压线，连接至所述第四晶体管的所述第一电极，其中所述第一初始化电压线和所述第四晶体管的所述栅电极位于同一层上；以及第二初始化电压线，连接至所述第七晶体管的所述第二电极，其中所述第二初始化电压线和所述第一初始化电压线位于彼此不同的层上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中：所述第一初始化电压线与所述第二初始化电压线重叠。3.根据权利要求2所述的显示装置，进一步包括：与所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线重叠的扫描线；与所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线重叠的数据线；以及连接至所述扫描线和所述数据线的第二晶体管。4.根据权利要求3所述的显示装置，进一步包括：用于将所述第一初始化电压线和所述第四晶体管的所述第一电极连接的连接电极。5.根据权利要求4所述的显示装置，进一步包括：位于所述第一初始化电压线和所述连接电极之间以及所述第四晶体管的所述第一电极和所述连接电极之间的绝缘层，其中所述绝缘层包括：暴露所述第一初始化...

【专利技术属性】
技术研发人员：安珍星，成硕济，李知嬗，孙世完，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：