一种半导体器件和热沉键合的方法技术

本申请提供一种半导体器件和热沉键合的方法，涉及半导体技术领域，包括衬底上形成外延层；外延层形成至少一个电流注入区和位于电流注入区两侧的非电流注入区，电流注入区和非电流注入区之间形成有隔离区；外延层上形成金属层，金属层覆盖电流注入区、非电流注入区和隔离区；金属层上形成多个导电导热结构，相邻导电导热结构之间有间隙，每个非电流注入区上都设有多个导电导热结构；多个导电导热结构上形成焊接层，焊接层覆盖导电导热结构、间隙和金属层；焊接热沉和焊接层。导电导热结构保证电流注入区不受力，焊接热沉时，减少焊接应力集聚；金属层和导电导热结构的形成，减小热沉和半导体器件焊接应力，减少或避免焊接使半导体器件局部扭曲。体器件局部扭曲。体器件局部扭曲。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件和热沉键合的方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种半导体器件和热沉键合的方法。

技术介绍

[0002]半导体器件工作时会产生热量，为能使半导体器件及时散热以保证半导体器件的性能，常采用热沉对半导体器件散热，将半导体器件和热沉以焊接的方式键合，达到半导体器件散热的目的。
[0003]但是一般的半导体器件薄且细长，在键合到热沉上时，半导体器件和热沉焊接产生的一些应力很容易对半导体器件造成局部扭曲，半导体器件扭曲后就会影响半导体器件的偏振性能，严重时还可能导致半导体器件裂纹或断裂。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的在于提供一种半导体器件和热沉键合的方法，能够减小半导体器件和热沉焊接的键合力，提高半导体器件的性能。
[0005]本申请实施例的一方面，提供了一种半导体器件和热沉键合的方法，包括衬底上形成外延层；所述外延层形成至少一个电流注入区和位于所述电流注入区两侧的非电流注入区，所述电流注入区和所述非电流注入区之间形成有隔离区；所述外延层上形成金属层，所述金属层覆盖所述电流注入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件和热沉键合的方法，其特征在于，包括：衬底上形成外延层；所述外延层形成至少一个电流注入区和位于所述电流注入区两侧的非电流注入区，所述电流注入区和所述非电流注入区之间形成有隔离区；所述外延层上形成金属层，所述金属层覆盖所述电流注入区、所述非电流注入区和所述隔离区；所述金属层上形成多个导电导热结构，相邻所述导电导热结构之间有间隙，每个所述非电流注入区上都设有多个所述导电导热结构；多个所述导电导热结构上形成焊接层，所述焊接层覆盖所述导电导热结构、所述间隙和所述金属层；焊接热沉和所述焊接层。2.根据权利要求1所述的半导体器件和热沉键合的方法，其特征在于，所述外延层形成至少一个电流注入区和位于所述电流注入区两侧的非电流注入区，所述电流注入区和所述非电流注入区之间形成有隔离区包括：所述外延层上形成第一光阻层；通过曝光、显影形成开口，所述外延层经所述开口露出；刻蚀露出的所述外延层；去除所述第一光阻层，所述开口形成所述隔离区；所述外延层上形成绝缘介质膜层；所述绝缘介质膜层上形成第二光阻层；通过曝光、显影露出待注入区；刻蚀所述待注入区的绝缘介质膜层；去除所述第二光阻层，所述待注入区形成所述电流注入区，其余的所述绝缘介质膜层区域形成所述非电流注入区。3.根据权利要求1所述的半导体器件和热沉键合的方法，其特征在于，所述金属层上形成多个导电导热结构，相邻所述导电导热结构之间有间隙，每个所述非电流注入区上都设有多个所述导电导热结构包括：形成掩膜结构；其中，所述掩膜结构上具有通孔；向所述掩膜结构的通孔内加入填充液以形成所述导电导热结构；取下所述导电导热结构，排列在所述金属层上。4.根据权利要求3所述的半导体器件和热沉键合的方法，其特征在于，所述通孔为横截...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国文，王希敏，
申请(专利权)人：度亘激光技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：