本发明专利技术涉及一种电极模型坐标系点的自动解析方法、系统及装置，所述检测方法包括：确定电极的模型文件中的底座图形；对所述底座图形内部的基准要素进行解析，得到解析后的多个平面点；根据所述平面点的坐标和所述底座图形确定坐标系几何要素点的坐标；所述坐标系几何要素点包括所述坐标系几何要素点包括上顶面几何要素点和侧面几何要素点。本发明专利技术按电极加工和使用工艺要求结合CAD模型对电极底座的坐标系点进行解析，并根据解析后的平面点确定出坐标系几何要素点的坐标，从而实现了电极的加工过程的自动解析过程。过程的自动解析过程。过程的自动解析过程。
【技术实现步骤摘要】
一种电极模型坐标系点的自动解析方法、系统及装置
[0001]本专利技术涉及数据解析
，特别是涉及一种电极模型坐标系点的自动解析方法、系统及装置。
技术介绍
[0002]在模具制造过程中，一个精密模具的生产需要用上百个电极进行加工；电极产品的加工原材料是一整块立方体的铜或者石墨，先将整个立方体的长和宽的尺寸加工成预设加工电极基台的长和宽的尺寸，高度是电极加工尺寸和基台高度，然后装置在CNC车床上按电极CAD图纸加工出电极使用轮廓。
[0003]由于批量大，所有对于电极的加工和使用都有严格的工艺要求，尤其是电极底座，它必须是正六面体并且有一个切角(标识底座基台的正面)：加工时它是电极加工的装置方式，并以其中心为加工的中心位置进行轮廓的加工；在使用时又以其中心为对位中心位置进行装置和使用。所以实际电极产品的底座基台上坐标系点的检验是非常重要的。现有技术中并没有对底座基台上坐标系点进行自动解析和检验的方法。基于此，研发一种成熟的对底座基台上坐标系点进行自动解析的技术成为了亟待解决的问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是提供一种电极模型坐标系点的自动解析方法、系统及装置，能够对底座基台上坐标系点进行自动解析。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
[0006]一种电极模型坐标系点的自动解析方法，包括：
[0007]确定电极的模型文件中的底座图形；
[0008]对所述底座图形内部的基准要素进行解析，得到解析后的多个平面点；
[0009]根据所述平面点的坐标和所述底座图形确定坐标系几何要素点的坐标；所述坐标系几何要素点包括所述坐标系几何要素点包括上顶面几何要素点和侧面几何要素点。
[0010]优选地，所述确定电极的模型文件中的底座图形，包括：
[0011]根据所述电极的模型文件得到CAD图形；
[0012]确定所述CAD图形的最小外接立方体图形；所述最小外接立方体图形由6个包围平面图形组成；
[0013]对所述CAD图形几何信息进行遍历，确定所述CAD图形中的所有的第一平面图形；
[0014]获取所述第一平面图形的平面法矢量；
[0015]确定所述平面法矢量与各个所述包围平面图形的法矢量同向的具有面积极值的平面，得到平面集合；
[0016]确定所述平面集合中的平面面积与和该平面的方向一致的包围平面图形的面积最接近的第二平面图形；所述第二平面图形为所述底座图形的下底面图形；
[0017]根据所述下底面图形确定所述底座图形的5个侧面图形；
[0018]根据任意一个所述侧面图形确定所述底座图形的上顶面图形。
[0019]优选地，所述确定电极的模型文件中的底座图形之后还包括：
[0020]存储所述底座图形；
[0021]判断根据所述底座图形的图形个数与所述模型文件中的底座的实际图形个数是否相同，若不相同，则结束检测过程。
[0022]优选地，所述根据所述平面点的坐标和所述底座图形确定坐标系几何要素点的坐标，包括：
[0023]确定与所述上顶面图形的顶点距离最近的三个所述平面点，记为所述上顶面几何要素点，并根据所述上顶面几何要素点的位置得到所述上顶面几何要素点的坐标；所述平面点是由所述底座图形的上顶面图形按预设步距进行解析得到的；
[0024]获取所述底座图形的侧面图形与所述上顶面图形的四条相交线段；
[0025]将所述相交线段在对应的所述侧面图形内，以所述侧面图形的法矢量的反方向平移，并将所述相交线段按预设缩进步距进行缩进，得到缩进线段；
[0026]获取所述缩进线段的端点，记为所述侧面几何要素点，并根据所述侧面几何要素点的位置得到所述侧面几何要素点的坐标。
[0027]优选地，所述根据所述平面点的坐标和所述底座图形确定坐标系几何要素点的坐标之后，还包括：
[0028]判断所述坐标系几何要素点的数量与预设数量是否相同，若否，则结束检测过程。
[0029]优选地，所述根据所述平面点的坐标和所述底座图形确定坐标系几何要素点的坐标之后，还包括：
[0030]利用所述坐标系几何要素点在三坐标测量仪上对待测电极进行测量，得到测量点；
[0031]利用四面分中的方法，根据所述测量点建立产品检测坐标系；
[0032]根据所述产品检测坐标系获取所述待测电极的底座上的所述上顶面几何要素点相应的Z轴值；
[0033]判断各个所述Z轴值的偏差是否在预设误差范围内，若否，则检测结果不合格。
[0034]优选地，所述根据所述平面点的坐标和所述底座图形确定坐标系几何要素点的坐标之后，还包括：
[0035]根据所述产品检测坐标系获取所述侧面几何要素点相应的X轴值和Y轴值；
[0036]判断处于对应面的所述侧面几何要素点相应的X轴值或Y轴值的偏差是否具有对称性且在预设误差范围内，若否，则检测结果不合格。
[0037]一种电极模型坐标系点的自动解析系统，包括：
[0038]图形确定模块，用于确定电极的模型文件中的底座图形；
[0039]解析模块，用于对所述底座图形内部的基准要素进行解析，得到解析后的多个平面点；
[0040]坐标确定模块，用于根据所述平面点的坐标和所述底座图形确定坐标系几何要素点的坐标；所述坐标系几何要素点包括所述坐标系几何要素点包括上顶面几何要素点和侧面几何要素点。
[0041]一种电子设备，包括处理器和存储器，所述存储器存储有可执行计算机程序，所述
处理器可读取所述存储器中的计算机程序并运行以实现一种电极模型坐标系点的自动解析方法。
[0042]一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有可执行计算机程序，所述计算机程序运行时可实现一种电极模型坐标系点的自动解析方法。
[0043]根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
[0044]本专利技术提供了一种电极模型坐标系点的自动解析方法、系统及装置，所述检测方法包括：确定电极的模型文件中的底座图形；对所述底座图形内部的基准要素进行解析，得到解析后的多个平面点；根据所述平面点的坐标和所述底座图形确定坐标系几何要素点的坐标；所述坐标系几何要素点包括所述坐标系几何要素点包括上顶面几何要素点和侧面几何要素点。本专利技术按电极加工和使用工艺要求结合CAD模型对电极底座的坐标系点进行解析，并根据解析后的平面点确定出坐标系几何要素点的坐标，从而实现了电极的加工过程的自动解析过程。
附图说明
[0045]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0046]图1为本专利技术提供的实施例中的解析方法流程图；
[0047]图2为本专利技术提供的实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电极模型坐标系点的自动解析方法，其特征在于，包括：确定电极的模型文件中的底座图形；将所述底座图形解析成多个平面点；根据所述平面点的坐标和所述底座图形确定坐标系几何要素点的坐标；所述坐标系几何要素点包括上顶面几何要素点和侧面几何要素点；所述坐标系几何要素点为构成所述电极几何特征的点。2.根据权利要求1所述的电极模型坐标系点的自动解析方法，其特征在于，所述确定电极的模型文件中的底座图形，包括：根据所述电极的模型文件得到CAD图形；确定所述CAD图形的最小外接立方体图形；所述最小外接立方体图形包括6个包围平面图形；所述CAD图形的几何信息进行遍历，确定所述CAD图形中的所有的平面图形，记为第一平面图形；获取所述第一平面图形的平面法矢量；确定所述平面法矢量与各个所述包围平面图形的法矢量同向且具有面积极值的平面，得到平面集合；确定所述平面集合中的平面面积与和该平面的方向一致的包围平面图形的面积最接近的平面图形，记为第二平面图形；所述第二平面图形为所述底座图形的下底面图形；根据所述下底面图形确定所述底座图形的5个侧面图形；根据任意一个所述侧面图形确定所述底座图形的上顶面图形。3.根据权利要求1所述的电极模型坐标系点的自动解析方法，其特征在于，所述确定电极的模型文件中的底座图形之后还包括：存储所述底座图形；判断所述底座图形的图形个数与所述模型文件中的底座的实际图形个数是否相同，若不相同，则结束检测过程。4.根据权利要求2所述的电极模型坐标系点的自动解析方法，其特征在于，所述根据所述平面点的坐标和所述底座图形确定坐标系几何要素点的坐标，包括：确定与所述上顶面图形的顶点距离最近的三个所述平面点，记为所述上顶面几何要素点，并根据所述上顶面几何要素点的位置得到所述上顶面几何要素点的坐标；所述平面点是由所述底座图形的上顶面图形按预设步距进行解析得到的；获取所述底座图形的侧面图形与所述上顶面图形的四条相交线段；将所述相交线段在对应的所述侧面图形内，以所述侧面图形的法矢量的反方向平移，并将所述相交线段按预设缩进步距进行缩进，得到缩进线段；获取所述缩进线段的端点，记为所述侧面几...
【专利技术属性】
技术研发人员：王金再，
申请(专利权)人：西安米索软件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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