一种基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法技术

技术编号:29928822 阅读:24 留言:0更新日期:2021-09-04 18:53
本发明专利技术提供了一种基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法,包括设置于盐碱地上的根系区、湿润区和干燥区,湿润区和干燥区依次围设于根系区的外周,根系区内为含盐量与pH值均低于种植树木的抗性阈值的换填土或改良土,湿润区的土壤含水量大于干燥区的土壤含水量。该种基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法,基于水盐运移基本原理建立湿润区与干燥区,使水分由湿润区向干燥区单方向运移,隔绝了干燥区外围盐分随水分入侵根系区;通过设置防水板与集水沟来建立干燥区与湿润区,防水板在建立干燥区的同时可以将防水板投影面积上的水分收集到集水沟,为集水沟提供充足水源补给,并提高了水资源的利用效率;实施运用方便、高效,成本低,维修简便。维修简便。维修简便。

【技术实现步骤摘要】
一种基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法


[0001]本专利技术属于盐碱地灌溉
,特别是涉及一种基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法。

技术介绍

[0002]根据联合国教科文组织和粮农组织不完全统计,我国现有盐碱地面积约9913万公顷,分为含盐量3

以下的轻度盐碱地、含盐量3
‰‑6‰
的中度盐碱地与含盐量6

以上重度盐碱地。高含盐量的土壤严重限制着树木的生存,个别树种可在盐碱地上生长,但其耐盐阈值最高也不超过10

,但实际多数盐碱地含盐量在30

以上,远超其耐盐阈值,因此想在盐碱地上直接种活树木是不现实的。现主要的技术手段就是铺设暗管与隔盐层并更换或改良原土,创造一个树木生长新环境的同时隔绝盐渍土的影响,防止新环境发生次生盐渍化。现有技术实施步骤为开挖原土、设置隔盐层、铺设暗管、回填新土源或者改良原土后进行树木栽植,技术实施复杂,工程量大,成本高,且隔盐层与暗管使用年限有一定限制,失效后修复困难,并且易产生次生盐渍化,危害树木。

技术实现思路

[0003]有鉴于此,本专利技术旨在克服上述现有技术中存在的缺陷,提供一种基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法,以实现滨海重盐碱地树木低成本快速种植,且该方法较现有技术成本低,技术实施方便、高效,维修简便。
[0004]本专利技术的另一个目的在于提供一种用于实现基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法的种植系统。
[0005]为达到上述目的,本专利技术的技术方案是这样实现的:
[0006]一种基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法,包括设置于盐碱地上的根系区、湿润区和干燥区,所述湿润区和干燥区依次围设于根系区的外周,所述根系区内为换填土或改良土,所述换填土或改良土的含盐量与
p
H值均低于种植树木的抗性阈值,所述湿润区的土壤含水量大于所述干燥区的土壤含水量。
[0007]一种用于实现基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法的种植系统,包括集水沟和防水板,所述集水沟位于根系区外周,与根系区相接,所述防水板设置于集水沟的外周,防水板的内缘向下倾斜,延伸至集水沟内。
[0008]进一步地,所述集水沟为梯形沟。
[0009]进一步地,所述集水沟的深度为0.3m。
[0010]进一步地,所述防水板与水平面的夹角为2度

10度。
[0011]进一步地,所述防水板的宽度为1

3m。
[0012]进一步地,还包括垒土墙,所述垒土墙围设于集水沟的外圈,位于防水板的下方,与防水板投影位置的内缘相邻或相接。
[0013]进一步地,所述垒土墙为梯形墙。
[0014]进一步地,还包括缓坡,所述缓坡位于防水板下方,所述缓坡的外缘下倾。
[0015]进一步地,所述缓坡从垒土墙顶部向防水板投影位置的外缘延伸,与防水板投影位置的外缘相邻或相接。
[0016]相对于现有技术,本专利技术的有益效果是:
[0017](1)该基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法,基于水盐运移基本原理建立湿润区与干燥区,使水分由湿润区向干燥区单方向运移,隔绝了干燥区外围盐分随水分入侵根系区。
[0018](2)该基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法,通过设置结构简单的防水板与集水沟来建立干燥区与湿润区,防水板在建立干燥区的同时可以将防水板投影面积上的水分收集到集水沟,为集水沟提供充足水源补给,并提高了水资源的利用效率。
[0019](3)该基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法,实施运用方便、高效,成本低,维修简便。
附图说明
[0020]构成本专利技术的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解,本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:
[0021]图1为本专利技术所述的一种基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法的剖面图;
[0022]图2为本专利技术所述的一种基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法的平面图。
[0023]附图标记说明:
[0024]1‑
防水板;2

集水沟;3

换填土/改良土;4

垒土墙;41

缓坡;5

原盐土;A

湿润区;B

干燥区;C

根系区。
具体实施方式
[0025]需要说明的是,在不冲突的情况下,本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0026]在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
[0027]在本专利技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以通过具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0028]下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术:
[0029]如图1~图2所示,本实施例提供了一种基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法,包括设置于盐碱地上的根系区C、湿润区A和干燥区B,湿润区A和干燥区B依次围设于根系区C的外周,根系区C内为换填土或改良土,换填土或改良土的含盐量与
p
H值均低于种植树木的抗性阈值,湿润区A的土壤含水量大于所述干燥区B的土壤含水量。
[0030]本实施例提供的基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法,基于水盐运移基本原理,即土壤水分由高含水率向低含水率运移,建立湿润区A与干燥区B两个主要分区,令水分只能由湿润区A向干燥区B运移,等效于在湿润区A建立了一个外渗水源,对内根系区C与外干燥区B进行水分补给,阻止了湿润区A外的水分携带盐分运移至根系区C。
[0031]本实施例还提供了一种用于实现基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法的种植系统,包括集水沟2和防水板1,其中集水沟2位于根系区C外周,与根系区C相接,防水板1设置于集水沟2的外周,防水板1的内缘向下倾斜,延伸至集水沟2内。本实施例中,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法,其特征在于:包括设置于盐碱地上的根系区(C)、湿润区(A)和干燥区(B),所述湿润区(A)和干燥区(B)依次围设于根系区(C)的外周,所述根系区(C)内为换填土或改良土,所述换填土或改良土的含盐量与pH值均低于种植树木的抗性阈值,所述湿润区(A)的土壤含水量大于所述干燥区(B)的土壤含水量。2.一种用于实现如权利要求1所述基于水盐运移原理的重盐碱地树木种植方法的种植系统,其特征在于:包括集水沟(2)和防水板(1),所述集水沟(2)位于根系区(C)外周,与根系区(C)相接,所述防水板(1)设置于集水沟(2)的外周,防水板(1)的内缘向下倾斜,延伸至集水沟(2)内。3.根据权利要求2所述的一种种植系统,其特征在于:所述集水沟(2)为梯形沟。4.根据权利要求2所述的一种种植系统,其特征在于:所述集水沟(2)的深度为0.3m。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘璐瑶张涛贾林张金龙窦莉洋张清田晓明赵帅慈华聪丁玲周国瑞
申请(专利权)人:天津泰达盐碱地绿化研究中心有限公司
类型:发明
国别省市:

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