一种基于石墨烯的混杂等离激元波导结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种基于石墨烯的混杂等离激元波导结构，包括：第一波导结构和第二波导结构，第一波导结构位于第二波导结构的上方；第二波导结构包括位于下层的第一电介质和平铺在第一电介质上的石墨烯；第一波导结构包括位于石墨烯之上的第二电介质130和放置在第二电介质上的第三电介质；第一电介质和第二电介质的折射率n的取值范围为1≤n≤2；第三电介质的折射率n>2。本结构可以在太赫兹波段进行模式束缚，且利用石墨烯产生等离激元，使其模式可调。

【技术实现步骤摘要】
一种基于石墨烯的混杂等离激元波导结构
本技术涉及波导结构
，尤其涉及一种基于石墨烯的混杂等离激元波导结构。
技术介绍
传统的混杂等离激元波导主要是基于金属产生等离激元模式，但是基于金属产生的等离激元模式不可调，并且基于金属的混杂等离激元波导的研究主要集中在通信波段，其在太赫兹波段的模式束缚性较差。传统的电介质加载的石墨烯等离激元波导、石墨烯多层结构波导以及石墨烯脊型等离激元波导，虽然利用了石墨烯的可调特性，能够实现模式的动态可调，但是其模式束缚能力依然较差。因此，亟需一种可以实现模式的动态可调且模式束缚能力强的波导结构。
技术实现思路
本技术的实施例提供了一种基于石墨烯的混杂等离激元波导结构，以解决现有技术问题中存在的缺陷。为了实现上述目的，本技术采取了如下技术方案。本技术提供了如下方案：一种基于石墨烯的混杂等离激元波导结构，包括：第一波导结构和第二波导结构，所述的第一波导结构位于所述第二波导结构的上方；所述第二波导结构包括位于下层的第一电介质110和平铺在所述第一电介质上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于石墨烯的混杂等离激元波导结构，其特征在于，包括：第一波导结构和第二波导结构，所述的第一波导结构位于所述第二波导结构的上方；/n所述第二波导结构包括位于下层的第一电介质(110)和平铺在所述第一电介质上的石墨烯(120)；/n所述第一波导结构包括位于所述石墨烯(120)之上的第二电介质（130）和放置在所述第二电介质(130)上的第三电介质(140)；/n所述的第一电介质(110)和第二电介质(130)的折射率n的取值范围为1≤n≤2；所述的第三电介质(140)的折射率n>2；/n所述的第三电介质(140)为椭圆柱结构，所述椭圆柱的长度大于0且小于等于1cm。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于石墨烯的混杂等离激元波导结构，其特征在于，包括：第一波导结构和第二波导结构，所述的第一波导结构位于所述第二波导结构的上方；
所述第二波导结构包括位于下层的第一电介质(110)和平铺在所述第一电介质上的石墨烯(120)；
所述第一波导结构包括位于所述石墨烯(120)之上的第二电介质（130）和放置在所述第二电介质(130)上的第三电介质(140)；
所述的第一电介质(110)和第二电介质(130)的折射率n的取值范围为1≤n≤2；所述的第三电介质(140)的折射率n>2；
所述的第三电介质(140)为椭圆柱结构，所述椭圆柱的长度大于0且小于等于1cm。


2.根据权利要求1所述的基于石墨烯的混杂等离激元波导结构，其特征在于，所述的第二电介质(130)的端面上的横向宽度和第三电介质(140)的端面上的横向宽度均小于30μm，所述第二电介质(130)的端面上的纵向宽度小于7μm。


3.根据权利要求1所述的基于石墨烯的混杂等离激元波导结构，其特征在于，所述的椭圆柱结构的端面上的长轴或短轴为水...

【专利技术属性】
技术研发人员：周开军，郭靖生，张洪，
申请(专利权)人：南京南智锐捷光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32