一种半导体激光管性能检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于半导体激光器领域，特别涉及一种半导体激光管性能检测装置，包括MCU模块，MCU模块依次通过电压转换模块、测试电压模块与测试模块连接，MCU模块还分别通过译码器模块、测试电流模块、多路选择模块与测试模块连接；测试模块包括若干并联的待测模组，待测模组包括一P型MOS管和待测半导体激光管，P型MOS管的源极连接半导体激光管正极，其漏极接收测试电压模块提供的测试电压，半导体激光管的负极接收测试电流模块提供的测试电流。本新型通过MCU对整体装置进行控制可同时对多个激光二极管进行性能检测，减少了多检测时需要的数据传输通路，简化了电路结构，可对测试电压和电流进行调节，保证了整个装置的低功耗运行。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光管性能检测装置
本技术属于半导体激光管领域，特别涉及一种半导体激光管性能检测装置。
技术介绍
半导体激光管具有体积小、单色性好、方向性强、光功率利用率高等优点，由于其工作电压需求低、工作电路简单广泛应用于光纤通信、仪器测量等领域。半导体激光管的结构与传统LED类似，相对传统PN结结构的LED二极管多了两个与PN节垂直的光学平面作为谐振腔，在PN结通过电流激发超过导通阈值发光使谐振腔体内产生激光。与传统氦氖激光发生器相比，在恒定电流的驱动下，半导体激光管随着工作温度的提高阈值电流提高，工作电流下降，输出功率降低。半导体激光管长时间工作必然会导致其工作温度上升，其稳定工作时长决定其性能的高低，需要对半导体激光管进行额定时长工作状态进行检测，来评估其质量和可靠性。
技术实现思路
本技术的目的在于：针对现有问题，提供一种对半导体激光管长时间工作状态进行检测的半导体激光管性能检测装置。本技术采用的技术方案如下：一种半导体激光管性能检测装置，包括MCU模块，MCU模块依次通过电压转换模块、测试电压模块与测试模块本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光管性能检测装置，其特征在于，包括MCU模块，所述MCU模块依次通过电压转换模块、测试电压模块与测试模块连接，所述MCU模块还分别通过译码器模块、测试电流模块、多路选择模块与测试模块连接；所述测试模块包括若干并联的待测模组，所述待测模组包括一P型MOS管和待测半导体激光管，P型MOS管的源极连接半导体激光管正极，其漏极接收测试电压模块提供的测试电压，半导体激光管的负极接收测试电流模块提供的测试电流；每个半导体激光管附近还设置有对应光敏二极管，各光敏二极管通过单独检测电路输出检测信号；各待测模组中MOS管的栅极分别与译码器模块单独输出引脚连接，检测电路的信号输出端分别与多路选择模...

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光管性能检测装置，其特征在于，包括MCU模块，所述MCU模块依次通过电压转换模块、测试电压模块与测试模块连接，所述MCU模块还分别通过译码器模块、测试电流模块、多路选择模块与测试模块连接；所述测试模块包括若干并联的待测模组，所述待测模组包括一P型MOS管和待测半导体激光管，P型MOS管的源极连接半导体激光管正极，其漏极接收测试电压模块提供的测试电压，半导体激光管的负极接收测试电流模块提供的测试电流；每个半导体激光管附近还设置有对应光敏二极管，各光敏二极管通过单独检测电路输出检测信号；各待测模组中MOS管的栅极分别与译码器模块单独输出引脚连接，检测电路的信号输出端分别与多路选择模块的输入引脚连接。


2.根据权利要求1所述的一种半导体激光管性能检测装置，其特征在于，所述电压转换模块包括集成运放U3、U4、U5，所述集成运放U3和U5的负输入端分别接收MCU模块内DAC电路提供的控制信号，其正输入端均接地，其负输入端均与自身输出端连接；集成运放U3的输出端通过电阻R9连接集成运放U4的负输入端，集成运放U5的输出端通过电阻R12连接可变电阻R11控制端和正极；可变电阻R11的负极连接集成运放U4的负输入端；集成运放U4的输入端通过电阻R10与其输出端连接，其输出端输出电压控制信号至测试电压模块。


3.根据权利要求1所述的一种半导体激光管性能检测装置，其特征在于，所述测试电压模块包括PNP三极管Q2，其集电极连接外部电压，其发射极与NPN三极管Q1的发射极连接后接地，其基极与三...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱兵，曾月，
申请(专利权)人：四川省长星科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51