一种高功率激光应用的散热基座制造技术

本发明专利技术公开了一种高功率激光应用的散热基座，其包括：基底，在基底上端面和下端面依序设置的紧密接触层和电极层，其中，位于基底上端面的电极层上还设有钎焊层，所述的基底为SiC成型。本方案通过巧妙性利用SiC，即碳化硅，来作为散热基座的基底材料，而碳化硅（热导率约为370 W/m/K以上）的热导率远大于传统的AlN材料（热导率约为280 W/m/K），其中，6H SiC热导率为480W/m/k；4H SiC热导率为370W/m/K，其远大于AlN的热导率280W/m/K，因此，以SiC为基底制备的散热基座，散热能力大大增强，可以满足≥30w的高功率激光的散热需求。

【技术实现步骤摘要】
一种高功率激光应用的散热基座
本专利技术涉及激光散热器件
，尤其是一种高功率激光应用的散热基座。
技术介绍
激光器在工作时，会产生大量的热量，而其配套的散热组件的散热能力直接影响了激光器能否持续工作或保持较为稳定的工作状态，传统激光器的散热基底主要是采用AlN（氮化铝）材料作为散热基底，而AlN材料仅可应用于功率在30W以内的激光器件，对于高于30W功率的激光散热而言，AlN材料无法提供较优良的持续导热能力或快速热量导出能力，因此也制约了激光器在30W以上功率的使用。
技术实现思路
针对现有技术的情况，本专利技术的目的在于提供一种散热能力好且能够保证激光器工作稳定的高功率激光应用的散热基座。为了实现上述的技术目的，本专利技术所采用的技术方案为：一种高功率激光应用的散热基座，其包括：基底，在基底上端面和下端面依序设置的紧密接触层和电极层，其中，位于基底上端面的电极层上还设有钎焊层，所述的基底为SiC成型，所述的SiC为4H或6H碳化硅。作为一种可能的实施方式，进一步，所述的紧密接触层为两层且相互叠置形成。作为一种可能的实施方式，进一步，所述的电极层为三层且相互叠置形成。作为一种可能的实施方式，进一步，所述的钎焊层为两层且相互叠置形成。作为一种可能的实施方式，进一步，所述的电极层和紧密接触层之间还至少设有一层过渡金属层。作为一种可能的选择方式，优选的，所述的过渡金属层为贵金属叠置形成。采用上述的技术方案，本专利技术与现有技术相比，其具有的有益效果为：本方案通过巧妙性利用SiC，即碳化硅，来作为散热基座的基底材料，而碳化硅（热导率约为370W/m/K以上）的热导率远大于传统的AlN材料（热导率约为280W/m/K），其中，6HSiC热导率为480W/m/k；4HSiC热导率为370W/m/K，其远大于AlN的热导率280W/m/K，因此，以SiC为基底制备的散热基座，散热能力大大增强，可以满足≥30w的高功率激光的散热需求。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术方案做进一步的阐述：图1为本专利技术方案的简要实施结构示意图。具体实施方式如图1所示，本专利技术高功率激光应用的散热基座，其包括：基底8，在基底8上端面和下端面依序设置的紧密接触层1、2和电极层3、4、5，其中，位于基底8上端面的电极层3、4、5上还设有钎焊层6、7，所述的基底8为SiC成型，所述的SiC为4H或6H碳化硅。其中，所述的紧密接触层1、2为两层且相互叠置形成；所述的电极层3、4、5为三层且相互叠置形成；所述的钎焊层6、7为两层且相互叠置形成。另外，所述的电极层3、4、5和紧密接触层1、2之间还可以至少设有一层过渡金属层，而所述的过渡金属层为贵金属叠置形成。以上仅为本专利技术较佳实施例而已，并不是限制本专利技术的范围，凡在本专利技术申请的精神和原则之内所做的任何修改、等同替换和改进皆为本专利技术所涵盖。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高功率激光应用的散热基座，其包括：基底，在基底上端面和下端面依序设置的紧密接触层和电极层，其中，位于基底上端面的电极层上还设有钎焊层，其特征在于：所述的基底为SiC成型。/n

【技术特征摘要】
1.一种高功率激光应用的散热基座，其包括：基底，在基底上端面和下端面依序设置的紧密接触层和电极层，其中，位于基底上端面的电极层上还设有钎焊层，其特征在于：所述的基底为SiC成型。


2.根据权利要求1所述的一种高功率激光应用的散热基座，其特征在于：所述的紧密接触层为两层且相互叠置形成。


3.根据权利要求1所述的一种高功率激光应用的散热基座，其特征在于：所述的电极层为三层且相互叠置形成。


4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪子航，陈曦，柯航，项桦，邓鹏，于光龙，
申请(专利权)人：福州高意光学有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35