改进的用于RF应用的转印制造技术

一种用于RF应用的半导体结构，包括：目标衬底；在所述目标衬底上微转印(μTP)的氮化镓(GaN)小芯片，其中，所述小芯片包括GaN器件和虚设金属层。

【技术实现步骤摘要】
改进的用于RF应用的转印
本专利技术涉及用于射频(RF)应用的半导体结构，并且具体地涉及在目标衬底上包括微转印的氮化镓(GaN)小芯片的半导体结构。
技术介绍
与其他半导体(例如，硅(Si)和砷化镓(GaAs))相比，GaN是一种相对较新的技术，但它已成为RF、耗电应用(例如，长距离或高端功率水平下传输信号所需的那些应用)的首选技术。GaN晶体管提供高功率密度、高工作温度、改进的效率、低导通电阻，并且它们可以在20kHz至300GHz范围内的不同频带中工作。图1示出了GaN晶体管2的截面的示意图。GaN层4形成在高电阻率(HR)硅衬底6和氮化铝镓(AlGaN)缓冲层8上。GaN的n个重掺杂(n++)区域10连接到金属触点12(漏极和源极)。栅极14通过薄氮化铝(AIN)层16与GaN层4隔离。绝缘体上硅(S0I)技术用于半导体制造(尤其是微电子学)，以通过具有分层的硅-绝缘体-硅衬底结构(而非块体Si)来减小寄生电容。SOI互补金属氧化物半导体(CMOS)由于其低泄漏能力，在低功率RF收发器的设计中为模拟和数字RF混合电路提供较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于RF应用的半导体结构，包括：/n目标衬底；/n在所述目标衬底上微转印(μTP)的氮化镓(GaN)小芯片，其中，所述小芯片包括GaN器件和虚设金属层。/n

【技术特征摘要】
20200228 GB 2002895.71.一种用于RF应用的半导体结构，包括：
目标衬底；
在所述目标衬底上微转印(μTP)的氮化镓(GaN)小芯片，其中，所述小芯片包括GaN器件和虚设金属层。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述目标衬底是绝缘体上硅(SOI)晶片或管芯。


3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述μTPGaN小芯片包括缓冲层和在所述缓冲层上的GaN层，并且其中，所述缓冲层和所述GaN层的组合厚度小于3μm。


4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述GaN层具有1.8μm的厚度。


5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述虚设金属层具有0.3μm至4μm范围内的厚度。


6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述虚设金属层具有1.25μm的厚度。


7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述虚设金属层基本上对称地布置在所述μTPGaN小芯片上。


8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述GaN器件包括器件金属层，所述器件金属层包括用于连接至所述GaN器件的金属触点，并且其中，所述虚设金属层不接触所述器件金属层。
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【专利技术属性】
技术研发人员：杰罗姆·洛林，伊曼·拉比卜，弗雷德里克·德里列，布莱斯·格朗尚，卢卡斯·伊奥纳普拉特，格雷戈里·乌伦，
申请(专利权)人：XFAB法国有限公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR