量子点发光二极管、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种量子点发光二极管，包括：第一电极、第二电极、设置在第一电极与第二电极之间的量子点发光层、设置在量子点发光层与第一电极之间的至少一层电子传输层，以及设置在最靠近第一电极的电子传输层与量子点发光层之间的电子贡献层；电子贡献层的材料包括金属材料，电子贡献层配置为在第一电极与第二电极之间电场作用下将金属表面的自由电子注入至量子点发光层。本公开实施例还提供了一种显示面板和显示装置。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管、显示面板和显示装置
本公开属于显示
，具体涉及一种量子点发光二极管、显示面板和显示装置。
技术介绍
量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodes，简称QLED)通常包括具有多个量子点纳米晶体的发光层，发光层夹在电子传输层和空穴传输层之间。将电场施加到量子点发光二极管，使电子和空穴移动到发光层中，在发光层中，电子和空穴被捕获在量子点中并被重新组合，发射光子。与有机发光二极管相比，量子点发光二极管的发射光谱更窄。
技术实现思路
本公开提出了一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板和显示装置。第一方面，本公开实施例提供了一种量子点发光二极管，包括：第一电极、第二电极、设置在所述第一电极与所述第二电极之间的量子点发光层、设置在所述量子点发光层与所述第一电极之间的至少一层电子传输层，以及设置在最靠近所述第一电极的所述电子传输层与所述量子点发光层之间的电子贡献层；所述电子贡献层的材料包括金属材料，所述电子贡献层配置为在所述第一电极与所述第二电极之间电场作用下将金属表面的自由电子注入至所述量子点发光层。在一些实施例中，所述金属材料的功函数小于4eV。在一些实施例中，所述金属材料包括：镁、锂、铯中的至少一种。在一些实施例中，所述电子贡献层的厚度包括：1nm～100nm。在一些实施例中，所述电子传输层数量为1层，所述电子贡献层位于所述电子传输层与所述量子点发光层之间。在一些实施例中，所述电子传输层数量为2层，所述电子贡献层位于2层所述电子传输层之间。在一些实施例中，所述量子点发光层的材料包括：磷化铟量子点、磷化铟衍生的核壳结构量子点、镉系蓝光量子点、GaP/ZnSe、CsPbBr3/ZnS中的至少一种；所述电子传输层的材料包括：氧化锌、氧化镁锌、氧化铝锌和氧化镁铝锌中的至少一种。在一些实施例中，还包括空穴传输层和空穴注入层；所述空穴传输层位于所述第二电极与所述量子点发光层之间，所述空穴注入层位于所述第二电极与所述空穴传输层之间。第二方面，本公开实施例还提供了一种显示面板，包括：如上述第一方面提供的量子点发光二极管。第三方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括：如上述第二方面提供的量子点发光二极管。第四方面，本公开实施例还提供了一种如第一方面所述量子点发光二极管的制备方法，包括：形成第一电极、第二电极、量子点发光层、至少一层电子传输层和电子贡献层，所述量子点发光层位于所述第一电极和第二电极之间，所述电子传输层位于所述第一电极与所述量子点发光层之间，电子贡献层位于最靠近所述第一电极的所述电子传输层与所述量子点发光层之间；其中，所述电子贡献层的材料包括金属材料，所述电子贡献层配置为在所述第一电极与所述第二电极之间电场作用下将金属表面的自由电子注入至所述量子点发光层。在一些实施例中，所述电子传输层数量为1层；形成第一电极、第二电极、量子点发光层、至少一层电子传输层和电子贡献层的步骤包括：形成第一电极；在所述第一电极的一侧形成电子传输层；在所述电子传输层背向所述第一电极的一侧形成电子贡献层；在所述电子贡献层背向所述电子传输层的一侧形成量子点发光层；在所述量子点发光层背向所述电子贡献层的一侧形成所述第二电极；或者，形成第二电极；在所述第二电极的一侧形成量子点发光层；在所述量子点发光层背向所述第二电极的一侧形成所述电子贡献层；在所述电子贡献层背向所述量子点发光层的一侧形成电子传输层；在所述电子传输层背向所述电子贡献层的一侧形成第一电极。在一些实施例中，所述电子传输层数量为2层且分别为第一电子传输层和第二电子传输层，所述第一电子传输层比所述第二电子传输层更靠近所述第一电极；形成第一电极、第二电极、量子点发光层、至少一层电子传输层和电子贡献层的步骤包括：形成第一电极；在所述第一电极的一侧形成第一电子传输层；在所述第一电子传输层背向所述第一电极的一侧形成电子贡献层；在所述电子贡献层背向所述第一电子传输层的一侧形成第二电子传输层；在所述第二电子传输层背向所述电子贡献层的一侧形成量子点发光层；在所述量子点发光层背向所述第二电子传输层的一侧形成所述第二电极；或者，形成第二电极；在所述第二电极的一侧形成量子点发光层；在所述量子点发光层背向所述第二电极的一侧形成所述第二电子传输层；在所述第二电子传输层背向所述量子点发光层的一侧形成电子贡献层；在所述电子贡献层背向所述第二电子传输层的一侧形成第一电子传输层；在所述第一电子传输层背向所述电子贡献层的一侧形成第一电极。附图说明图1为本公开实施例提供的一种量子点发光二极管的结构示意图；图2为本公开实施例中一种量子点发光二极管内各膜层的能力结构以及电子贡献原理示意图；图3为本公开实施例提供的另一量子点发光二极管的结构示意图；图4为本公开实施例提供的又一种量子点发光二极管的结构示意图；图5为本公开实施例提供的再一种量子点发光二极管的结构示意图；图6为本公开实施例提供的一种量子点发光二极管的制备方法的流程图；图7a～图7e为采用图6所示制备方法制备量子点发光二极管的中间结构示意图；图8为本公开实施例提供的另一种量子点发光二极管的制备方法的流程图；图9为本公开实施例提供的又一种量子点发光二极管的制备方法的流程图；图10为本公开实施例提供的再一种量子点发光二极管的制备方法的流程图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图对本公开提供的一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板和显示装置进行详细描述。发光器件的基本结构包括：阳极、阴极，以及在阳极和阴极之间的发光层。在外加电压作用下，电子和空穴分别从阴极方向和阳极方向注入，然后迁移并在发光层中相遇复合产生激子，激子的能量以光的形式衰减，即辐射出光。当发光器件为量子点发光二极管时，发光层为量子点发光层；量子点发光层顾名思义其材料为量子点。发光器件可以是正置型发光器件，也可以是倒置型发光器件。其中，发光器件通常包括基底，对于正置型发光器件其阳极较阴极而言更靠近基底；倒置型发光器件其阴极较阳极而言更靠近基底。无论发光器件为正置型发光器件，还是为倒置型发光器件，该发光器件可以是顶发射型发光器件，也可以是底发射型发光器件。其中，当发光器件为正置顶发射型发光器件时，阳极为反射电极，阴极为透射电极；当发光器件为正置底发射型发光器件时，阳极为透射电极，阴极为反射电极；当发光器件为倒置顶发射型发光器件时，阳极为透射电极，阴极为反射电极；当发光器件为倒置底发射型发光器件时，阳极为反射电极，阴极为透射电极。随着发光器件的性能的不断优化，发光器件不仅包含本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：第一电极、第二电极、设置在所述第一电极与所述第二电极之间的量子点发光层、设置在所述量子点发光层与所述第一电极之间的至少一层电子传输层，以及设置在最靠近所述第一电极的所述电子传输层与所述量子点发光层之间的电子贡献层；/n所述电子贡献层的材料包括金属材料，所述电子贡献层配置为在所述第一电极与所述第二电极之间电场作用下将金属表面的自由电子注入至所述量子点发光层。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：第一电极、第二电极、设置在所述第一电极与所述第二电极之间的量子点发光层、设置在所述量子点发光层与所述第一电极之间的至少一层电子传输层，以及设置在最靠近所述第一电极的所述电子传输层与所述量子点发光层之间的电子贡献层；
所述电子贡献层的材料包括金属材料，所述电子贡献层配置为在所述第一电极与所述第二电极之间电场作用下将金属表面的自由电子注入至所述量子点发光层。


2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述金属材料的功函数小于4eV。


3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述金属材料包括：镁、锂、铯中的一种。


4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子贡献层的厚度包括：1nm～100nm。


5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层数量为1层，所述电子贡献层位于所述电子传输层与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯靖雯，张宜驰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11