一种单色偏振式CIS及图像处理方法、存储介质技术

本申请实施例提供了一种单色偏振式CIS及图像处理方法、存储介质，该单色偏振式CIS包括：在预设方向排布至少一个光电二极管PD柱的亚波长像素单元，亚波长像素单元用于利用PD柱吸收预设波长的成像光信号在预设方向偏振的RGB单色光。

【技术实现步骤摘要】
一种单色偏振式CIS及图像处理方法、存储介质分案说明本申请是基于申请号为201910330446.3，申请日为2019年04月23日，专利技术名称为一种单色偏振式CIS及图像处理方法、存储介质的中国专利申请提出的，在该中国专利申请记载的范围内提出分案，该中国专利申请的全部内容再次引入本申请作为参考。
本申请涉及图像处理领域，尤其涉及一种单色偏振式CIS及图像处理方法、存储介质。
技术介绍
互补金属氧化物半导体(CMOS，ComplementaryMetal-OxideSemiconductor)图像传感器(CIS，CMOSImageSensor)具有集成度高、功耗小、速度快和成本低等特点，在高分辨率像素产品方面应用广泛。CIS包括单色偏振和彩色偏振这两种形式，而单色偏振由于无需进行后期的色彩处理，使得单色偏振比彩色偏振的成像效率高，故，单色偏振在实际中的应用更为广泛。现有的单色偏振式CIS的结构如图1所示，包括微透镜阵列、偏振器阵列和像素阵列，其中，每个像素包括一个光电二极管(PD，PhotoDiode)结构，在PD结构上放置一个角度的偏振片，每四个像素分别放置了四个不同角度的偏振片，将每四个像素作为一个计算单元，通过不同方向偏振器之间的关联计算偏振程度和偏振方向，进而根据偏振程度和偏振方向得到偏振图像。然而，现有的单色偏振式CIS需要在四个PD柱上放置四个不同角度的偏振片，其中每个像素只能吸收一个角度的偏振光，当成像光信号的波长小于四个像素的波长之和时，会降低单色偏振式CIS的量子效率。
技术实现思路
本申请实施例提供一种单色偏振式CIS及图像处理方法、存储介质，能够提高单色偏振式CIS的量子效率。本申请的技术方案是这样实现的：本申请实施例提供一种单色偏振式互补金属氧化物半导体图像传感器CIS，其特征在于，所述单色偏振式CIS包括：在预设方向排布至少一个光电二极管PD柱的亚波长像素单元，所述亚波长像素单元用于利用PD柱吸收预设波长的成像光信号在所述预设方向偏振的RGB单色光；与所述亚波长像素单元连接的图像处理器，用于利用所述RGB单色光确定出偏振信息，并基于所述偏振信息得到所述成像光信号对应的偏振图像。在上述单色偏振式CIS中，所述亚波长像素单元的像素尺寸小于所述预设波长。在上述单色偏振式CIS中，所述PD柱的尺寸是基于单色的共振波长和所述成像光信号的折射率确定的，所述PD柱的形状至少包括长方形、圆形、平行四边形和菱形。在上述单色偏振式CIS中，所述PD柱的尺寸度量级别为百纳米级，所述预设方向排布的至少一个PD柱的尺寸和形状相同。在上述单色偏振式CIS中，所述预设方向至少包括0度、45度、90度和135度。在上述单色偏振式CIS中，所述单色偏振式CIS还包括：与所述至少一个PD柱连接的读出电路，所述读出电路与所述图像处理器连接；所述至少一个PD柱，具体用于将所述RGB单色光转换为所述预设方向的电信号；所述读出电路，用于将所述预设方向的电信号转换为数字信号，得到RAW数据，并将所述RAW数据传输至所述图像处理器；所述图像处理器，具体用于通过预设关联方式将所述RAW数据进行关联，得到偏振程度和偏振方向，将所述偏振程度和所述偏振方向作为所述偏振信息，并根据所述偏振信息得到所述偏振图像。在上述单色偏振式CIS中，所述单色偏振式CIS还包括：与所述亚波长像素单元连接的透镜单元；所述透镜单元，用于对所述预设波长的成像光信号进行聚焦。本申请实施例提供一种图像处理方法，应用于单色偏振式CIS，所述单色偏振式CIS上设置有在预设方向排布至少一个PD柱的亚波长像素单元，所述预设方向排布的至少一个PD柱的尺寸和形状相同，所述方法包括：当获取到预设波长的成像光信号时，利用所述亚波长像素单元的至少一个PD柱吸收所述成像光信号在预设方向偏振的RGB单色光；利用所述RGB单色光确定出偏振信息，并基于所述偏振信息得到所述成像光信号对应的偏振图像。在上述方法中，所述利用所述RGB单色光确定出偏振信息，包括：将所述RGB单色光转换为所述预设方向的电信号；将所述预设方向的电信号转换为数字信号，得到RAW数据；通过预设关联方式，将所述RAW数据进行关联，得到所述偏振信息。本申请实施例提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，应用于单色偏振式CIS，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一项所述的方法。本申请实施例提供了一种单色偏振式CIS及图像处理方法、存储介质，该单色偏振式CIS包括：在预设方向排布至少一个光电二极管PD柱的亚波长像素单元，亚波长像素单元用于利用PD柱吸收预设波长的成像光信号在预设方向偏振的RGB单色光；与亚波长像素单元连接的图像处理器，用于利用RGB单色光确定出偏振信息，并基于偏振信息得到成像光信号对应的偏振图像。采用上述单色偏振式CIS实现方案，每个亚波长像素单元能够吸收多个角度偏振的单色光，且亚波长像素单元的波长小于成像光信号的预设波长，使得提高了单色偏振式CIS的量子效率；PD柱的结构能够实现光学共振，其吸收效率远高于传统的PD结构，进而能够提高单色偏振式CIS的量子效率。附图说明图1为现有技术提出的一种单色偏振式CIS的结构示意图；图2为本申请实施例提供的一种单色偏振式CIS的结构示意图；图3为本申请实施例提供的一种示例性的亚波长像素单元10的PD柱排布图；图4为本申请实施例提供的一种图像处理方法的流程图。具体实施方式应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请。并不用于限定本申请。实施例一本申请实施例提供一种单色偏振式互补金属氧化物半导体图像传感器CIS1，如图2所示，该单色偏振式CIS1可以包括：在预设方向排布至少一个光电二极管PD柱100的亚波长像素单元10，所述亚波长像素单元用于利用PD柱100吸收预设波长的成像光信号在所述预设方向偏振的RGB单色光；与所述亚波长像素单元10连接的图像处理器11，用于利用所述RGB单色光确定出偏振信息，并基于所述偏振信息得到所述成像光信号对应的偏振图像。本申请实施例中，亚波长像素单元10的像素尺寸小于成像光信号对应的预设波长；示例性的，在实际情况下，成像光信号对应的预设波长为400nm，故，亚波长像素单元10的像素小于或者等于400nm。本申请实施例中，每个亚波长像素单元10内沿着预设方向排布至少一个PD柱，多个亚波长像素单元10组成了亚波长像素阵列，其中亚波长像素阵列可以按照一定的排布规则对亚波长像素单元10进行排布，例如：亚波长像素阵列中的每一行像素单元对应吸收RGB的一个颜色、或者亚波长像素阵列中的每一行像素单元对应吸收一个角度的RGB，具体的根据实际情况进行选择，本申请实施例不做具体的限定。本申请实施例中，在一个亚波长像素单元10中，可以在每本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单色偏振式互补金属氧化物半导体图像传感器CIS，其特征在于，所述单色偏振式CIS包括：/n在预设方向排布至少一个光电二极管PD柱的亚波长像素单元，所述亚波长像素单元用于利用PD柱吸收预设波长的成像光信号在所述预设方向偏振的RGB单色光。/n

【技术特征摘要】
1.一种单色偏振式互补金属氧化物半导体图像传感器CIS，其特征在于，所述单色偏振式CIS包括：
在预设方向排布至少一个光电二极管PD柱的亚波长像素单元，所述亚波长像素单元用于利用PD柱吸收预设波长的成像光信号在所述预设方向偏振的RGB单色光。


2.根据权利要求1所述的单色偏振式CIS，其特征在于，所述亚波长像素单元的像素尺寸小于所述预设波长。


3.根据权利要求1所述的单色偏振式CIS，其特征在于，所述PD柱的尺寸是基于单色的共振波长和所述成像光信号的折射率确定的，所述PD柱的形状至少包括长方形、圆形、平行四边形和菱形。


4.根据权利要求1或3所述的单色偏振式CIS，其特征在于，所述PD柱的尺寸度量级别为百纳米级，所述预设方向排布的至少一个PD柱的尺寸和形状相同。


5.根据权利要求1所述的单色偏振式CIS，其特征在于，所述预设方向至少包括0度、45度、90度和135度。


6.根据权利要求1所述的单色偏振式CIS，其特征在于，所述单色偏振式CIS还包括：与所述亚波长像素单元连接的图像处理器，用于利用所述RGB单色光确定出偏振信息，并基于所述偏振信息得到所述成像光信号对应的偏振图像。


7.根据权利要求6所述的单色偏振式CIS，其特征在于，所述单色偏振式CIS还包括：与所述至少一个PD柱连接的读出电路，所述读出电路与所述图像处理器连接；
所述至少一个PD柱，具体用于将所述RGB单色光转换为所述预设方向的电信号；
所述读出电路，用于将所述预设方向的电信号转换为数字信号，得到RAW数据，并将所述RAW数据传输至所述图像处...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨鑫，
申请(专利权)人：OPPO广东移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44