触控显示装置、触控显示面板、触控模组及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种触控显示装置、触控显示面板、触控模组及其制作方法，包括基板以及依次位于基板一侧的第一消影层、触控电极层、第二消影层和架桥层；触控电极层包括多个第一触控电极；架桥层包括多个架桥，架桥通过贯穿第二消影层的过孔连接相邻的两个第一触控电极。由于触控电极层和基板之间具有第一消影层，触控电极层和架桥层之间具有第二消影层，即触控电极层上下两侧都具有消影层，因此，更好地降低触控电极与其他区域(如刻缝)的色差，更好地实现触控电极图案的消影，即，使得触控电极的图案更不容易被人眼察觉。

【技术实现步骤摘要】
触控显示装置、触控显示面板、触控模组及其制作方法
本专利技术涉及显示
，更具体地说，涉及一种触控显示装置、触控显示面板、触控模组及其制作方法。
技术介绍
随着科学技术的不断进步，越来越多的具有触控功能的显示设备被广泛地应用在人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为了当今人们工作和生活不可或缺的工具。其中，显示设备实现触控功能的主要部件是触控模组，触控模组包括多个触控电极。手指触摸触控模组时，通过判断触控电极之间或触控电极与地之间的电容变化，根据电容的变化，通过IC计算得出手指的触控位置。但是，由于触控层采用的是图案化设计，导致相邻触控电极之间具有刻缝，且触控电极和刻缝反射至人眼的光线的光路差不一样。由于触控电极采用图案化的设计，在膜层垂直堆叠方向上，就会产生膜层结构的差异，进而导致反射光的差异，形成色差。由于触控电极和刻缝之间具有色差，导致触控电极的图案容易被人眼察觉到，影响显示设备画面的清晰度。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种触控显示装置、触控显示面板、触控模组及其制作方法，以降低触控模组中触控电极与刻缝之间的色差。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种触控模组，包括基板以及依次位于基板一侧的第一消影层、触控电极层、第二消影层和架桥层；触控电极层包括多个第一触控电极；架桥层包括多个架桥，架桥通过贯穿第二消影层的过孔连接相邻的两个第一触控电极。一种触控显示面板，包括显示模组和如上所述的触控模组，触控模组位于显示模组的出光侧；触控模组中的触控电极层的折射率大于消影层的折射率。一种触控显示装置，包括如上所述的触控显示面板。一种触控模组的制作方法，包括：提供基板；在所述基板上依次形成第一消影层和触控电极层；采用第一掩膜版对所述触控电极层刻蚀形成多个第一触控电极；在所述触控电极层远离所述基板的一侧形成第二消影层；采用第二掩膜版对所述第二消影层刻蚀形成贯穿所述第二消影层的通孔；在所述通孔内填充导电材料形成过孔，并在所述第二消影层表面形成架桥层，采用第三掩膜板对所述架桥层进行刻蚀形成多个架桥，所述架桥通过所述过孔连接相邻的两个所述第一触控电极。与现有技术相比，本专利技术所提供的技术方案具有以下优点：本专利技术所提供的触控显示装置、触控显示面板、触控模组及其制作方法，由于触控电极层和基板之间具有第一消影层，触控电极层和架桥层之间具有第二消影层，即触控电极层上下两侧都具有消影层，因此，可以更好地降低触控电极与触控电极之外其他区域(如刻缝)的色差，如可以采用ITO(氧化铟锡)作为触控电极层，触控电极层需要设置刻缝形成触控电极，本申请技术方案能够降低触控电极层中有ITO的区域与无ITO刻缝之间的色差，更好地实现触控电极图案的消影，即，使得触控电极的图案更不容易被人眼察觉。并且，由于架桥层和触控电极层之间具有第二消影层，因此，不仅可以通过第二消影层使得架桥和触控电极之间绝缘，而且可以通过加厚第二消影层，使得触控模组自身的电容较小，使得触控模组的触控灵敏度较高。进一步的，相比于现有技术中仅通过绝缘层或是消影层作为跨桥层和触控电极层绝缘的方案，本申请可以在跨桥层和触控电极层之间再设置绝缘层，使得触控电极层和跨桥层之间电容更小，进而使得触控检测更加灵敏。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术一个实施例提供的触控模组的平面结构示意图；图2为图1所示的触控模组沿切割线AA’的剖面结构示意图；图3为本专利技术另一实施例提供的触控模组的平面结构示意图；图4为本专利技术另一实施例提供的触控模组的平面结构示意图；图5为本专利技术另一实施例提供的触控模组的剖面结构示意图；图6为本专利技术另一实施例提供的触控模组的剖面结构示意图；图7为本专利技术另一实施例提供的触控模组的剖面结构示意图；图8为本专利技术另一实施例提供的触控模组的剖面结构示意图；图9为本专利技术另一实施例提供的触控模组的剖面结构示意图；图10为本专利技术另一实施例提供的触控模组的剖面结构示意图；图11为本专利技术另一实施例提供的触控模组的剖面结构示意图；图12为本专利技术另一实施例提供的触控模组的剖面结构示意图；图13为本专利技术另一实施例提供的触控模组的剖面结构示意图；图14为本专利技术另一实施例提供的触控模组的剖面结构示意图；图15为本专利技术另一实施例提供的触控模组的剖面结构示意图；图16为本专利技术另一实施例提供的触控模组的剖面结构示意图；图17为本申请实施例提供的一种微凸起结构的示意图；图18为本申请另一实施例提供的一种微凸起结构的示意图；图19为本申请另一实施例提供的一种微凸起结构的示意图；图20为本申请另一实施例提供的一种微凸起结构的示意图；图21为本申请另一实施例提供的一种微凸起结构的示意图；图22为大张玻璃制作多个触控模组的平面结构示意图；图23为本专利技术一个实施例提供的触控显示面板的剖面结构示意图；图24为本专利技术一个实施例提供的显示装置的结构示意图；图25为本专利技术一个实施例提供的触控模组的制作方法的流程图。具体实施方式以上是本专利技术的核心思想，为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供了一种触控模组，如图1和图2所示，图1为本专利技术一个实施例提供的触控模组的平面结构示意图，图2为图1所示的触控模组沿切割线AA’的剖面结构示意图，该触控模组包括基板10以及依次位于基板一侧的第一消影层20、触控电极层30、第二消影层40和架桥层50，当然，架桥层50背离基板10的一侧还可以具有保护层或盖板等，在此不再赘述。需要说明的是，图1为触控模组的俯视图，为了在俯视图中展示基板10、第一消影层20、第二消影层40，将三者的边界以阶梯状示意，实际产品中，三者边界可以是重合的。其中，触控电极层30包括多个第一触控电极301；架桥层50包括多个架桥501，架桥501通过贯穿第二消影层40的过孔502连接相邻的两个第一触控电极301，架桥501能够连接在第二方向上同一第一触控电极301中相邻的两个原本不相连的第一触控电极301。需要说明的是，本专利技术实施例中，触控电极层30的折射率大于与其接触的第一消影层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种触控模组，其特征在于，包括基板以及依次位于所述基板一侧的第一消影层、触控电极层、第二消影层和架桥层；/n所述触控电极层包括多个第一触控电极；/n所述架桥层包括多个架桥，所述架桥通过贯穿所述第二消影层的过孔连接相邻的两个所述第一触控电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种触控模组，其特征在于，包括基板以及依次位于所述基板一侧的第一消影层、触控电极层、第二消影层和架桥层；
所述触控电极层包括多个第一触控电极；
所述架桥层包括多个架桥，所述架桥通过贯穿所述第二消影层的过孔连接相邻的两个所述第一触控电极。


2.根据权利要求1所述的触控模组，其特征在于，还包括绝缘层；所述绝缘层位于所述第二消影层和所述架桥层之间；所述架桥通过贯穿所述第二消影层和所述绝缘层的过孔连接相邻的两个所述第一触控电极。


3.根据权利要求1或2所述的触控模组，其特征在于，所述第一消影层包括至少一层第一子消影层和至少一层第二子消影层；
所述第一子消影层的折射率小于所述第二子消影层的折射率；所述第一子消影层和所述第二子消影层在垂直于所述基板的方向上交替排列，且所述第一子消影层位于所述触控电极层和所述第二子消影层之间。


4.根据权利要求3所述的触控模组，其特征在于，所述第一子消影层的材料包括氧化硅；所述第二子消影层的材料包括氮化硅；
所述第一子消影层的厚度范围为250埃～300埃；所述第二子消影层的厚度范围为250埃～300埃。


5.根据权利要求1或2所述的触控模组，其特征在于，所述第二消影层包括至少一层第三子消影层和至少一层第四子消影层；
所述第三子消影层的折射率小于所述第四子消影层的折射率；所述第三子消影层和所述第四子消影层在垂直于所述基板的方向上交替排列，且所述第三子消影层位于所述触控电极层和所述第四子消影层之间。


6.根据权利要求5所述的触控模组，其特征在于，所述第三子消影层的材料包括氧化硅；所述第四子消影层的材料包括氮化硅；
所述第三子消影层的厚度范围为250埃～300埃；所述第四子消影层的厚度范围为250埃～430埃。


7.根据权利要求1或2所述的触控模组，其特征在于，所述触控模组还包括至少一层第三消影层，所述至少一层第三消影层位于所述第二消影层和所述架桥层之间，所述第三消影层的厚度大于所述第二消影层的厚度。


8.根据权利要求7所述的触控模组，其特征在于，所述第三消影层包括至少一层第五子消影层和至少一层第六子消影层；
所述第五子消影层的折射率小于所述第六子消影层的折射率；所述第五子消影层和所述第六子消影层在垂直于所述基板的方向上交替排列，且所述第五子消影层位于所述触控电极层和所述第六子消影层之间。


9.根据权利要求8所述的触控模组，其特征在于，所述第五子消影层的材料包括氧化硅；所述第六子消影层的材料包括氮化硅；
所述第五子消影层的厚度范围为450埃～550埃；所述第六子消影层的厚度范围为250埃～270埃。


10.根据权利要求1或2所述的触控模组，其特征在于，还包括位于所述架桥层背离所述基板一侧的第四消影层。


11.根据权利要求2所述的触控模组，其特征在于，所述第二消影层和所述绝缘层均包括台阶区，所述台阶区暴露出所述触控电极层中的连接端子，以使所述连接端子与外界电路相连；
所述第二消影层和所述绝缘层共用同一掩膜板。


12.根据权利要求2所述的触控模组，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅或OC材料。


13.根据权利要求12所述的触控模组，其特征在于，所述氧化硅的厚度范围为3000埃～4000埃；所述OC材料的厚度范围为12500埃～20000埃。


14.根据权利要求1所述的触控模组，其特征在于，所述触控电极层的厚度范围为500埃～1350埃。


15.根据权利要求1所述的触控模组，其特征在于，所述触控电极层的厚度范围为900埃～1200埃，所述架桥层的厚度范围为1100埃～1350埃。


16.根据权利要求1所述的触控模组，其特征在于，所述触控电极层还包括多个第二触控电极条；所述第二触控电极条沿第一方向延伸，所述多个第二触控电极条沿第二方向依次排列；所述第二触控电极条包括多个在所述第一方向上一体连接的第二触控电极；
所述多个第一触控电极阵列排布，在所述第二方向上相邻的第一触控电极通过所述架桥和所述过孔依次连接；在所述第二方向上依次...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海泉，丁一淼，周俊，王丽花，张珊珊，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31