一种耐磨防滑半导体新材料制备设备制造技术

本发明专利技术公开了一种耐磨防滑半导体新材料制备设备，其结构包括支架、控制台、输送台、毛刷，控制台底部焊接在支架靠近背面的顶部位置，输送台设在控制台前方，由于硅晶板表面的毛刺掉落在转动杆表面，少部分残留在转动杆外壁，通过清除机构与转动杆活动配合，清除块将转动杆外壁的毛刺清除，并收集在收集块内部，能够减少毛刺残留在转动杆外壁，减小转动杆与硅晶板底面的摩擦力，减少硅晶板底面出现划痕，有利于硅晶板正常使用，由于毛刺为蓬松状，堆积在收集块时，导致收集块内部的容积减小，通过在收集块内部设有推板，通过推板上下摆动将收集块内部的毛刺撞击压实，能够增大收集块内部的容积，增大收集块对毛刺收集的量。

【技术实现步骤摘要】
一种耐磨防滑半导体新材料制备设备
本专利技术属于半导体新材料制备领域，更具体的说，尤其涉及到一种耐磨防滑半导体新材料制备设备。
技术介绍
由于半导体材料的导电性可控，且种类多样，其中硅晶板便是半导体材料一种，常将硅材料加工制备成为硅晶板使用，对体积较大的硅晶板切割后，硅晶板表面存在毛刺，通过抛光机对硅晶板表面的毛刺抛光处理，转动杆不断转动将硅晶板往前输送，使得毛刷不断与硅晶板表面接触将毛刺清除；现有技术中采用抛光机对硅晶板抛光处理时，由于硅晶板表面的毛刺掉落在转动杆表面，少部分残留在转动杆外壁，当硅晶板的底面为光滑的表面时，硅晶板底面与转动杆配合摩擦，导致硅晶板底面出现划痕的现象，而底面不完整，影响硅晶板的正常使用。
技术实现思路
为了解决上述技术采用抛光机对硅晶板抛光处理时，由于硅晶板表面的毛刺掉落在转动杆表面，少部分残留在转动杆外壁，当硅晶板的底面为光滑的表面时，硅晶板底面与转动杆配合摩擦，导致硅晶板底面出现划痕的现象，而底面不完整，影响硅晶板的正常使用，本专利技术提供一种耐磨防滑半导体新材料制备设备。为了实现上述目的，本专利技术是通过如下的技术方案来实现：一种耐磨防滑半导体新材料制备设备，其结构包括支架、控制台、输送台、毛刷，所述控制台底部焊接在支架靠近背面的顶部位置，所述输送台设在控制台前方，所述毛刷背端与控制台正面中部活动配合。所述输送台包括侧板、转动杆、清除机构，所述转动杆两端与侧板内侧表面铰链连接，所述清除机构位于转动杆下方。作为本专利技术的进一步改进，所述清除机构包括收集块、接触板、衔接轴、支撑条，所述接触板底端通过衔接轴与收集块靠近左右两侧位置顶部铰链连接，所述支撑条安装在接触板外侧的表面，所述收集块上表面为凹陷的光滑弧面。作为本专利技术的进一步改进，所述接触板包括清除块、支板、活动腔，所述支板顶端与清除块底面相连接，所述活动腔由外往内开设在支板左侧表面，所述清除块为海绵材质，所述活动腔设有三个。作为本专利技术的进一步改进，所述活动腔包括套管、限位块、活动球、连接条，所述限位块分别与套管左端上下侧内壁连为一体，所述活动球位于限位块右侧，所述连接条左端安装在活动球中部，且右端与套管右侧内壁相连接，所述连接条为橡胶材质。作为本专利技术的进一步改进，所述活动球包括球体、反弹杆、转动环，所述反弹杆内端固定在球体外壁，所述转动环中部与反弹杆外端铰链连接，所述反弹杆为橡胶材质。作为本专利技术的进一步改进，所述收集块包括框架、开口、推板、推条，所述开口贯穿框架上表面中部位置及内壁之间，所述推板外端分别与框架靠近顶部的两侧内壁衔接连接，所述推条底端与推板上表面相连接，所述框架内部为空心结构，且内底部为凹陷的半圆槽。作为本专利技术的进一步改进，所述推板包括板体、内腔、弹跳球、压块，所述内腔开设在板体内部，所述弹跳球设置在内腔内部，所述压块嵌套在板体底面位置，且夹在内腔之间，所述弹跳球设有三个。作为本专利技术的进一步改进，所述压块包括块体、弹块、撞击块，所述弹块嵌套在块体底面位置，所述撞击块顶端与弹块底面相连接，所述撞击块为金属材质的三角块。有益效果与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：1、由于硅晶板表面的毛刺掉落在转动杆表面，少部分残留在转动杆外壁，通过清除机构与转动杆活动配合，清除块将转动杆外壁的毛刺清除，并收集在收集块内部，能够减少毛刺残留在转动杆外壁，减小转动杆与硅晶板底面的摩擦力，减少硅晶板底面出现划痕，有利于硅晶板正常使用。2、由于毛刺为蓬松状，堆积在收集块时，导致收集块内部的容积减小，通过在收集块内部设有推板，通过推板上下摆动将收集块内部的毛刺撞击压实，能够增大收集块内部的容积，增大收集块对毛刺收集的量。附图说明图1为本专利技术一种耐磨防滑半导体新材料制备设备的结构示意图。图2为本专利技术一种输送台俯视及侧视的结构示意图。图3为本专利技术一种清除机构侧面剖视的结构示意图。图4为本专利技术一种接触板侧面剖视的结构示意图。图5为本专利技术一种活动腔内部侧视的结构示意图。图6为本专利技术一种活动球侧面剖视的结构示意图。图7为本专利技术一种收集块侧面剖视的结构示意图。图8为本专利技术一种推板侧面剖视的结构示意图。图9为本专利技术一种压块侧视的结构示意图。图中：支架-1、控制台-2、输送台-3、毛刷-4、侧板-31、转动杆-32、清除机构-33、收集块-331、接触板-332、衔接轴-333、支撑条-334、清除块-33a、支板-33b、活动腔-33c、套管-c1、限位块-c2、活动球-c3、连接条-c4、球体-c31、反弹杆-c32、转动环-c33、框架-31a、开口-31b、推板-31c、推条-31d、板体-r1、内腔-r2、弹跳球-r3、压块-r4、块体-r41、弹块-r42、撞击块-r43。具体实施方式以下结合附图对本专利技术做进一步描述：实施例1：如附图1至附图6所示：本专利技术提供一种耐磨防滑半导体新材料制备设备，其结构包括支架1、控制台2、输送台3、毛刷4，所述控制台2底部焊接在支架1靠近背面的顶部位置，所述输送台3设在控制台2前方，所述毛刷4背端与控制台2正面中部活动配合。所述输送台3包括侧板31、转动杆32、清除机构33，所述转动杆32两端与侧板31内侧表面铰链连接，所述清除机构33位于转动杆32下方。其中，所述清除机构33包括收集块331、接触板332、衔接轴333、支撑条334，所述接触板332底端通过衔接轴333与收集块331靠近左右两侧位置顶部铰链连接，所述支撑条334安装在接触板332外侧的表面，所述收集块331上表面为凹陷的光滑弧面，能够减小收集块331上表面对毛刺的阻力，有利于毛刺沿着收集块331上表面的弧面流动至收集块331内部收集。其中，所述接触板332包括清除块33a、支板33b、活动腔33c，所述支板33b顶端与清除块33a底面相连接，所述活动腔33c由外往内开设在支板33b左侧表面，所述清除块33a为海绵材质，具有清洁性和缓冲性，能够充分将转动杆32外壁的毛刺清除，同时能够减小接触板332对转动杆32外壁的撞击力，减少转动杆32外壁出现形变，所述活动腔33c设有三个，有利于增大活动腔33c内部的气流扩散的面积，通过气流将收集块331上表面的毛刺吹动流动至收集块331内部。其中，所述活动腔33c包括套管c1、限位块c2、活动球c3、连接条c4，所述限位块c2分别与套管c1左端上下侧内壁连为一体，所述活动球c3位于限位块c2右侧，所述连接条c4左端安装在活动球c3中部，且右端与套管c1右侧内壁相连接，所述连接条c4为橡胶材质，具有伸缩性，有利于连接条c4随着活动球c3移动而扩张，当连接条c4扩张一定的长度后快速复位产生拉力，通过连接条c4将活动球c3拉动复位，有利于活动球c3在活动腔33c内部来回移动，加快气流的扩散速度。其中，所述活动球c3包括球体c31、反弹杆c32、转动环c33，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耐磨防滑半导体新材料制备设备，其结构包括支架(1)、控制台(2)、输送台(3)、毛刷(4)，所述控制台(2)底部焊接在支架(1)靠近背面的顶部位置，所述输送台(3)设在控制台(2)前方，所述毛刷(4)背端与控制台(2)正面中部活动配合，其特征在于：/n所述输送台(3)包括侧板(31)、转动杆(32)、清除机构(33)，所述转动杆(32)两端与侧板(31)内侧表面铰链连接，所述清除机构(33)位于转动杆(32)下方。/n

【技术特征摘要】
1.一种耐磨防滑半导体新材料制备设备，其结构包括支架(1)、控制台(2)、输送台(3)、毛刷(4)，所述控制台(2)底部焊接在支架(1)靠近背面的顶部位置，所述输送台(3)设在控制台(2)前方，所述毛刷(4)背端与控制台(2)正面中部活动配合，其特征在于：
所述输送台(3)包括侧板(31)、转动杆(32)、清除机构(33)，所述转动杆(32)两端与侧板(31)内侧表面铰链连接，所述清除机构(33)位于转动杆(32)下方。


2.根据权利要求1所述的一种耐磨防滑半导体新材料制备设备，其特征在于：所述清除机构(33)包括收集块(331)、接触板(332)、衔接轴(333)、支撑条(334)，所述接触板(332)底端通过衔接轴(333)与收集块(331)靠近左右两侧位置顶部铰链连接，所述支撑条(334)安装在接触板(332)外侧的表面。


3.根据权利要求2所述的一种耐磨防滑半导体新材料制备设备，其特征在于：所述接触板(332)包括清除块(33a)、支板(33b)、活动腔(33c)，所述支板(33b)顶端与清除块(33a)底面相连接，所述活动腔(33c)由外往内开设在支板(33b)左侧表面。


4.根据权利要求3所述的一种耐磨防滑半导体新材料制备设备，其特征在于：所述活动腔(33c)包括套管(c1)、限位块(c2)、活动球(c3)、连接条(c4)，所述限位块(c2)分别与套管(c1)左端上下侧内壁连为一体，所述活动球(c3)位于限位块(c2...

【专利技术属性】
技术研发人员：林丽坪，
申请(专利权)人：林丽坪，
类型：发明
国别省市：福建;35