基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路制造技术

一种基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路，包括电源E、电容C、P沟道MOS管、N沟道MOS管以及负载L，电源E的正极分别连接电容C的正极、P沟道MOS管的源极、负载L的正极，P沟道MOS管的漏极连接N沟道MOS管的栅极，N沟道MOS管的漏极连接负载L的负极，电源E的负极分别连接电容C的负极、P沟道MOS管的栅极、N沟道MOS管的源极，当电源E反接时，N沟道MOS管会关断，电路回路切断，从而实现了防反接保护功能；本实用新型专利技术电路简单、元器件数量较少、导通关断内阻较小、增加了可模块化的功能，有效的减少了二极管压降过大时，会造成电源功率的损失以及电压降低的情况，能够替用户减少较多的损失。

【技术实现步骤摘要】
基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路
本技术涉及一种电源防反接电路，具体为一种基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路，属于电源保护

技术介绍
当今社会中小型设备已经充斥在人们的生活当中，供电源的便捷更换是小型设备的一大优点，但是在日常生活中，用户在没有分清楚电池极性的情况下盲目的加入供电源会有可能导致电源的反接。电源反接的危害在日常生活中最直接的就是导致负载及用电器的损坏以及部分元器件的烧毁，并且在负载功率较大的情况下容易发生火灾隐患。目前市面上一般都是针对于负载进行的反接保护，而对于电源模块来说，通常是使用串联一个二极管或者二极管桥来达到电源反接时电路关断的目的，但是当二极管压降过大时，会造成电源功率的损失以及电压的降低。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的问题，本技术提供一种基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路，能够解决电源部分由于串联二极管或者二极管桥造成的功率损耗及电压降低的问题，在最大限度上避免电源的功率损失及电压降低，且能够保证直流低压电源反接时负载的安全。为了实现上述目的，本技术提供一种基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路，包括电源E、电容C、P沟道MOS管、N沟道MOS管以及负载L，电源E的正极分别连接电容C的正极、P沟道MOS管的源极、负载L的正极，P沟道MOS管的漏极连接N沟道MOS管的栅极，N沟道MOS管的漏极连接负载L的负极，电源E的负极分别连接电容C的负极、P沟道MOS管的栅极、N沟道MOS管的源极。>作为本技术的进一步改进，还包括电阻R，电阻R连接在P沟道MOS管的栅极与电源E的负极之间。作为本技术的进一步改进，P沟道MOS管的型号为AO3409，N沟道MOS管的型号为IRLR7843。与现有技术相比，本技术电源E的正极分别连接电容C的正极、P沟道MOS管的源极、负载L的正极，P沟道MOS管的漏极连接N沟道MOS管的栅极，N沟道MOS管的漏极连接负载L的负极，电源E的负极分别连接电容C的负极、P沟道MOS管的栅极、N沟道MOS管的源极，当电源E反接时，N沟道MOS管会关断，电路回路切断，从而实现了防反接保护功能；本技术电路简单、元器件数量较少、导通关断内阻较小、增加了可模块化的功能，有效的减少了二极管压降过大时，会造成电源功率的损失以及电压降低的情况，能够替用户减少较多的损失。附图说明图1为本技术的电路原理框图。具体实施方式下面结合附图对本技术作进一步说明。如图1所示，一种基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路，包括电源E、电容C、P沟道MOS管、N沟道MOS管以及负载L，电源E的正极分别连接电容C的正极、P沟道MOS管的源极、负载L的正极，P沟道MOS管的漏极连接N沟道MOS管的栅极，N沟道MOS管的漏极连接负载L的负极，电源E的负极分别连接电容C的负极、P沟道MOS管的栅极、N沟道MOS管的源极。本技术还包括反接保护电阻R，电阻R连接在P沟道MOS管的栅极与电源E的负极之间，可以进一步起到防反接保护的作用。P沟道MOS管的型号为AO3409，N沟道MOS管的型号为IRLR7843。图1中这些元件的阻值均是公知常识，本领域技术人员可以根据需要对各个元件的参数进行调整。工作原理：本技术的防反接电路在电源E正负极性反接后会将电路关断，从而防止电源E反接对负载L模块造成的损坏，其电路主要应用于双节锂电池组成的8.7V及以下直流低压电源；所述电路主要是由双节锂电池串联的直流低压电源、P沟道MOS管AO3409、N沟道MOS管IRLR7843、电容C、电阻R及负载L组成，其中电源E及负载L主要是作为电路功能体现的附加模块，主要功能由双MOS管(P沟道MOS管、N沟道MOS管)组成的电路完成，N沟道MOS管作为主控MOS晶体管，其源极(S)及漏极(D)串联在所述电路的负极，栅极(G)与P沟道MOS管的漏极(D)相连，而P沟道MOS管的栅极(G)连接在电源E的负极与N沟道MOS管的源极(S)之间。当电源E正接时，P沟道MOS管栅极(G)接地，源极(S)接电源正极，栅源电压小于阈值电压，P沟道MOS管开启，则N沟道MOS管的栅极(G)此时电压为正极电源电压，栅源电压大于阈值电压，N沟道MOS管开启，电路构成回路，负载L能够正常工作；若电源E反接时，P沟道MOS管栅极(G)电压高于源极(S)电压，栅源电压高于阈值电压，则P沟道MOS管关断，从而N沟道MOS管栅极为低电压，其栅源电压低于阈值电压，N沟道MOS管关闭，电路回路从而关断，保护了负载L，避免电源反接所造成的负载损坏及烧毁。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路，其特征在于，包括电源E、电容C、P沟道MOS管、N沟道MOS管以及负载L，电源E的正极分别连接电容C的正极、P沟道MOS管的源极、负载L的正极，P沟道MOS管的漏极连接N沟道MOS管的栅极，N沟道MOS管的漏极连接负载L的负极，电源E的负极分别连接电容C的负极、P沟道MOS管的栅极、N沟道MOS管的源极。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于场效应管双沟道组合的直流低压电源防反接电路，其特征在于，包括电源E、电容C、P沟道MOS管、N沟道MOS管以及负载L，电源E的正极分别连接电容C的正极、P沟道MOS管的源极、负载L的正极，P沟道MOS管的漏极连接N沟道MOS管的栅极，N沟道MOS管的漏极连接负载L的负极，电源E的负极分别连接电容C的负极、P沟道MOS管的栅极、N沟道MOS管的源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈泉江，宋靖男，刘伊博，王鹏，李保忠，
申请(专利权)人：洛阳智能农业装备研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41