混合腔体、滤波器和通信基站制造技术

本发明专利技术涉及一种混合腔体、滤波器和通信基站，包括叠置固定在一起的介质块和金属腔，所述介质块的上表面和侧面金属化，下表面设有金属化的谐振盘；所述金属腔上设有空腔，该空腔内设有金属谐振杆，所述谐振杆与所述谐振盘固定连接，所述介质块和金属腔之间形成金属介质混合谐振腔。本发明专利技术结构紧凑，其寄生谐波远离基模，可以更灵活实现各种交叉耦合，带外抑制性能更优，强度更高。

【技术实现步骤摘要】
混合腔体、滤波器和通信基站
本专利技术涉及一种通信设备，特别是涉及滤波器耦合技术。
技术介绍
随着5G通信系统的建设，其设备对集成度要求越来越高，微波滤波器的小型化，轻量化是未来的应用趋势，介质波导具有高Q值，温漂小等优点，是一种很好的滤波器小型化解决方案。现有的介质波导滤波器通常是单层结构，其实现容性交叉耦合结构采用频变结构会在通带外引入谐振峰，采用飞杆衍生结构加工会增加产品的零部件和工序，且现有的单层滤波器不易实现不对称传输零点。此外，单层结构还具有结构不紧凑，形式单一等的缺点。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提出一种能简单实现容性和感性耦合，其寄生谐波远离基模，可以更灵活实现各种交叉耦合而且结构紧凑的混合腔体结构、滤波器和通信基站。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案为：提供一种混合腔体，包括叠置固定在一起的介质块和金属腔，所述介质块的上表面以及侧面覆盖金属化层，下表面设有至少一个金属化的谐振盘；所述金属腔上设有至少空腔，该空腔内设有金属谐振杆，所述谐振杆与所述谐振盘固定连接，所述介质块和金属腔之间形成金属介质混合谐振腔。进一步地：所述谐振盘中设有凹孔，该凹孔表面覆盖金属化层；相对应地，所述谐振杆高出金属腔的表面，该谐振杆高出金属腔表面的部分嵌入所述谐振盘的凹孔内。所述介质块的下表面设有至少两个金属化的谐振盘；所述金属腔上表面相对应地设有至少两个空腔，所述介质块和金属腔之间形成至少两个金属介质混合谐振腔，相邻谐振腔之间形成感性耦合或容性耦合。所述金属腔上的相邻空腔之间开有窗口，相邻所述谐振腔之间通过所述窗口形成感性耦合。所述介质块下表面的相邻谐振盘之间设置有用于调节相邻谐振腔之间的容性耦合量的耦合盘。所述耦合盘与谐振盘相连。所述介质块的上表面对应所述谐振杆或凹孔的位置设有用于调节所对应的谐振腔频率的调谐孔。所述介质块上的相邻谐振盘之间设有用于调节相应相邻谐振腔之间的耦合量的耦合槽。所述耦合槽贯穿所述介质块。所述介质块和金属腔之间至少包括两行、至少两列谐振腔，位于第一行的相邻两个谐振腔之间形成感性耦合，位于第二行的相邻两个谐振腔之间形成感性耦合，一列两个谐振腔之间设有容性耦合结构，与该列谐振腔相邻的另一列两个谐振腔之间设有感性耦合结构，两行的相邻两列谐振腔之间形成四腔交叉耦合结构。所述介质块和金属腔之间包括六个谐振腔，分两行排列，形成三列谐振腔，所述滤波器第一行的第一谐振腔和第二谐振腔之间，第二行的第一谐振腔和第二谐振腔之间以及第一行的第一谐振腔与第二行的第一谐振腔之间通过金属腔上的相邻空腔之间的窗口形成感性耦合，第一行的第二谐振腔与第二行的第二谐振腔之间通过两者之间的耦合盘形成的电容形成容性耦合；所述第一行的第一谐振腔和第二谐振腔，与第二行的第一谐振腔和第二谐振腔四者之间形成四腔交叉耦合结构；第一行的第三谐振腔和第二谐振腔之间，第二行的第三谐振腔和第二谐振腔之间以及第一行的第三谐振腔与第二行的第三谐振腔之间通过金属腔上的相邻空腔之间的窗口形成感性耦合，第一行的第二谐振腔与第二行的第二谐振腔之间形成容性耦合，第一行的第二谐振腔和第三谐振腔，与第二行的第二谐振腔和第三谐振腔四者之间形成另一四腔交叉耦合结构。还包括信号输入端和输出端，该输入端和输出端均由设置在金属腔内的空腔内的金属杆与介质块表面的金属化盘连接形成。提供一种滤波器包括如上所述的混合腔体。提供一种通信基站，包括如上所述的滤波器。本专利技术通过叠置的介质块和金属腔之间形成金属介质混合谐振腔，谐振腔之间可以能简单实现强容性和感性耦合，其寄生谐波远离基模，可以更灵活实现各种交叉耦合，并可设计寄生零点，带外抑制性能更优。并且，本专利技术通过介质块和金属腔结合，相对单独介质滤波器，强度更高。附图说明图1是本专利技术滤波器实施例单腔的立体结构示意图；图2是本专利技术滤波器实施例单腔的剖面结构示意图；图3是本专利技术滤波器实施例多腔的介质结构示意图；图4是本专利技术滤波器实施例多腔的金属腔结构示意图；图5是本专利技术滤波器实施例多腔组合状态立体结构示意图；图6是本专利技术滤波器实施例多腔的剖面结构示意图；图7是本专利技术滤波器实施例多腔的仿真频率响应曲线图。具体实施方式现结合附图，对本专利技术的较佳实施例作详细说明。如图1和图2所示，一种滤波器的混合腔体包括上下叠置的介质块01和金属腔02，介质上表面和侧面均金属化。介质块01为一整块介质，其下表面设有金属化的谐振盘51。金属腔02上表面设有一空腔21，该空腔21内设有一金属谐振杆41。所述谐振杆41与谐振盘51固定连接，比如焊接。所述谐振盘51的尺寸小于空腔，谐振盘51不与金属腔02接触。介质块01固定例如焊接在金属腔02之上后，介质块表层（即上表面和侧面）的金属层与金属腔一起形成一个密闭的类似金属屏蔽罩。所述介质块和金属腔之间形成金属介质混合谐振腔。本实施例中，为了谐振杆41与谐振盘51的连接更加稳固，谐振盘51中设有凹孔52，凹孔表面金属化；谐振杆41高出金属腔02的表面，二者叠置时，谐振杆41高出于金属腔02表面的部分嵌入谐振盘51的凹孔52内。所述金属介质混合谐振腔中，谐振杆41等效为电感L，谐振盘51与介质块01上表面之间间隙等效为电容C。一些实施例中，滤波器的上层介质块和下层金属腔之间形成至少两个金属介质混合谐振腔，相邻谐振腔之间形成感性耦合或容性耦合。另一些实施例中，所述介质块和金属腔之间至少包括两行、至少两列谐振腔，位于第一行的相邻两个谐振腔之间形成感性耦合，位于第二行的相邻两个谐振腔之间形成感性耦合，一列谐振腔之间设有容性耦合结构，与该列谐振腔相邻的另一列谐振腔之间设有感性耦合结构，两行的相邻两列谐振腔之间形成四腔交叉耦合结构。如图3至图6所示，一种滤波器，包括上下叠置的介质块11和金属腔12，二者之间形成两排共六个谐振腔。如图3所示（为了更清楚地显示，图中介质块的下表面朝上），介质块11下表面包括六个金属化谐振盘，分两行排列，第一行包括有第一谐振盘301，第二谐振盘302和第三谐振盘303；第二行包括第四谐振盘304，第五谐振盘305和第六谐振盘306。如图4所示，金属腔12上表面设有六个单独的空腔，各空腔内分别设有一金属谐振杆，与介质的六个谐振盘一一对应，分两行排列。第一行包括有第一谐振杆401，第二谐振杆402和第三谐振杆403；第二行包括第四谐振杆404，第五谐振杆405和第六谐振杆406。如图5和图6所示，介质块11和金属腔12叠置贴合形成六个谐振腔。其中，第一行包括有第一谐振腔21，第二谐振腔22和第三谐振腔23；第二行包括有第一谐振腔31，第二谐振腔32，第三谐振腔33。所述第一行的第一谐振腔21由第一谐振盘301和第一谐振杆401及其空腔配合形成，第一行的第二谐振腔22由第二谐振盘302和第二谐振杆402及其空腔配合形成，第一行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种混合腔体，其特征在于：包括叠置固定在一起的介质块和金属腔，所述介质块的上表面以及侧面覆盖金属化层，下表面设有至少一个金属化的谐振盘；所述金属腔上设有至少空腔，该空腔内设有金属谐振杆，所述谐振杆与所述谐振盘固定连接，所述介质块和金属腔之间形成金属介质混合谐振腔。/n

【技术特征摘要】
1.一种混合腔体，其特征在于：包括叠置固定在一起的介质块和金属腔，所述介质块的上表面以及侧面覆盖金属化层，下表面设有至少一个金属化的谐振盘；所述金属腔上设有至少空腔，该空腔内设有金属谐振杆，所述谐振杆与所述谐振盘固定连接，所述介质块和金属腔之间形成金属介质混合谐振腔。


2.根据权利要求1所述的混合腔体，其特征在于：所述谐振盘中设有凹孔，该凹孔表面覆盖金属化层；相对应地，所述谐振杆高出金属腔的表面，该谐振杆高出金属腔表面的部分嵌入所述谐振盘的凹孔内。


3.根据权利要求1所述的混合腔体，其特征在于：所述介质块的下表面设有至少两个金属化的谐振盘；所述金属腔上表面相对应地设有至少两个空腔，所述介质块和金属腔之间形成至少两个金属介质混合谐振腔，相邻谐振腔之间形成感性耦合或容性耦合。


4.根据权利要求3所述的混合腔体，其特征在于：所述金属腔上的相邻空腔之间开有窗口，相邻所述谐振腔之间通过所述窗口形成感性耦合。


5.根据权利要求3所述的混合腔体，其特征在于：所述介质块下表面的相邻谐振盘之间设置有用于调节相邻谐振腔之间的容性耦合量的耦合盘。


6.根据权利要求5所述的混合腔体，其特征在于：所述耦合盘与谐振盘相连。


7.根据权利要求3所述的混合腔体，其特征在于：所述介质块的上表面对应所述谐振杆或凹孔的位置设有用于调节所对应的谐振腔频率的调谐孔。


8.根据权利要求3所述的混合腔体，其特征在于：所述介质块上的相邻谐振盘之间设有用于调节相应相邻谐振腔之间的耦合量的耦合槽。


9.根据权利要求8所述的混合腔体，其特征在于：所述耦合槽贯穿所述介质块。

【专利技术属性】
技术研发人员：谢振雄，
申请(专利权)人：大富科技安徽股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34