一种液晶显示装置及其驱动方法制造方法及图纸

本申请适用于液晶显示技术领域，提供了一种液晶显示装置及其驱动方法，所述液晶显示装置包括：显示区域，所述显示区域中阵列的设置有子像素；2m条扫描线，m为正整数；2m条扫描线与m行子像素连接，其中，每行子像素包括第一子像素和第二子像素，第x行子像素中的第一子像素与第2x‑1条扫描线连接，第x行子像素中的第二子像素与第2x条扫描线连接，且在同一帧显示画面中，所述第一子像素的极性和与所述第二子像素的极性相反；x为正整数，且x≤m，从而解决了正极性充电相较负极性充电差，出现显示不均的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种液晶显示装置及其驱动方法
本专利技术属于液晶显示
，尤其涉及一种液晶显示装置及其驱动方法。
技术介绍
在液晶面板驱动显示过程中，既有正极性的驱动(液晶两端是正电压差，如图3中右半边部分)，也有负极性的驱动(液晶两端是负电压差，如图3中左半边部分)。结合图2所示，当扫描线上输出的高电平VGH固定后，当工作在正极性时Vgs相对较低，当工作在负极性时Vgs相对较高，则负极性的TFT相对于正极性的TFT的Id较大，会出现负极性充电较好，正极性充电较差的情况。当液晶面板尺寸较小解析度较低时充电时间较长可以忽略此因素。然而，做大尺寸的超高解析度的产品时，充电时间较短，此差异很容易导致正极性充电相较负极性充电差，而出现显示不均的现象。
技术实现思路
本专利技术提供一种液晶显示装置及其驱动方法，旨在解决正极性充电相较负极性充电差，出现显示不均的问题。本专利技术实施例的第一方面提供了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括：显示区域，所述显示区域中阵列的设置有子像素；2m条扫描线，m为正整数；2m条扫描线与m行子像素连接，其中，每行子像素包括第一子像素和第二子像素，第x行子像素中的第一子像素与第2x-1条扫描线连接，第x行子像素中的第二子像素与第2x条扫描线连接，且在同一帧显示画面中，所述第一子像素的极性和与所述第二子像素的极性相反；x为正整数，且x≤m。可选的，每行子像素中的所述第一子像素与所述第二子像素间隔设置。可选的，在同一帧显示画面中，若所述第一子像素的极性为正极性，则第二子像素的极性为负极性。可选的，若第2x-1条所述扫描线接入第二扫描电压，则第2x条扫描线接入第一扫描电压；其中，所述第二扫描电压大于所述第一扫描电压。可选的，所述液晶显示装置还包括：3n条数据线，n为正整数，3n为偶数；每行所述子像素中的第2y-1个子像素与第2y-1条数据线连接，每行所述子像素中的第2y个子像素与第2y条数据线连接，其中，y为正整数，2y≤3n。本申请实施例第二方面提供了一种如上述任一项所述的液晶显示装置的驱动方法，包括：由驱动装置产生不同的扫描电压，并根据所述显示区域中的子像素的极性产生相应的扫描信号提供给所述子像素。可选的，在同一帧显示画面中，若所述第一子像素的极性为正极性，则第2x-1条所述扫描线接入第二扫描电压；若第二子像素的极性为负极性，则第2x条扫描线接入第一扫描电压；其中，所述第二扫描电压大于所述第一扫描电压。可选的，若所述第一子像素的极性由正极性切换为负极性，则第2x-1条所述扫描线接入的扫描电压由第二扫描电压切换为第一扫描电压。可选的，若驱动装置为逐行扫描模式，则2m条扫描线逐行接入扫描电压；在第2x-1条扫描线接入扫描电压时，第2y-1条数据线接收冗余数据，第2y条数据线接收像素数据；在第2x条扫描线接入扫描电压时，第2y-1条数据线接收像素数据，第2y条数据线接收冗余数据。可选的，若驱动装置为双扫描线驱动模式，则第2x-1条所述扫描线和第2x条扫描线在同一帧显示画面中同时接入扫描电压；在当前帧显示画面中，所述第一子像素的极性为正极性，第2x-1条所述扫描线接入第二扫描电压；第二子像素的极性为负极性，第2x条扫描线接入第一扫描电压；所述第二扫描电压大于所述第一扫描电压；切换到下一帧显示画面时，第一子像素的极性切换为负极性，第2x-1条所述扫描线接入第一扫描电压，第二子像素的极性为正极性，第2x条扫描线接入第二扫描电压。本专利技术实施例提供了一种液晶显示装置及其驱动方法，所述液晶显示装置包括：显示区域，所述显示区域中阵列的设置有子像素；2m条扫描线，m为正整数；2m条扫描线与m行子像素连接，其中，每行子像素包括第一子像素和第二子像素，第x行子像素中的第一子像素与第2x-1条扫描线连接，第x行子像素中的第二子像素与第2x条扫描线连接，且在同一帧显示画面中，所述第一子像素的极性和与所述第二子像素的极性相反；x为正整数，且x≤m；且第2x-1条所述扫描线接入的扫描电压与第2x条扫描线接入的扫描电压不同，解决了正极性充电相较负极性充电差，出现显示不均的问题。附图说明图1为本专利技术一实施例提供的TFT-LCD中的子像素的等效电路示意图；图2为本专利技术一实施例提供的NMOS器件的IV曲线关系示意图；图3为本专利技术一实施例提供的VA液晶面板正负压差与穿透率关系示意图；图4为本专利技术一实施例提供的液晶面板逐行驱动的示意图；图5为本专利技术一实施例提供的液晶显示装置的结构示意图；图6为本专利技术一实施例提供的扫描线逐行扫描模式下的扫描信号时序示意图；图7为本专利技术一实施例提供的双扫描线驱动模式下的扫描信号时序示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。薄膜晶体管-液晶显示屏(Thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，TFT-LCD)的子像素等效电路如图1所示，由数据线10、扫描线20、TFT30、液晶电容31及存储电容32(storageCapacitor，Cst)组成，液晶存储在液晶电容31中间，通过控制液晶两端的电压差控制液晶的旋转角度，从而控制光线穿过多少来控制亮度。要对液晶电容充电时，需要扫描线20提供高电平的扫描电压Vg将TFT30打开，数据线10送入数据电压Vd至液晶电容31和存储电容32，液晶电容31的第一端和存储电容32的第一端共接于TFT30的输出端，液晶电容31的第二端与公共电极41连接，存储电容32的第二端与公共电极42连接。图2为TFT为NMOS时的IV曲线关系图，横轴为源漏电压VDS，纵轴为漏极电流iD，通常TFT的开关特性由NMOS的饱和区确定，参照图2中的IV曲线关系图可以看出，当栅源电压VGS不同时，漏极电流也会有差别，例如图2中的VT、VGS1、VGS2、VGS3依次增大，Vgs3对应的IDO也最大。图3为VA型液晶的液晶面板正负压差V与穿透率η关系图，其纵轴为光穿透率，横轴为VA型液晶两端的压差，在液晶面板驱动显示过程中，既有正极性的驱动(液晶两端是正电压差，如图3中右半边部分)，也有负极性的驱动(液晶两端是负电压差，如图3中左半边部分)。结合图2所示，当扫描线上输出的高电平VGH固定后，当工作在正极性时，Vgs相对较低，当工作在负极性时，Vgs相对较高，则负极性的TFT相对于正极性的TFT的iD较大，会出现负极性充电较好，正极性充电较差的情况。当液晶面板尺寸较小解析度较低时充电时间较长可以忽略此因素，但做大尺寸的超高解析度的产品时，充电时间较短，此差异很容易导致正极性充电相较负极性充电差，而出现显示不均的现象。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种液本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括：/n显示区域，所述显示区域中阵列的设置有子像素；/n2m条扫描线，m为正整数；/n2m条扫描线与m行子像素连接，其中，每行子像素包括第一子像素和第二子像素，第x行子像素中的第一子像素与第2x-1条扫描线连接，第x行子像素中的第二子像素与第2x条扫描线连接，且在同一帧显示画面中，所述第一子像素的极性和与所述第二子像素的极性相反；x为正整数，且x≤m。/n

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括：
显示区域，所述显示区域中阵列的设置有子像素；
2m条扫描线，m为正整数；
2m条扫描线与m行子像素连接，其中，每行子像素包括第一子像素和第二子像素，第x行子像素中的第一子像素与第2x-1条扫描线连接，第x行子像素中的第二子像素与第2x条扫描线连接，且在同一帧显示画面中，所述第一子像素的极性和与所述第二子像素的极性相反；x为正整数，且x≤m。


2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，每行子像素中的所述第一子像素与所述第二子像素间隔设置。


3.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，在同一帧显示画面中，若所述第一子像素的极性为正极性，则第二子像素的极性为负极性。


4.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，若第2x-1条所述扫描线接入第二扫描电压，则第2x条扫描线接入第一扫描电压；
其中，所述第二扫描电压大于所述第一扫描电压。


5.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置还包括：3n条数据线，n为正整数，3n为偶数；
每行所述子像素中的第2y-1个子像素与第2y-1条数据线连接，每行所述子像素中的第2y个子像素与第2y条数据线连接，其中，y为正整数，2y≤3n。


6.一种液晶显示装置的驱动方法，应用于如权利要求1-5任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，所述驱动方法包括：
由驱动装置产生不同的扫描电压，并根据所述显示区域中...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪飞林，袁海江，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44