一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备。该方法包括当检测到FPC微电路在弯曲状态下通电时，采集FPC微电路的局部红外图像；基于局部红外图像，计算FPC微电路在各弯曲半径下的测量位置的温度参数；比对相同弯曲半径处的各温度参数，将温度变化异常的温度参数对应的测量位置确定为受损位置。本发明专利技术实现了在模拟FPC微电路实际使用中弯曲的情形下，通过对弯曲的FPC微电路通以工作电流，来捕获不同弯曲半径位置的发热差异图像，进而实现对微电路的受损程度和受损位置的准确检定。

【技术实现步骤摘要】
一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备
本申请涉及FPC微电路测试
，具体而言，涉及一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备。
技术介绍
电子行业FPC微电路应用极为广泛，对FPC微电路的检测要求也越来越高。FPC微电路设计时必须确定使用过程中弯曲部位微电路的性能变化，以此来对FPC微电路设计进行改良，因而制出FPC微电路样本后需进行弯曲引致微电路性能弯化的检定。而在对FPC微电路性能弯化检定中，由于微电路弯曲后容易受损，因此对FPC微电路弯曲受损程度的检测是其中重要的一环。单一通电阻值法，只能检定参数变化量，无法确定发生变化的位置，且由于弯曲时同一位置的电阻即使没有受损也会发生变化，故这种方式很难对受损程度进行判断。而肉眼或基于通用显微镜的方式要检视FPC微电路内部的变化亦难以胜任，且通过这种方式来检测微电路的受损花费的时间较长，效率低下。
技术实现思路
为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备。第一方面，本申请实施例提供了一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法，所述方法包括：当检测到FPC微电路在弯曲状态下通电时，在当前弯曲半径下，采集至少一张所述FPC微电路的局部红外图像；基于所述局部红外图像，计算所述FPC微电路在所述当前弯曲半径下的温度参数；基于所述温度参数，判断所述当前弯曲半径下所述FPC微电路的受损程度。优选的，所述在当前弯曲半径下，采集至少一张所述FPC微电路的局部红外图像，包括：在当前弯曲半径下，采集所述FPC微电路在不同位置的局部红外图像；所述基于所述温度参数，判断所述当前弯曲半径下所述FPC微电路的受损程度，包括：比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置；确定每个所述受损位置的受损程度。优选的，所述将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置之后，还包括：根据各所述局部红外图像构建三维坐标系，计算所述受损位置在所述三维坐标系中的三维坐标；基于所述三维坐标对所述局部红外图像进行受损位置标记，生成并得到受损标记图像。优选的，所述生成并得到受损标记图像之后，还包括：获取所述受损位置的弯曲半径数值以及所述温度参数，基于所述弯曲半径数值、温度参数、受损标记图像生成打包文件；得到所有所述打包文件后，将各所述打包文件发送至预设终端。优选的，所述比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置，包括：获取各弯曲半径处的弯曲角度，基于电阻与弯曲角度的对应变化关系计算各所述弯曲半径处的理论电阻变化以及所述理论电阻变化对应的理论温度变化；在相同弯曲半径下，计算各所述温度参数与所述理论温度变化的第一差值，将超过第一阈值的所述第一差值对应的温度参数确认为温度变化异常；将温度变化异常的所述温度参数对应的测量位置确定为受损位置。优选的，所述比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置，包括：获取相同弯曲半径处的所有所述温度参数，筛选出至少与一个其他温度参数的第二差值小于第二阈值的所述温度参数；将筛选出的各所述温度参数取平均值，得到平均温度变化；分别计算各所述温度参数与所述平均温度变化的第三差值，将超过第三阈值的所述第三差值对应的温度参数确认为温度变化异常；将温度变化异常的所述温度参数对应的测量位置确定为受损位置。优选的，所述确定每个所述受损位置的受损程度，包括：根据预设的多个温度差异阈值对所述FPC微电路的受损程度进行分级；计算所述受损位置的温度参数所对应的级别，确定所述受损位置的受损程度。第二方面，本申请实施例提供了一种FPC微电路弯曲受损程度检定装置，所述装置包括：基架、安装在所述基架上的传感器升降结构、安装在所述基架上的纵横平移台、安装在所述纵横平移台上的治具角度调节载台、设置在所述治具角度调节载台上的可旋转曲面治具以及安装在所述传感器升降结构上的红外线热成像传感器；所述可旋转曲面治具用以通过外接真空源将FPC微电路吸附于治具曲面上，使所述FPC微电路弯曲；所述红外线热成像传感器用以捕获所述可旋转曲面治具的治具曲面上任一区域的局部红外图像。第三方面，本专利技术实施例提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第一方面或第一方面的任意一种可能的实现方式提供的方法的步骤。第四方面，本专利技术实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如第一方面或第一方面的任意一种可能的实现方式提供的方法。本专利技术的有益效果为：在模拟FPC微电路实际使用中弯曲的情形下，通过对弯曲的FPC微电路通以工作电流，来捕获不同弯曲半径下测量位置的发热差异图像，进而实现对微电路的受损程度和受损位置的准确检定。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法的流程示意图；图2为本申请实施例提供的一种FPC微电路弯曲受损程度检定装置的结构示意图；图3为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。在下述介绍中，术语“第一”、“第二”仅为用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。下述介绍提供了本专利技术的多个实施例，不同实施例之间可以替换或者合并组合，因此本专利技术也可认为包含所记载的相同和/或不同实施例的所有可能组合。因而，如果一个实施例包含特征A、B、C，另一个实施例包含特征B、D，那么本专利技术也应视为包括含有A、B、C、D的一个或多个所有其他可能的组合的实施例，尽管该实施例可能并未在以下内容中有明确的文字记载。下面的描述提供了示例，并且不对权利要求书中阐述的范围、适用性或示例进行限制。可以在不脱离本
技术实现思路
的范围的情况下，对描述的元素的功能和布置做出改变。各个示例可以适当省略、替代或添加各种过程或组件。例如所描述的方法可以以所描述的顺序不同的顺序来执行，并且可以添加、省略或组合各种步骤。此外，可以将关于一些示例描述的特征组合到其他示例中。参见图1，图1为本申请实施例提供的一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法的流程示意图。在本申请实施例中，所述方法包括：S101、当检测到FPC微电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法，其特征在于，所述方法包括：/n当检测到FPC微电路在弯曲状态下通电时，在当前弯曲半径下，采集至少一张所述FPC微电路的局部红外图像；/n基于所述局部红外图像，计算所述FPC微电路在所述当前弯曲半径下的温度参数；/n基于所述温度参数，判断所述当前弯曲半径下所述FPC微电路的受损程度。/n

【技术特征摘要】
1.一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法，其特征在于，所述方法包括：
当检测到FPC微电路在弯曲状态下通电时，在当前弯曲半径下，采集至少一张所述FPC微电路的局部红外图像；
基于所述局部红外图像，计算所述FPC微电路在所述当前弯曲半径下的温度参数；
基于所述温度参数，判断所述当前弯曲半径下所述FPC微电路的受损程度。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在当前弯曲半径下，采集至少一张所述FPC微电路的局部红外图像，包括：
在当前弯曲半径下，采集所述FPC微电路在不同位置的局部红外图像；
所述基于所述温度参数，判断所述当前弯曲半径下所述FPC微电路的受损程度，包括：
比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置；
确定每个所述受损位置的受损程度。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置之后，还包括：
根据各所述局部红外图像构建三维坐标系，计算所述受损位置在所述三维坐标系中的三维坐标；
基于所述三维坐标对所述局部红外图像进行受损位置标记，生成并得到受损标记图像。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述生成并得到受损标记图像之后，还包括：
获取所述受损位置的弯曲半径数值以及所述温度参数，基于所述弯曲半径数值、温度参数、受损标记图像生成打包文件；
得到所有所述打包文件后，将各所述打包文件发送至预设终端。


5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置，包括：
获取各弯曲半径处的弯曲角度，基于电阻与弯曲角度的对应变化关系计算各所述弯曲半径处的理论电阻变化以及所述理论电阻变化对应的理论温度变化；
在相同弯曲半径下，计算各所述温度参数与所述理论温度变化的第一差值，将超过第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宗普，吴焕雄，
申请(专利权)人：武汉精测电子集团股份有限公司，武汉精立电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42