【技术实现步骤摘要】
本技术属于吸附平台，更具体地，涉及一种可即时破真空的晶圆吸附平台。
技术介绍
1、晶圆吸附平台是半导体制造和研发过程中必不可少的设备，它能够通过吸附力将晶圆牢固固定在平台上，确保晶圆在加工过程或测试过程中的稳定性和精度，保障工艺的可靠性和一致性。
2、相关技术中，由于吸附平台的载台吸附面与晶圆片通常为整面接触，在载台破真空后，载台与晶圆片间仍有一定的吸附力，导致在后续转移晶圆片时易发生变形或损伤，尤其是在晶圆薄片上表现更为明显，亟需改进。
技术实现思路
1、为了改善消除载台破真空后，存在残余吸附力影响晶圆转移的问题，本技术提供一种可即时破真空的晶圆吸附平台。
2、本技术提供的一种可即时破真空的晶圆吸附平台,采用如下的技术方案：
3、一种可即时破真空的晶圆吸附平台，包括载台，所述载台设置有若干供载台的吸附面产生负压的吸附区，所述载台的吸附面设置有沟槽，所述沟槽延伸至载台外边缘。
4、通过采用上述技术方案，当晶圆放置于载台上后，由于沟槽延伸至载台外边缘处的部分与外部大气连通，晶圆片与载台接触面可快速破除真空，以减少晶圆片与载台吸附面间的吸附力，使得消除载台破真空后，不易存在残余吸附力影响晶圆转移。
5、作为进一步优选的，所述载台上的沟槽设置有多个，多个所述沟槽于载台吸附面呈放射状分布。
6、通过采用上述技术方案，由于与外部大气连通的沟槽呈放射状分布有多个，沟槽不易被晶圆片完全覆盖；当载台破真空后，晶圆片与载台接触面
7、作为进一步优选的，所述载台的吸附区由内至外设置为多个，多个吸附区相互独立且互相隔离。
8、通过采用上述技术方案，多个独立吸附区能够灵活适配于多种不同规格的晶圆片的吸附作业中，提高了晶圆吸附平台的实用性以及灵活性。
9、作为进一步优选的，所述载台的吸附面开设有吸附孔，所述载台设置有连通所述吸附孔的真空通道，且真空通道连通气路。
10、通过采用上述技术方案，设置真空通道以及吸附孔能够为载台形成良好的负压吸附区，在真空通道通入真空后，吸附孔能够为载台表面的晶圆片提供均衡的吸附力，保障载台对晶圆片的吸附稳定性。
11、作为进一步优选的，所述载台包括吸附部以及盖板部，所述吸附部与盖板部之间的结合面处开设有用于形成真空通道的气槽。
12、通过采用上述技术方案，由吸附部以及盖板部组合而成的载台能够具备较为有利的真空通道开设条件，加工作业过程中，只需在吸附部或盖板部表面开设出对应所需形状的槽孔，即可通过拼接组合吸附部以及盖板部，形成完整的真空通道。
13、作为进一步优选的，还包括支撑筋，所述支撑筋夹设于真空通道内顶壁与内底壁之间。
14、通过采用上述技术方案，设置的支撑筋能够提升真空通道的结构稳定性，同时也大幅提高了载台的结构强度。
15、作为进一步优选的，还包括多个气接头，多个所述气接头设置于载台背面，与多条真空通道一一连通。
16、通过采用上述技术方案，气接头能够便于外界气路与吸附槽相衔接，保障吸附平台的顺畅使用。
17、作为进一步优选的，还包括活动贯穿所述载台吸附面的顶升件以及用于驱使顶升件升降调节的直线动力件。
18、通过采用上述技术方案，设置的直线动力件驱使顶升件在载台上进行升降调节，即可快速消除晶圆片与载台之间的残余吸附力，也便于外部机械手拿取载台表面的晶圆片。
19、作为进一步优选的，所述顶升件包括真空吸盘，所述真空吸盘连接独立气路。
20、通过采用上述技术方案，一方面，在顶升过程中，可以通过真空吸盘真空吸附晶圆片，能够保障晶圆片在顶升过程中的稳定性；另一方面，在载台吸附晶圆片的过程中，可以通过真空吸盘吸附晶圆片，提升晶圆片在载台表面的吸附稳定性。
21、作为进一步优选的，还包括基座以及设置于基座上的旋转动力件，所述旋转动力件的驱动端与所述载台背面连接。
22、通过采用上述技术方案，设置的旋转动力件能够让载台旋转，实现载台角度位置的设定，便于晶圆片上下料和对位。
23、综上所述，本技术至少包括以下有益技术效果：
24、1.沟槽与外部大气连通，晶圆片与载台接触面可快速破除真空，以减少晶圆片与载台吸附面间的吸附力，使得消除载台破真空后，不易存在残余吸附力影响晶圆转移；
25、2.设置的顶升件能够对载台表面的晶圆片进行顶升，在消减晶圆片与载台吸附面间的残余吸附力后，通过驱使晶圆片与载台相互分离，使得晶圆片与载台吸附面间的残余吸附力完全消除；
26、3.多个独立的吸附区能够通过对应的真空通道进行运作，从而使得晶圆吸附平台能够适配于多种不同规格的晶圆片的吸附作业中，提高了晶圆吸附平台的实用性以及灵活性。
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1.一种可即时破真空的晶圆吸附平台，其特征在于，包括载台(1)，所述载台(1)设置有若干供载台(1)的吸附面产生负压的吸附区，所述载台(1)的吸附面设置有沟槽(12)，所述沟槽(12)延伸至载台(1)外边缘。
2.根据权利要求1所述的可即时破真空的晶圆吸附平台，其特征在于，所述载台(1)上的沟槽(12)间隔设置有多个，多个所述沟槽(12)由载台(1)吸附面的中心向外散开。
3.根据权利要求1所述的可即时破真空的晶圆吸附平台，其特征在于，所述载台(1)的吸附区由内至外设置为多个，多个吸附区相互独立且互相隔离。
4.根据权利要求1所述的可即时破真空的晶圆吸附平台，其特征在于，所述载台(1)的吸附面开设有吸附孔(11)，所述载台(1)设置有连通所述吸附孔(11)的真空通道，且真空通道连通气路。
5.根据权利要求4所述的可即时破真空的晶圆吸附平台，其特征在于，所述载台(1)包括吸附部(13)以及连接于吸附部(13)背面的盖板部(14)，所述吸附部(13)与盖板部(14)的结合面处开设有用于形成真空通道的气槽(132)。
6.根据
7.根据权利要求4所述的可即时破真空的晶圆吸附平台，其特征在于，还包括气接头(3)，所述气接头(3)设置于载台(1)上，与真空通道连通。
8.根据权利要求1所述的可即时破真空的晶圆吸附平台，其特征在于，还包括活动贯穿所述载台(1)吸附面的顶升件(21)以及用于驱使顶升件(21)升降调节的直线动力件(22)。
9.根据权利要求8所述的可即时破真空的晶圆吸附平台，其特征在于，所述顶升件(21)包括真空吸盘，所述真空吸盘连接独立气路。
10.根据权利要求1所述的可即时破真空的晶圆吸附平台，其特征在于，还包括基座(5)以及设置于基座(5)上的旋转动力件(6)，所述旋转动力件(6)的驱动端与所述载台(1)背面连接。
...【技术特征摘要】
1.一种可即时破真空的晶圆吸附平台，其特征在于，包括载台(1)，所述载台(1)设置有若干供载台(1)的吸附面产生负压的吸附区，所述载台(1)的吸附面设置有沟槽(12)，所述沟槽(12)延伸至载台(1)外边缘。
2.根据权利要求1所述的可即时破真空的晶圆吸附平台，其特征在于，所述载台(1)上的沟槽(12)间隔设置有多个，多个所述沟槽(12)由载台(1)吸附面的中心向外散开。
3.根据权利要求1所述的可即时破真空的晶圆吸附平台，其特征在于，所述载台(1)的吸附区由内至外设置为多个，多个吸附区相互独立且互相隔离。
4.根据权利要求1所述的可即时破真空的晶圆吸附平台，其特征在于，所述载台(1)的吸附面开设有吸附孔(11)，所述载台(1)设置有连通所述吸附孔(11)的真空通道，且真空通道连通气路。
5.根据权利要求4所述的可即时破真空的晶圆吸附平台，其特征在于，所述载台(1)包括吸附部(13)以及连接于吸附部(13)背面的盖板部(14)，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉守卫，邓忠光，欧昌东，
申请(专利权)人：武汉精测电子集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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