一种硅基OLED微显示器件膜层去除工艺制造技术

一种硅基OLED微显示器件膜层去除工艺，属于硅基OLED微显示器件制备技术领域，该膜层去除工艺包括将待处理的晶圆上料并定位在作业平台上，并完成激光对位；启动激光系统，对目标膜层采用单点多次激光作业，去除目标膜层，同时对作业区域进行氮气吹扫；对激光去除膜层完成的晶圆进行湿法清洗作业；对清洗完成的晶圆进行烘烤作业；本发明专利技术的有益效果是，该膜层去除工艺简单，膜层去除效率高，可避免刻蚀不良及封装层损伤异常，提高了产品良率，同时降低了工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基OLED微显示器件膜层去除工艺
本专利技术涉及硅基OLED微显示器件制备
，尤其涉及一种硅基OLED微显示器件膜层去除工艺。
技术介绍
目前因微显示行业的蓬勃发展，硅基OLED微显示器件得到了广泛的关注，对其工艺制备的方法也在不断的探索与改善。在硅基OLED微显示器件的制备工艺中，在显示模组制备段，需要把晶圆中的每个晶粒贴片到PCB或者FPC上，贴片位置为打线区域，此区域需求为铝基底层裸露，其余膜层无法进行贴片作业。因此，在模组工艺前，需要把打线区域的上方高温SiOx膜层及封装膜层去除。去除以上膜层工艺，目前常规选用干法刻蚀去除，即通过涂布、曝光、显影、固化、干法刻蚀、干法去胶、清洗、烘烤等工艺完成膜层去除后交付模组打线，此工艺繁琐复杂，在实际生产中常发生因刻蚀不均匀及过刻造成模组无法打线现象，且显影等工艺采用的为TAMH溶液或KOH溶液，易损伤封装层，造成封装层的剥落异常；另外，硅基OLED微显示器件的铝基底层上层膜层为致密的SiOx膜层，且目前采用的封装层厚度较大，在干法刻蚀时，占用干法刻蚀机机时较多，占整个硅基OLE本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基OLED微显示器件膜层去除工艺，所述微显示器件包括铝基底层(1)及其上依次设置的SiOx膜层(2)和封装层(3)，其特征在于，所述膜层去除工艺包括以下步骤：/n1)将待处理的晶圆(4)上料并定位在作业平台上，并完成激光对位；/n2)启动激光系统，对目标膜层(5)采用单点多次激光作业，去除目标膜层(5)的SiOx膜层(2)和封装层(3)，同时对作业区域进行氮气吹扫；/n3)对激光去除膜层完成的晶圆(4)进行湿法清洗作业；/n4)对清洗完成的晶圆(4)进行烘烤作业。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅基OLED微显示器件膜层去除工艺，所述微显示器件包括铝基底层(1)及其上依次设置的SiOx膜层(2)和封装层(3)，其特征在于，所述膜层去除工艺包括以下步骤：
1)将待处理的晶圆(4)上料并定位在作业平台上，并完成激光对位；
2)启动激光系统，对目标膜层(5)采用单点多次激光作业，去除目标膜层(5)的SiOx膜层(2)和封装层(3)，同时对作业区域进行氮气吹扫；
3)对激光去除膜层完成的晶圆(4)进行湿法清洗作业；
4)对清洗完成的晶圆(4)进行烘烤作业。


2.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器件膜层去除工艺，其特征在于：所述步骤1)中，待处理的晶圆(4)内部两侧分别设置有激光对位标(6)，激光系统通过激光对位标(6)完成晶圆(4)的对位摆正，对位精度为-5μm～5μm。


3.根据权利要求2所述的硅基OLED微显示器件膜层去除工艺，其特征在于：在制备晶圆(4)的过程中，在制备阳极(7)的同时，采用同样的制备工艺进行激光对位标(6)的制备，所述激光对位标(6)由反光的金属制备而成。


4.根据权利要求2所述的硅基OLED微显示器件膜层去除工艺，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹贺，刘晓佳，吕迅，刘胜芳，赵铮涛，潘倩倩，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34