半导体管芯和制造半导体管芯的方法技术

公开了半导体管芯和制造半导体管芯的方法。本申请涉及一种半导体管芯(1)，其具有：半导体本体(2)，其包括有源区(3)；绝缘层(4)，其被形成在半导体本体(2)上；钠阻止部(5)，其被形成在绝缘层(4)中，钠阻止部(5)被布置在与绝缘层(4)竖向地相交并且围绕有源区(3)延伸的绝缘层凹槽(20)中，其中钠阻止部(5)由填充绝缘层凹槽(20)的钨材料(15)形成。

【技术实现步骤摘要】
半导体管芯和制造半导体管芯的方法
本公开涉及一种包括半导体本体的半导体管芯。
技术介绍
半导体本体包括有源区。例如在那里可以形成竖向场效应晶体管，其具有在本体区中的在横向上在栅极区旁边的竖向沟道。通过施加栅极电压，可以控制沟道形成，即在源极和漏极之间的竖向电流流动。在功率晶体管器件的情况下，漂移区可以被附加地布置在本体区和漏极区之间。这将说明在有源区中形成的可能的器件，而不是限制权利要求和说明书的通用性。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种具有改进的设计的半导体管芯，以及制造这样的管芯的方法。通过权利要求1的半导体管芯来实现该目的。此外，通过权利要求14的方法来实现该目的。其中，管芯包括形成在被布置在半导体本体上的绝缘层中的钠阻止部。钠阻止部由在竖向方向上与绝缘层相交的被钨填充的绝缘层凹槽来形成。绝缘层凹槽在横向上即垂直于竖向方向地围绕有源区延伸。钠扩散可能特别是发生在未掺杂的层中，并且由钠阻止部形成的竖向相交可以切断绝缘层中的扩散路径。特别是，其可以防止从管芯的边缘经由绝缘层到有源区中的钠扩散。其中，钨材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体管芯(1)，具有：/n半导体本体(2)，其包括有源区(3)，/n绝缘层(4)，其被形成在半导体本体(2)上，/n钠阻止部(5)，其被形成在绝缘层(4)中，/n钠阻止部(5)被布置在与绝缘层(4)竖向地相交并且围绕有源区(3)延伸的绝缘层凹槽(20)中，/n其中，钠阻止部(5)由填充绝缘层凹槽(20)的钨材料(15)形成。/n

【技术特征摘要】
20200204 EP 20155344.31.一种半导体管芯(1)，具有：
半导体本体(2)，其包括有源区(3)，
绝缘层(4)，其被形成在半导体本体(2)上，
钠阻止部(5)，其被形成在绝缘层(4)中，
钠阻止部(5)被布置在与绝缘层(4)竖向地相交并且围绕有源区(3)延伸的绝缘层凹槽(20)中，
其中，钠阻止部(5)由填充绝缘层凹槽(20)的钨材料(15)形成。


2.根据权利要求1所述的半导体管芯(1)，其中金属化层(21)被形成在绝缘层(4)的前侧(4.1)上，金属化层(21)覆盖绝缘层凹槽(20)的至少一区段并且由钨材料(15)形成。


3.根据权利要求2所述的半导体管芯(1)，其中，钝化层(25)覆盖金属化层(21)。


4.根据前述权利要求中的任何一项所述的半导体管芯(1)，其中，填充绝缘层凹槽(20)的钨材料(15)还形成漏极接触(16)，漏极接触(16)被电连接到至少形成在所述管芯(1)的有源区(3)中的漏极区(17)。


5.根据前述权利要求中的任何一项所述的半导体管芯(1)，此外包括形成在竖向地延伸到半导体本体(2)中的沟道阻止部沟槽(31)中的沟道阻止部(30)，沟道阻止部(30)被布置成在横向上在钠阻止部(5)和所述管芯(1)的横向边缘(32)之间。


6.根据前述权利要求中的任何一项所述的半导体管芯(1)，此外包括形成在竖向地延伸到半导体本体(2)中的崩边阻止部沟槽(36、41)中的崩边阻止部(35、40)。


7.根据权利要求5和6所述的半导体管芯(1)，其中，崩边阻止部沟槽(36、41)与沟道阻止部沟槽(31)相比更深地延伸到半导体本体(2)中。


8.根据权利要求6或7所述的半导体管芯(1)，其中，崩边阻止部沟槽(36)被填充有导电材料(38)并且还用作为沟道阻止部(37)。


9.根据权利要求6或7所述的半导体管芯(1)，其中，在崩边阻止部沟槽(41)上方形成有与绝缘层(4)相交的竖向凹槽(42)，竖向凹槽(42)用作为氧化物剥离阻止部(43)。...

【专利技术属性】
技术研发人员：O·布兰克，C·阿尔斯塔特，I·诺伊曼，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT