一种高阻抗芯式变压器制造技术

本发明专利技术公开了一种高阻抗芯式变压器，包括器身和磁体；器身的至少一个主漏磁空道放置有磁体。有益效果在于：通过在变压器线圈间任一主漏磁空道内均匀放置多个磁体，从而实现变压器运行时在该区域的漏磁通的磁阻变小，漏感电压变大，实现增大变压器阻抗的目的，满足用户对变压器高阻抗的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种高阻抗芯式变压器
本专利技术涉及配电变压器设备
，特别涉及一种高阻抗芯式变压器。
技术介绍
随着未来智能配电网建设的发展，作为传统配电变压器功能单一，可控性差，无法适应未来配网智能化发展要求。混合式配电变压器是智能配电网的关键设备，对配电变阻抗要求高达30～95％。目前，高阻抗变压器通常提高阻抗的方法：一是降低匝电压；二是增加主漏磁空道尺寸；三是增加绕组辐向尺寸，降低电抗高度等。这些方法将导致铜材消耗过多，变压器损耗及空间尺寸增加，不利于节能降本。因此，如何优化变压器提高阻抗的方法，成为本领域技术人员亟待解决的重要技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种高阻抗芯型变压器，具有结构简单和实用可靠的特点。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种高阻抗芯式变压器，包括：器身和磁体；所述器身的至少一个主漏磁空道放置有所述磁体。进一步地，所述高阻抗芯式变压器为单相三线圈变压器或多相三线圈变压器时，所述器身包括：铁芯柱、内线圈、中线圈和外线圈；所述磁体设置于所述中线圈和所述外线圈之间。进一步地，所述高阻抗芯式变压器为单相双线圈变压器或多相双线圈变压器时，所述器身包括：铁芯柱、内线圈和中线圈；所述磁体设置于所述内线圈和中线圈之间。进一步地，所述磁体为硅钢片组。进一步地，所述磁体的数量为多个。进一步地，多个所述磁体沿周向均布于所述主漏磁空道。进一步地，所述磁体为长方体结构。r>进一步地，所述磁体的尺寸为5x30x100mm。进一步地，还包括：设置于所述主漏磁空道的第一绝缘件；所述第一绝缘件包括：纸筒板；所述纸筒板设有用于同安装所述磁体的卡槽。从上述的技术方案可以看出，本专利技术提供的高阻抗芯型变压器，通过在变压器线圈间任一主漏磁空道之间均匀放置多个硅钢片组，从而实现变压器运行时在该区域的漏磁通的磁阻变小，漏感电压变大，实现增大变压器阻抗的目的，满足用户对变压器高阻抗的要求。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的高阻抗芯式变压器的器身中硅钢片组放置结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的高阻抗芯式变压器的单相(或多相变压器的一相)三线圈硅钢片组排列结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的高阻抗芯式变压器的另一种芯式变压器单相(或多相变压器的一相)双线圈硅钢片组排列结构示意图。其中，1-铁心柱；2-内线圈；3-中线圈；4-硅钢组片；5-外线圈。具体实施方式本专利技术公开了一种高阻抗芯式变压器，通过在变压器线圈的主空道之间均匀放置一定尺寸和数量的磁体，实现增大变压器阻抗的目的，满足用户对变压器高阻抗的要求，具有结构简单、成本低廉和可靠性高的优点。下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供的高阻抗芯式变压器，包括：器身和磁体；器身的至少一个主漏磁空道放置有磁体。需要说明的是，芯式变压器的器身有多个主漏磁空道，将磁体放置于至少一个主漏磁空道中，通过局部改变主空漏磁空道磁路特性，相对增加了芯式变压器在运行时主漏磁空道的导磁率，从而实现主漏磁空道磁路的磁阻极大的被降低。从上述技术方案可以看出，本专利技术实施例提供的高阻抗芯式变压器，通过在至少一个主漏磁空道放置磁体，极大的提高了芯式变压器运行时产生的阻抗，与现有技术相比，具有结构简单、成本低廉和高阻抗的特点。在本方案中，如图2所示，高阻抗芯式变压器为单相三线圈变压器或多相三线圈变压器，器身包括：铁芯柱1、内线圈2、中线圈3和外线圈5；磁体设置于中线圈3和外线圈5之间。需要说明的是，变压器线圈和相位之间有多种组合类型，使得磁体的位置也有不同的选择，本专利技术实施例提供了磁体的一种放置方式，当芯式变压器为单相三线圈变压器或多相三线圈变压器时，芯式变压器的器身由铁芯柱1、内线圈2、中线圈3和外线圈5组成，其中，通过将磁体放置于中线圈3和外线圈5之间的主漏磁空道中，可实现外线圈5对中线圈3及内线圈2的高阻抗运行，与现有技术相比，具有灵活性高和实用可靠的特点。在本方案中，如图3所示，高阻抗芯式变压器为单相双线圈变压器或多相双线圈变压器，器身包括：铁芯柱1、内线圈2和中线圈3；磁体设置于内线圈2和中线圈3之间。需要说明的是，为了证明技术方案的可行性，本专利技术实施例还提供了磁体的另一种放置方式，当高阻抗芯式变压器为单相双线圈变压器或多相双线圈变压器时，芯式变压器主要由铁芯柱1、内线圈2和中线圈3组成，通过在内线圈2和中线圈3之间的主漏磁空道中放置至少一组磁体，实现芯式变压器在运行时中线圈3对内线圈2和外线圈5的高阻抗，与现有技术相比，具有的特点。在本方案中，磁体为硅钢片组4。需要说明的是，硅钢作为一种磁性材料，与其他磁性材料相比，具有导磁能力强和导电能力差的特点，此外，为保证主漏磁空道的大小能够容纳磁体的体积，选择片状的方式更好的减少了磁体的体积，而在主漏磁空道中，放置若干个硅钢片组成一组，更有利于改变主漏磁空道内的磁路特性，因此使用硅钢片组4作为磁体放置在主漏磁空道，能够仅对主漏磁空道中磁路的特性起改变作用，而不会对整个变压器的电流有所干扰，与现有技术相比，具有抗干扰能力强和改变磁路特性效果好的特点。为了优化上述技术方案，磁体的数量为多个，且多个磁体沿周向均布于主漏磁空道。需要说明的是，磁体可根据实际情况选择具体的数量，在本专利技术实施例中，选择数量为多个的磁体放置于主漏磁空道中，能够更好的分割主漏磁空道内的磁力，使磁路特性改变有着很大的帮助，为了进一步更好的改变磁路特性，将这些磁体沿主漏磁空道的周向均匀的分布，使其分割磁力更加均匀且改变磁路特性效果更强，通过如此设置，能够极大的降低主漏磁空道中磁路的磁阻，从而实现阻抗的提高，与现有技术相比，具有分割磁力能力强和改变磁路特性后磁阻低的特点。为了优化上述技术方案，如图1所示，六个磁体沿周向均布于主漏磁空道。需要说明的是，将六个磁体沿周向均布于主漏磁空道仅为本专利技术所提供的一个实施例，磁体的数量可根据实际情况具体选择，这里把六个磁体沿主漏磁空道的周向均匀的分布，意在证明在主漏磁空道中放置数量多个的磁体，是否能极大的降低磁路的磁阻，从而实现阻抗的提高，经过实际实验，相对于不放置硅钢片组时，主绝缘距离可缩短1/2-2/3之间，绝缘距离的缩短将大大降低磁路的磁阻，使得本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高阻抗芯式变压器，其特征在于，包括：器身和磁体；/n所述器身的至少一个主漏磁空道放置有所述磁体。/n

【技术特征摘要】
1.一种高阻抗芯式变压器，其特征在于，包括：器身和磁体；
所述器身的至少一个主漏磁空道放置有所述磁体。


2.根据权利要求1所述的高阻抗芯式变压器，其特征在于，所述高阻抗芯式变压器为单相三线圈变压器或多相三线圈变压器，所述器身包括：铁芯柱(1)、内线圈(2)、中线圈(3)和外线圈(5)；
所述磁体设置于所述中线圈(3)和所述外线圈(5)之间。


3.根据权利要求1所述的高阻抗芯式变压器，其特征在于，所述高阻抗芯式变压器为单相双线圈变压器或多相双线圈变压器，所述器身包括：铁芯柱(1)、内线圈(2)和中线圈(3)；
所述磁体设置于所述内线圈(2)和中线圈(3)之间。


4.根据权利要求1所述的高阻抗芯式变压器，其特征在于，所述磁体为硅钢片组(4)。

【专利技术属性】
技术研发人员：职迎安，李坤，马祺婷，卢文，王晓峰，
申请(专利权)人：西安西电变压器有限责任公司，中国西电电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61