具有自动错误修复机制的存储器存储装置和其方法制造方法及图纸

本发明专利技术针对一种存储器存储装置和其自动错误修复方法。在一方面，存储器存储装置包含：连接接口，配置成接收写入命令和与写入命令相关联的字线地址；存储器阵列，包含具有错误校正码(ECC)检测器、由字线地址控制的多个存储器单元以及由冗余字线地址控制的多个冗余存储器单元的存储器库；熔丝熔断控制器，配置成接收字线地址以熔断字线地址的电熔丝以启动多个冗余存储器单元；以及存储器控制电路，配置成响应于电熔丝已熔断，通过位线将数据从多个存储器单元传送到多个冗余存储器单元中。

【技术实现步骤摘要】
具有自动错误修复机制的存储器存储装置和其方法
本专利技术针对一种具有自动错误修复机制的存储器存储装置和由存储器存储装置使用的自动错误修复方法。
技术介绍
当前，由于存储在存储器存储装置中的用户数据预期是高度可靠的，典型存储器存储装置应用特定错误校正码(errorcorrectioncode；ECC)技术，以检测位故障(bitfailures)且随后恢复与位故障相关联的数据。如果存储器存储装置中的单元遭到损坏或变得更弱，那么存储在受损单元中的存储位(memorybits)可通过ECC来检测。然而，通过ECC可能无法修复物理上损坏或磨损(wornout)的单元，且由此存储在这些受损单元上的存储位将很可能继续发生故障。此外，ECC只能够修复预定数目的位。如果相同列地址或行地址中除了预定数目的位之外的一个或多个额外位出现故障，那么无法通过ECC来修复数据。由于任何ECC技术对于修复所存存储储位都具有限制，因此在例如单元到单元短路(celltocellshort)、字线方向故障(例如，浮动字线、字线短路到位线等)等的情况下，存储器存储装置可经历不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器存储装置，包括：/n连接接口，配置成接收写入命令或读取命令以及与所述写入命令或读取命令相关联的字线地址；/n存储器阵列，包括存储器库，所述存储器库包括错误校正码(ECC)检测器、由字线地址控制的多个存储器单元以及由冗余字线地址控制的多个冗余存储器单元；/n熔丝熔断控制器，配置成接收所述字线地址以熔断所述字线地址的电熔丝以启动所述多个冗余存储器单元，以及/n存储器控制电路，耦接到所述连接接口、所述存储器阵列以及所述熔丝熔断控制器，且配置成：/n响应于接收所述写入命令或读取命令，对所述多个存储器单元执行写入操作或读取操作；/n响应于检测来自所述写入操作或读取操作的错误，从所述错误校正...

【技术特征摘要】
20200214 US 16/790,7501.一种存储器存储装置，包括：
连接接口，配置成接收写入命令或读取命令以及与所述写入命令或读取命令相关联的字线地址；
存储器阵列，包括存储器库，所述存储器库包括错误校正码(ECC)检测器、由字线地址控制的多个存储器单元以及由冗余字线地址控制的多个冗余存储器单元；
熔丝熔断控制器，配置成接收所述字线地址以熔断所述字线地址的电熔丝以启动所述多个冗余存储器单元，以及
存储器控制电路，耦接到所述连接接口、所述存储器阵列以及所述熔丝熔断控制器，且配置成：
响应于接收所述写入命令或读取命令，对所述多个存储器单元执行写入操作或读取操作；
响应于检测来自所述写入操作或读取操作的错误，从所述错误校正码检测器接收故障指示；
响应于接收所述故障指示，熔断所述字线地址的所述电熔丝以启动所述多个冗余存储器单元；以及
响应于所述电熔丝已熔断，通过位线将数据从所述多个存储器单元传送到所述多个冗余存储器单元中。


2.根据权利要求1所述的存储器存储装置，其中通过所述位线将所述数据从所述多个存储器单元传送到所述多个冗余存储器单元中包括：
检测自动刷新命令；以及
通过将所述数据从感测放大器复制到所述多个冗余存储器单元中，将数据从所述多个存储器单元通过所述位线传送到所述多个冗余存储器单元中。


3.根据权利要求2所述的存储器存储装置，其中通过所述位线将所述数据从所述多个存储器单元传送到所述多个冗余存储器单元中还包括：
通过所述位线将所述数据从所述多个存储器单元传送到所述多个冗余存储器单元中，而无需通过数据线传送所述数据。


4.根据权利要求1所述的存储器存储装置，其中所述错误校正码检测器配置成：
执行错误校正码检查；
响应于所述错误校正码检查失败，修复与所述字线地址相关联的字线；以及
响应于未能修复所述数据，将所述故障指示发送到所述存储器控制电路。


5.根据权利要求4所述的存储器存储装置，其中响应于未能修复所述数据而将所述故障指示发送到所述存储器控制电路包括：
响应于未能修复所述数据，将所述字线地址和错误校正码故障标志发送到所述存储器控制电路。


6.根据权利要求5所述的存储器存储装置，其中所述熔丝熔断控制器进一步配置为：
发送指示熔断所述字线地址的所述电熔丝已完成的熔丝熔断标志。


7.根据权利要求6所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路进一步配置成：
响应于接收所述熔丝熔断标志和所述错误校正码故障标志，等待自动刷新命令或自刷新命令。


8.根据权利要求7所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路进一步配置成：
响应于接收所述自动刷新命令或所述自刷新命令，刷新所述多个冗余存储器单元。


9.根据权利要求5所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路还包括：
刷新地址闩锁，配置成接收所述错误校正码故障标志和所述字线地址以用于执行所述多个冗余存储器单元的刷新...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴山河，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71