一种多通道提升RAID保护下的闪存方法技术

本发明专利技术属于闪存识别技术领域，尤其是一种多通道提升RAID保护下的闪存方法，针对现有的通道提升RAID保护下的闪存方法，不能对数据进行筛选排序，且不能对其进行择优录入的问题，现提出如下方案，其包括以下步骤：S1：主机得到数据传送到存储器控制芯片的缓冲区；S2：对数据进行筛选分类；S3：对闪存模块进行分类；S4：对筛选后的数据进行分析排序；S5：存储器控制芯片内的闪存指令控制装置发出指令将筛选后的数据与闪存模块分类进行对应标记；S6：自动识别排序优先录入；S7：提取数据时，需要对模块识别，提取需要的数据。本发明专利技术结构简单，可对数据进行筛选排序和对数据进行择优录入，方便人们使用。

【技术实现步骤摘要】
一种多通道提升RAID保护下的闪存方法
本专利技术涉及闪存识别
，尤其涉及一种多通道提升RAID保护下的闪存方法。
技术介绍
闪存为非消失性的存储器装置，能保存数据。不会再失去电力后遗失数据，常见的有存储三个比特的三级单元(TLC)，两个比特的多级单元(MLC)闪存以及一个单级单元(SLC)闪存，当单元内储存的比特数越多，容量也越大。现有的通道提升RAID保护下的闪存方法，不能对数据进行筛选排序，且不能对其进行择优录入。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有的通道提升RAID保护下的闪存方法，不能对数据进行筛选排序，且不能对其进行择优录入的缺点，而提出的一种多通道提升RAID保护下的闪存方法。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种多通道提升RAID保护下的闪存方法，包括以下步骤：S1：主机得到数据传送到存储器控制芯片的缓冲区；S2：对数据进行筛选分类；S3：对闪存模块进行分类；S4：对筛选后的数据进行分析排序；S5：存储器控制芯片内的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多通道提升RAID保护下的闪存方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：主机得到数据传送到存储器控制芯片的缓冲区；/nS2：对数据进行筛选分类；/nS3：对闪存模块进行分类；/nS4：对筛选后的数据进行分析排序；/nS5：存储器控制芯片内的闪存指令控制装置发出指令将筛选后的数据与闪存模；/nS6：自动识别排序优先录入；/nS7：提取数据时，需要对模块识别，提取需要的数据。/n

【技术特征摘要】
1.一种多通道提升RAID保护下的闪存方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：主机得到数据传送到存储器控制芯片的缓冲区；
S2：对数据进行筛选分类；
S3：对闪存模块进行分类；
S4：对筛选后的数据进行分析排序；
S5：存储器控制芯片内的闪存指令控制装置发出指令将筛选后的数据与闪存模；
S6：自动识别排序优先录入；
S7：提取数据时，需要对模块识别，提取需要的数据。


2.根据权利要求1所述的一种多通道提升RAID保护下的闪存方法，其特征在于，所述S1中主机得到的数据直接传送至存储器控制芯片的缓冲区域进行暂时存储。


3.根据权利要求1所述的一种多通道提升RAID保护下的闪存方法，其特征在于，所述S2中将数据的类别进行筛选，筛选后分类为n个不同区域，并命名。


4.根据权利要求1所述的一种多通道提升RAID保护下的闪存方法，其特征在于，所述S3中将闪存模块分为n个不同模块，并对n个模块...

【专利技术属性】
技术研发人员：李庭育，陈育鸣，洪振洲，
申请(专利权)人：江苏华存电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32