Flash坏块处理方法、装置、计算机设备和可读存储介质制造方法及图纸

技术编号:29671914 阅读:21 留言:0更新日期:2021-08-13 21:53
本发明专利技术提供一种Flash坏块处理方法、装置、计算机设备和可读存储介质,该Flash坏块处理方法应用于设置有映射配置模块的Flash存储器,包括:在检测到Flash存储器的编程区中产生坏块后,将坏块的编程数据转移至映射区的配置块;获取坏块的坏块地址以及配置块的配置块地址;根据坏块地址以及配置块地址利用预设规则更新映射配置模块中相应的映射信息。本发明专利技术的Flash坏块处理方法,通过在Flash存储器中设置有映射配置模块,在产生Flash存储器产生坏块并转移坏块上的编程数据至配置块后,可以更新映射配置模块上相应的映射关系,并且该映射配置模块可以通过用户进行灵活配置,使Flash存储器即使出现多次坏块仍能正常使用,从而提高Flash存储器的良品率以及使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
Flash坏块处理方法、装置、计算机设备和可读存储介质
本专利技术涉及Flash管理领域,具体而言,涉及一种Flash坏块处理方法、装置、计算机设备和可读存储介质。
技术介绍
现有的Flash存储器的坏块管理中,一般是设定编程区的块与映射区的配置块的一一对应的映射关系,在编程区的块变为坏块时,则转移坏块的数据至配置块,从而确保Flash存储器可以正常运行。可是一旦坏块相应的配置块也变为坏块时,该Flash存储器则无法继续正常使用的,从而使Flash存储器的良品率以及使用寿命较低。
技术实现思路
鉴于上述问题,本专利技术提供了一种Flash坏块处理方法、装置、计算机设备和可读存储介质,以使Flash存储器即使出现多次坏块仍能正常使用,从而提高Flash存储器的良品率以及使用寿命。为了实现上述目的,本专利技术采用如下的技术方案:一种Flash坏块处理方法,应用于设置有映射配置模块的Flash存储器,包括:在检测到Flash存储器的编程区中产生坏块后,将所述坏块的编程数据转移至映射区的配置块;获取所述坏块的坏块地址以及所述配置块的配置块地址;根据所述坏块地址以及所述配置块地址利用预设规则更新所述映射配置模块中相应的映射信息。优选地,所述的Flash坏块处理方法中,所述映射配置模块包括多个寄存器,以及与多个所述寄存器连接的数据选择器,所述寄存器包括标志位、坏块地址位以及配置块地址位。优选地,所述的Flash坏块处理方法中,所述根据所述坏块地址以及所述配置块地址利用预设规则更新所述映射配置模块中相应的映射信息包括:对所述坏块地址以及所述配置块地址进行预设位宽转换,获得第一坏块地址以及第一配置块地址;根据所述第一坏块地址查找所述映射配置模块中相应的寄存器;在查找到所述相应的寄存器后,利用所述数据选择器将所述第一配置块地址更新至所述相应的寄存器的配置块地址位。优选地,所述的Flash坏块处理方法中,所述根据所述坏块地址以及所述配置块地址利用预设规则更新所述映射配置模块中相应的映射信息还包括:在未查找到所述相应的寄存器时,查找标志位表征为未映射的寄存器;将所述第一坏块地址以及所述第一配置块地址分别写入至未映射的寄存器的坏块地址位以及配置块地址位;更新所述寄存器的标志位表征为已映射。优选地,所述的Flash坏块处理方法中,所述根据所述坏块地址以及所述配置块地址利用预设规则更新所述映射配置模块中相应的映射信息包括:对所述坏块地址以及所述配置块地址进行预设位宽转换,获得第一坏块地址以及第一配置块地址;根据所述第一坏块地址查找所述映射配置模块中相应的寄存器;在查找到所述相应的寄存器后,获取所述寄存器的配置块地址位的第二配置块地址;查找标志位表征为未映射的寄存器;将所述第二配置块地址以及所述第一配置块地址分别写入至所述未映射的寄存器的坏块地址位以及配置块地址位;更新所述相应的寄存器的标志位表征为已映射。优选地,所述的Flash坏块处理方法中,还包括:接收到编程数据操作指令时,从所述编程数据操作指令中提取编程数据相应的块地址,并进行预设位宽转换,获得第一块地址;利用所述第一块地址与所述映射配置模块中的所述寄存器的坏块地址位进行匹配;匹配到相应的寄存器后,获取所述相应的寄存器中的配置块地址,并进行预设位宽逆转换,获得第二块地址;利用所述第二块地址同步处理所述编程数据操作指令;在未匹配到所述相应的寄存器时,利用所述第一块地址同步处理所述编程数据操作指令。优选地,所述的Flash坏块处理方法中,所述预设位宽转换为将第一预设位宽的地址转换为第二预设位宽的地址,所述第一预设位宽大于所述第二预设位宽,所述第一预设位宽为坏块地址以及配置块地址各自的地址位宽。本专利技术还提供一种Flash坏块处理装置,应用于设置有映射配置模块的Flash存储器,包括:编程数据转移模块,用于在检测到Flash存储器的编程区中产生坏块后,将所述坏块的编程数据转移至映射区的配置块;块地址获取模块,用于获取所述坏块的坏块地址以及所述配置块的配置块地址;配置模块更新模块,用于根据所述坏块地址以及所述配置块地址利用预设规则更新所述映射配置模块中相应的映射信息。本专利技术还提供一种计算机设备,包括存储器以及处理器,所述存储器存储有计算机程序,所述计算机程序在所述处理器上运行时执行所述的Flash坏块处理方法。本专利技术还提供一种可读存储介质,其存储有计算机程序,所述计算机程序在处理器上运行时执行所述的Flash坏块处理方法。本专利技术提供一种Flash坏块处理方法,该Flash坏块处理方法应用于设置有映射配置模块的Flash存储器,包括:在检测到Flash存储器的编程区中产生坏块后,将所述坏块的编程数据转移至映射区的配置块;获取所述坏块的坏块地址以及所述配置块的配置块地址;根据所述坏块地址以及所述配置块地址利用预设规则更新所述映射配置模块中相应的映射信息。本专利技术的Flash坏块处理方法,通过在Flash存储器中设置有映射配置模块,在产生Flash存储器产生坏块并转移坏块上的编程数据至配置块后,可以更新映射配置模块上相应的映射关系,并且该映射配置模块可以通过用户进行灵活配置,使Flash存储器即使出现多次坏块仍能正常使用,从而提高Flash存储器的良品率以及使用寿命。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例,因此不应被看作是对本专利技术保护范围的限定。在各个附图中,类似的构成部分采用类似的编号。图1是本专利技术实施例1提供的一种Flash坏块处理方法的流程图;图2是本专利技术实施例2提供的一种更新映射配置模块的流程图;图3是本专利技术实施例2提供的另一种更新映射配置模块的流程图;图4是本专利技术实施例3提供的一种更新映射配置模块的流程图;图5是本专利技术实施例4提供的一种Flash坏块处理方法的流程图;图6是本专利技术实施例5提供的一种Flash坏块处理装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围,而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。在下文中,可在本专利技术的各种实施例中使用的术语“包括”、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Flash坏块处理方法,其特征在于,应用于设置有映射配置模块的Flash存储器,包括:/n在检测到Flash存储器的编程区中产生坏块后,将所述坏块的编程数据转移至映射区的配置块;/n获取所述坏块的坏块地址以及所述配置块的配置块地址;/n根据所述坏块地址以及所述配置块地址利用预设规则更新所述映射配置模块中相应的映射信息。/n

【技术特征摘要】
1.一种Flash坏块处理方法,其特征在于,应用于设置有映射配置模块的Flash存储器,包括:
在检测到Flash存储器的编程区中产生坏块后,将所述坏块的编程数据转移至映射区的配置块;
获取所述坏块的坏块地址以及所述配置块的配置块地址;
根据所述坏块地址以及所述配置块地址利用预设规则更新所述映射配置模块中相应的映射信息。


2.根据权利要求1所述的Flash坏块处理方法,其特征在于,所述映射配置模块包括多个寄存器,以及与多个所述寄存器连接的数据选择器,所述寄存器包括标志位、坏块地址位以及配置块地址位。


3.根据权利要求2所述的Flash坏块处理方法,其特征在于,所述根据所述坏块地址以及所述配置块地址利用预设规则更新所述映射配置模块中相应的映射信息包括:
对所述坏块地址以及所述配置块地址进行预设位宽转换,获得第一坏块地址以及第一配置块地址;
根据所述第一坏块地址查找所述映射配置模块中相应的寄存器;
在查找到所述相应的寄存器后,利用所述数据选择器将所述第一配置块地址更新至所述相应的寄存器的配置块地址位。


4.根据权利要求3所述的Flash坏块处理方法,其特征在于,所述根据所述坏块地址以及所述配置块地址利用预设规则更新所述映射配置模块中相应的映射信息还包括:
在未查找到所述相应的寄存器时,查找标志位表征为未映射的寄存器;
将所述第一坏块地址以及所述第一配置块地址分别写入至未映射的寄存器的坏块地址位以及配置块地址位;
更新所述寄存器的标志位表征为已映射。


5.根据权利要求2所述的Flash坏块处理方法,其特征在于,所述根据所述坏块地址以及所述配置块地址利用预设规则更新所述映射配置模块中相应的映射信息包括:
对所述坏块地址以及所述配置块地址进行预设位宽转换,获得第一坏块地址以及第一配置块地址;
根据所述第一坏块地址查找所述映射配置模块中相应的寄存器;
在查找到所述相应的寄存器后,获取所述寄存器的配置块地址位的第二配置...

【专利技术属性】
技术研发人员:尚军辉彭程庄腾飞
申请(专利权)人:深圳市汇春科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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