一种硅胶片加工生产工艺制造技术

本发明专利技术涉及硅胶片加工技术领域，尤其涉及一种硅胶片加工生产工艺，包括以下步骤：S1、将乙烯基硅油60‑80份、含氢硅油10‑18份、改性蒙脱石12‑16份、氧化锌20‑35份、氧化铝25‑40份、氧化铈2‑5份和氧化硅3‑6份加入到搅拌釜中搅拌；S2、待S1中的产物搅拌均匀后加入硅烷偶联剂3‑6份，超声分散10‑15min；S3、将S2所得的产物冷却到室温，加入催化剂1‑2份，继续搅拌；S4、将S3所得的产物抽真空，脱去气泡，得到膏状胚料；S5、将膏状胚料压延成片状后剪裁、固化得到硅胶片，本工艺提出的硅胶片，其导热性能好，且热稳定性好，长时间使用后，仍能够保持较好的导热性能，适合推广使用。

【技术实现步骤摘要】
一种硅胶片加工生产工艺
本专利技术涉及硅胶片加工
，尤其涉及一种硅胶片加工生产工艺。
技术介绍
各种各样的电子产品广泛的应用于我的生活当中，大到电视机，小到MP3，所有的电子产品都会涉及一个散热的问题，通常一些体积较大的电子产品都会配置一个散热用的风扇，但是对于一些体积小的电子产品来说，配置风扇则显得有些不实际，因为这些产品的内部并没有足够的空间去容纳一个风扇，这个时候就需要配置体积更小的散热片来进行散热，在将散热片与发热元件进行连接的时候，通常都需要用到硅胶片来导热，现有的硅胶片热稳定性不好，长时间使用后，导热性能明显下降，因此，我们提出了一种硅胶片加工生产工艺用于解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种硅胶片加工生产工艺。一种硅胶片加工生产工艺，包括以下步骤：S1、将乙烯基硅油60-80份、含氢硅油10-18份、改性蒙脱石12-16份、氧化锌20-35份、氧化铝25-40份、氧化铈2-5份和氧化硅3-6份加入到搅拌釜中搅拌；S2、待S1中的产物搅拌均匀后加入硅烷偶联剂3-6份，超声分散10-15min；S3、将S2所得的产物冷却到室温，加入催化剂1-2份，继续搅拌；S4、将S3所得的产物抽真空，脱去气泡，得到膏状胚料；S5、将膏状胚料压延成片状后剪裁、固化得到硅胶片。优选的，所述改性蒙脱石由以下方法制备而成：将蒙脱石用稀酸浸泡，完毕后漂洗干净、烘干，然后向蒙脱石中加入甲基硅油，真空环境下，微波处理1-2min，得到改性蒙脱石。优选的，甲基硅油与蒙脱石的质量比为(1.5-2.5):1。优选的，所述稀酸为稀硫酸、稀盐酸和稀硝酸中的一种，稀酸中氢离子的浓度为0.1-0.3mol/L。优选的，所述硅烷偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷和乙烯基三甲氧基硅烷中的一种。优选的，所述氧化锌的粒径为100-300nm，所述氧化铝的粒径为0.5-2μm，所述氧化铈的粒径为400-600nm。优选的，所述催化剂为甲基硅油稀释成含量为0.0015-0.0002wt％的铂金催化剂。优选的，所述S1中搅拌速度为180-300rmp，搅拌时间为2-3h；S3中搅拌速度为400-600rmp，搅拌时间为30-45min。本专利技术的有益效果是：本工艺提出的硅胶片，其导热性能好，且热稳定性好，长时间使用后，仍能够保持较好的导热性能，适合推广使用。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步解说。实施例1中，一种硅胶片加工生产工艺，包括以下步骤：S1、将乙烯基硅油60份、含氢硅油10份、改性蒙脱石12份、氧化锌20份、氧化铝25份、氧化铈2份和氧化硅3份加入到搅拌釜中搅拌；S2、待S1中的产物搅拌均匀后加入硅烷偶联剂3份，超声分散10min；S3、将S2所得的产物冷却到室温，加入催化剂1份，继续搅拌；S4、将S3所得的产物抽真空，脱去气泡，得到膏状胚料；S5、将膏状胚料压延成片状后剪裁、固化得到硅胶片。进一步的，改性蒙脱石由以下方法制备而成：将蒙脱石用稀酸浸泡，完毕后漂洗干净、烘干，然后向蒙脱石中加入甲基硅油，真空环境下，微波处理1-2min，得到改性蒙脱石。进一步的，甲基硅油与蒙脱石的质量比为1.5:1。进一步的，稀酸为稀硫酸、稀盐酸和稀硝酸中的一种，稀酸中氢离子的浓度为0.1mol/L。进一步的，硅烷偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷和乙烯基三甲氧基硅烷中的一种。进一步的，氧化锌的粒径为100-300nm，所述氧化铝的粒径为0.5-2μm，所述氧化铈的粒径为400-600nm。进一步的，催化剂为甲基硅油稀释成含量为0.0015wt％的铂金催化剂。进一步的，S1中搅拌速度为180rmp，搅拌时间为2h；S3中搅拌速度为400rmp，搅拌时间为30min。实施例2中，一种硅胶片加工生产工艺，包括以下步骤：S1、将乙烯基硅油80份、含氢硅油18份、改性蒙脱石16份、氧化锌35份、氧化铝40份、氧化铈5份和氧化硅6份加入到搅拌釜中搅拌；S2、待S1中的产物搅拌均匀后加入硅烷偶联剂6份，超声分散15min；S3、将S2所得的产物冷却到室温，加入催化剂2份，继续搅拌；S4、将S3所得的产物抽真空，脱去气泡，得到膏状胚料；S5、将膏状胚料压延成片状后剪裁、固化得到硅胶片。进一步的，改性蒙脱石由以下方法制备而成：将蒙脱石用稀酸浸泡，完毕后漂洗干净、烘干，然后向蒙脱石中加入甲基硅油，真空环境下，微波处理2min，得到改性蒙脱石。进一步的，甲基硅油与蒙脱石的质量比为2.5:1。进一步的，稀酸为稀硫酸、稀盐酸和稀硝酸中的一种，稀酸中氢离子的浓度为0.3mol/L。进一步的，硅烷偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷和乙烯基三甲氧基硅烷中的一种。进一步的，氧化锌的粒径为300nm，所述氧化铝的粒径为2μm，所述氧化铈的粒径为600nm。进一步的，催化剂为甲基硅油稀释成含量为0.0002wt％的铂金催化剂。进一步的，S1中搅拌速度为300rmp，搅拌时间为3h；S3中搅拌速度为600rmp，搅拌时间为45min。实施例3中，一种硅胶片加工生产工艺，包括以下步骤：S1、将乙烯基硅油70份、含氢硅油15份、改性蒙脱石14份、氧化锌25份、氧化铝32份、氧化铈4份和氧化硅4份加入到搅拌釜中搅拌；S2、待S1中的产物搅拌均匀后加入硅烷偶联剂4份，超声分散12min；S3、将S2所得的产物冷却到室温，加入催化剂2份，继续搅拌；S4、将S3所得的产物抽真空，脱去气泡，得到膏状胚料；S5、将膏状胚料压延成片状后剪裁、固化得到硅胶片。进一步的，改性蒙脱石由以下方法制备而成：将蒙脱石用稀酸浸泡，完毕后漂洗干净、烘干，然后向蒙脱石中加入甲基硅油，真空环境下，微波处理2min，得到改性蒙脱石。进一步的，甲基硅油与蒙脱石的质量比为2:1。进一步的，稀酸为稀硫酸、稀盐酸和稀硝酸中的一种，稀酸中氢离子的浓度为0.2mol/L。进一步的，硅烷偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷和乙烯基三甲氧基硅烷中的一种。进一步的，氧化锌的粒径为100-300nm，所述氧化铝的粒径为0.5-2μm，所述氧化铈的粒径为400-600nm。进一步的，催化剂为甲基硅油稀释成含量为0.0002wt％的铂金催化剂。进一步的，S1中搅拌速度为200rmp，搅拌时间为2.5h；S3中搅拌速度为500rmp，搅拌时间为40min。实施例1-3中，本工艺提出的硅胶片，其导热性能好，且热稳定性好，改性蒙脱石中的蒙脱石，经过微波处理后，蒙脱石发生局部塌陷，使得甲基硅油端部被卡在蒙脱石内，最终制成的产品中，蒙脱石与其他组分结合性好，长时间使用后，仍能够保持较好的导热性能，适合推广使用。以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅胶片加工生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、将乙烯基硅油60-80份、含氢硅油10-18份、改性蒙脱石12-16份、氧化锌20-35份、氧化铝25-40份、氧化铈2-5份和氧化硅3-6份加入到搅拌釜中搅拌；/nS2、待S1中的产物搅拌均匀后加入硅烷偶联剂3-6份，超声分散10-15min；/nS3、将S2所得的产物冷却到室温，加入催化剂1-2份，继续搅拌；/nS4、将S3所得的产物抽真空，脱去气泡，得到膏状胚料；/nS5、将膏状胚料压延成片状后剪裁、固化得到硅胶片。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅胶片加工生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将乙烯基硅油60-80份、含氢硅油10-18份、改性蒙脱石12-16份、氧化锌20-35份、氧化铝25-40份、氧化铈2-5份和氧化硅3-6份加入到搅拌釜中搅拌；
S2、待S1中的产物搅拌均匀后加入硅烷偶联剂3-6份，超声分散10-15min；
S3、将S2所得的产物冷却到室温，加入催化剂1-2份，继续搅拌；
S4、将S3所得的产物抽真空，脱去气泡，得到膏状胚料；
S5、将膏状胚料压延成片状后剪裁、固化得到硅胶片。


2.根据权利要求1所述的一种硅胶片加工生产工艺，其特征在于，所述改性蒙脱石由以下方法制备而成：将蒙脱石用稀酸浸泡，完毕后漂洗干净、烘干，然后向蒙脱石中加入甲基硅油，真空环境下，微波处理1-2min，得到改性蒙脱石。


3.根据权利要求2所述的一种硅胶片加工生产工艺，其特征在于，甲基硅油与蒙脱石的质量比为(1.5-2.5):1。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏小波，
申请(专利权)人：龙海铭坤工贸有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35