一种IGBT保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT保护电路，包括ACPL‑330J芯片，ACPL‑330J芯片上设有DESAT引脚，ACPL‑330J芯片设有VE引脚，VE引脚和DESAT引脚均通过线缆连接有滤波电容C，滤波电容C通过线缆连接稳压二极管Z，稳压二极管Z通过线缆连接有驱动电源参考地网络VT1‑，稳压二极管通过线缆连接有限流电阻R，限流电阻R通过线缆连接有上拉电阻R，上拉电阻R通过线缆连接有正驱动电源网络PDR1+，上拉电阻R通过线缆连接有快速恢复二极管D，滤波电容C与稳压二极管Z处于并联状态并通过线缆串联在电路中，限流电阻R与上拉电阻R处于并联状态并通过线缆串联在电路中；本一种IGBT保护电路具有保护引脚电压更加稳定、测试不容易误动作、更加可靠的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT保护电路
本技术涉及IGBT保护
，具体为一种IGBT保护电路。
技术介绍
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏。在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。传统的IGBT保护电路未引入上拉电压和上拉电阻，仅依靠IGBT的特性和快速恢复二极管的关断来使保护引脚悬空，进而达到保护的目的。这种方案容易受到保护吸收电容和寄生电容的影响使保护引脚电压不稳，在使用上特别是测试上容易误动作，不够可靠。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种IGBT保护电路，具有保护引脚电压足够稳、测试不易误动作、更加可靠的优点，解决了现有技术中的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种IGBT保护电路，包括ACPL-330J芯片，所述ACPL-330J芯片上设有DESAT引脚，所述ACPL-330J芯片设有VE引脚，所述VE引脚和DESAT引脚均通过线缆连接有滤波电容C，所述滤波电容C通过线缆连接稳压二极管Z，所述稳压二极管Z通过线缆连接有驱动电源参考地网络VT1-，所述稳压二极管通过线缆连接有限流电阻R，所述限流电阻R通过线缆连接有上拉电阻R，所述上拉电阻R通过线缆连接有正驱动电源网络PDR1+，所述上拉电阻R通过线缆连接有快速恢复二极管D。优选的，所述滤波电容C与稳压二极管Z处于并联状态并通过线缆串联在电路中。优选的，所述限流电阻R与上拉电阻R处于并联状态并通过线缆串联在电路中。优选的，所述快速恢复二极管D右侧通过线缆连接IGBT集电极。优选的，所述上拉电阻R阻值为8KΩ，所述限流电阻R阻值为150Ω。优选的，所述滤波电容C电容量为1000P，所述快速恢复二极管D重复峰值反向电压为1600V。与现有技术相比，本技术的有益效果如下：1.本一种IGBT保护电路采用ACPL-330J芯片，通过把芯片的去饱和电压输入引脚经过快速恢复二极管接至IGBT的集电极，利用IGBT导通时的集电极特性，加以上拉电压和电位钳制，使IGBT的保护更为快速精确可靠，采用上拉电阻防止保护吸收电容和寄生电容的影响，使保护引脚电压更加稳定。附图说明图1为本技术一种IGBT保护电路的整体结构示意图。图中标注说明：1、稳压二极管Z；2、快速恢复二极管D；3、ACPL-330J芯片；4、正驱动电源网络PDR1+；5、驱动电源参考地网络VT1-；14、DESAT引脚；16、VE引脚；31、限流电阻R；28、上拉电阻R；19、滤波电容C。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。实施例1：请参阅图1，一种IGBT保护电路,包括ACPL-330J芯片3，ACPL-330J芯片3上设有DESAT引脚14，ACPL-330J芯片3设有VE引脚16，VE引脚16和DESAT引脚14均通过线缆连接有滤波电容C19，滤波电容C19通过线缆连接稳压二极管Z1，稳压二极管Z1通过线缆连接有驱动电源参考地网络VT1-5，稳压二极管1通过线缆连接有限流电阻R31，限流电阻R31通过线缆连接有上拉电阻R28，上拉电阻R28通过线缆连接有正驱动电源网络PDR1+4，上拉电阻R28通过线缆连接有快速恢复二极管D2，滤波电容C19与稳压二极管Z1处于并联状态并通过线缆串联在电路中，限流电阻R31与上拉电阻R28处于并联状态并通过线缆串联在电路中，快速恢复二极管D2通过线缆连接IGBT集电极，上拉电阻R28阻值为8KΩ，限流电阻R31阻值为150Ω，滤波电容C19电容量为1000P，快速恢复二极管D2重复峰值反向电压为1600V。具体的，采用ACPL-330J芯片3，通过把芯片的去饱和电压输入引脚经过快速恢复二极管接至IGBT的集电极，利用IGBT导通时的集电极特性，加以上拉电压和电位钳制，使IGBT的保护更为快速精确可靠，采用上拉电阻R28防止保护吸收电容和寄生电容的影响，使保护引脚电压更加稳定。工作原理：本技术一种IGBT保护电路，ACPL-330J芯片3的去饱和电压输入DESAT引脚14经过限流电阻R31、快速恢复二极管D2后接至IGBT的集电极，其中稳压二极管Z1的阴极接IGBT集电极，阳极接限流电阻R31，同时快速恢复二极管D2的阳极经过上拉电阻R28接至正驱动电源网络PDR1+4；ACPL-330J芯片3的VE引脚16接驱动电源参考地网络VT1-5，VE引脚16与DESAT引脚14之间接稳压二极管Z1和滤波电容C19。正常工作时，IGBT集电极电压低，快速恢复二极管D2导通，DESAT引脚14电位低，内部保护不动作；工作异常如IGBT未能正确导通或者IGBT流过电流过大等状况时，IGBT集电极电压高，快速恢复二极管D2关断，经过上拉电压和稳压二极管Z1后DESAT引脚14电位高，内部保护动作，IGBT关断，并发送故障信息，保护系统。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点，对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术；因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT保护电路，其特征在于：包括ACPL-330J芯片(3)，所述ACPL-330J芯片(3)上设有DESAT引脚(14)，所述ACPL-330J芯片(3)设有VE引脚(16)，所述VE引脚(16)和DESAT引脚(14)均通过线缆连接有滤波电容C(19)，所述滤波电容C(19)通过线缆连接稳压二极管Z(1)，所述稳压二极管Z(1)通过线缆连接有驱动电源参考地网络VT1-(5)，所述稳压二极管Z(1)通过线缆连接有限流电阻R(31)，所述限流电阻R(31)通过线缆连接有上拉电阻R(28)，所述上拉电阻R(28)通过线缆连接有正驱动电源网络PDR1+(4)，所述上拉电阻R(28)通过线缆连接有快速恢复二极管D(2)。/n

【技术特征摘要】
1.一种IGBT保护电路，其特征在于：包括ACPL-330J芯片(3)，所述ACPL-330J芯片(3)上设有DESAT引脚(14)，所述ACPL-330J芯片(3)设有VE引脚(16)，所述VE引脚(16)和DESAT引脚(14)均通过线缆连接有滤波电容C(19)，所述滤波电容C(19)通过线缆连接稳压二极管Z(1)，所述稳压二极管Z(1)通过线缆连接有驱动电源参考地网络VT1-(5)，所述稳压二极管Z(1)通过线缆连接有限流电阻R(31)，所述限流电阻R(31)通过线缆连接有上拉电阻R(28)，所述上拉电阻R(28)通过线缆连接有正驱动电源网络PDR1+(4)，所述上拉电阻R(28)通过线缆连接有快速恢复二极管D(2)。


2.根据权利要求1所述的一种IGBT保护电路，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳春丽，
申请(专利权)人：深圳科朗电器有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44