【技术实现步骤摘要】
一种SiCMOSFET驱动器的短路保护电路
本技术涉及电力电子
，具体涉及一种SiCMOSFET驱动器的短路保护电路。
技术介绍
电力电子器件对提高电力设备的性能指标起着十分重要的作用。随着电动汽车、新能源等电力电子应用领域的蓬勃发展，功率变换器对效率、功率密度和耐高温等方面的要求也越来越高。由于硅器件的性能逐渐接近材料理论极限，以碳化硅为代表的新型功率器件应运而生。碳化硅半导体器件具有导通电阻低、击穿电压高和极限工作温度高等优点，在电力电子应用领域得到越来越广泛的应用。随着碳化硅半导体技术的不断发展，对碳化硅功率器件的研究也在不断展开和深入。SiCMOSFET为碳化硅功率器件的代表，其导通电阻RDS(on)和开关损耗均较低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，使其具有高温稳定性，SiCMOSFET的温度Tj(℃)与导通电阻RDS(on)的关系如图1所示，从图1可以看出，随着SiCMOSFET内部结温的升高，导通电阻RDS(on)也随之升高。实际电路存在的短路故障模式包括：1)在SiCMOSFE...
【技术保护点】
1.一种SiC MOSFET驱动器的短路保护电路，其特征在于，包括温度检测电路和控制电路；/n所述温度检测电路与控制电路连接，且两者分别与SiC MOSFET连接；/n所述短路保护电路还包括信号处理电路，所述信号处理电路一端连接温度检测电路，其另一端连接控制电路连接；/n所述控制电路包括数字逻辑电路、电压基准电路、电压检测电路和比较电路；/n所述数字逻辑电路一端与信号处理电路连接，其另一端通过电压基准电路与比较电路连接，所述比较电路与电压检测电路和SiC MOSFET分别连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种SiCMOSFET驱动器的短路保护电路，其特征在于，包括温度检测电路和控制电路；
所述温度检测电路与控制电路连接，且两者分别与SiCMOSFET连接；
所述短路保护电路还包括信号处理电路，所述信号处理电路一端连接温度检测电路，其另一端连接控制电路连接；
所述控制电路包括数字逻辑电路、电压基准电路、电压检测电路和比较电路；
所述数字逻辑电路一端与信号处理电路连接，其另一端通过电压基准电路与比较电路连接，所述比较电路与电压检测电路和SiCMOSFET分别连接。
2.根据权利要求1所述的SiCMOSFET驱动器的短路保护电路，其特征在于，所述信号处理电路包括滤波电路、钳位电路和AD转换电路；
所述滤波电路一端与温度检测电路连接，其另一端通过钳位电路与AD转换电路连接。
3.根据权利要求1所述的SiCMOSFET驱动器的短路保护电路，其特征在于，所述电压基准电路包括并联的恒压源电路和基准产生电路。
4.根据权利要求3所述的SiCMOSFET驱动器的短路保护电路，其特征在于，所述恒压源电路包括电压基准芯片D2、限流电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3和储能电容C1；
所述限流电阻R1两端分别连接第二供电电压VCC2和公共连接点A；所述电压基准芯片D2的阳极连接公共连接点B，其阴极连接公共连接点A，其参考端REF连接至分压电阻R2和分压电阻R3之间；所述储能电容C1的两端分别连接公共连接点A和公共连接点B；所述分压电阻R2和分压电阻R3串联后，一端连接公共连接点A，另一端连接公共连接点B；
所述基准产生电路包括分压电阻R4、分压电阻R5和储能电容C2；
所述分压电阻R5和储能电容C2并联后，一端通过分压电阻R4连接公共连接点A，另一端连接公共连接点B。
5.根据权利要求1所述的SiCMOSFET驱动器的短路保护电路，其特征在于，所述电压检测单元包括恒流源控制电路、恒流源电路、盲区电路、滤波电路、泄放电路和二极管检测电路；
所述恒流源控制电路一端连接数字逻辑电路，另一端与恒流源电路连接；所述恒流源电路的另一端通过盲区电容和滤波电路与二极管检测电路连接；所述泄放电路一端连接数字逻辑电路，其另一端连接于滤波电路与二极管检测电路之间。
6.根据权利要求5所述的SiCMOSFET驱动器的短路保护电路，其特征在于，所述恒流源...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙宝奎，张良，赵彩萍，朱宁辉，王蓓蓓，古哲韬，
申请(专利权)人：中电普瑞科技有限公司，中电普瑞电力工程有限公司，南瑞集团有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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