一种光二极管的测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种光二极管的测试装置，其包括激发模块，包括光源组件、斩波器、聚焦消色差透镜和函数发生器；信号收集模块，包括两个信号通道、处理器和用于承载待测器件的样品台，所述两个信号通道沿待测器件空间对称，所述两个信号通道中均包括信号收集组件。本发明专利技术光二极管的测试装置针对现有电致吸收光谱技术无法在正向偏压下测量光二极管的问题，通过在信号收集模块中引入平衡差分测量从而成功避免了光二极管电致发光对测试信号的干扰，从而成功实现在光二极管正向偏置情况下的电致吸收光谱测量。并为研究主动式电致发光器件的内部局域电场、内建电场和衰减机理等问题提供了有效地表征手段，具有重要实用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种光二极管的测试装置
本专利技术涉及发光测试
，特别涉及一种光二极管的测试装置。
技术介绍
信息产业中的显示工业不断进行技术革新。最初被广泛应用的阴极射线管(CRT)技术在上世纪末被以液晶显示(LCD)技术为代表的平面显示技术所取代。进入新世纪以来，基于半导体发光二极管(LED)的主动显示技术因其总体更优的显示画质，正逐渐挤占液晶显示的市场份额。此外，随着发光材料的不断革新，LED技术有望成为下一代主力显示技术。LED处在正向偏压导通状态时会产生电致发光。传统的基于III-V化合物的LED通常采用多层异质结结构，其中n型掺杂区域负责注入电子，p型掺杂区域负责注入空穴。电子-空穴在发光层中相遇产生光子。对于新型的薄膜LED而言，器件的多层结构通常表述为阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极。采用这类结构的LED包括有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QLED)和钙钛矿发光二极管(PLED)等。当在器件的两端电极施加一定的正向偏压时，由阳极注入并经HTL传输的空穴和由阴极注入并经ETL传输本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光二极管的测试装置，其特征在于，包括：/n激发模块，包括光源组件、斩波器、聚焦消色差透镜和函数发生器；/n信号收集模块，包括两个信号通道、处理器和用于承载待测器件的样品台，所述两个信号通道沿待测器件空间对称，所述两个信号通道中均包括信号收集组件；/n当测量器件在未施加电场下的反射或透射信号时，所述光源组件产生的单色光经过斩波器调制后由聚焦消色差透镜入射至待测器件，反射或透射光由其中一个信号通道进入处理器，由所述处理器处理得到待测器件在未施加电场下的反射信号或透射信号；/n当测量器件在工作状态下外部调制电场导致的反射或透射信号微扰时，所述光源组件产生的单色光经过聚焦消色差透镜后入射至待测...

【技术特征摘要】
1.一种光二极管的测试装置，其特征在于，包括：
激发模块，包括光源组件、斩波器、聚焦消色差透镜和函数发生器；
信号收集模块，包括两个信号通道、处理器和用于承载待测器件的样品台，所述两个信号通道沿待测器件空间对称，所述两个信号通道中均包括信号收集组件；
当测量器件在未施加电场下的反射或透射信号时，所述光源组件产生的单色光经过斩波器调制后由聚焦消色差透镜入射至待测器件，反射或透射光由其中一个信号通道进入处理器，由所述处理器处理得到待测器件在未施加电场下的反射信号或透射信号；
当测量器件在工作状态下外部调制电场导致的反射或透射信号微扰时，所述光源组件产生的单色光经过聚焦消色差透镜后入射至待测器件，所述函数发生器向待测器件施加直流与交流叠加的偏压，其中一信号通道收集电致发光强度信号和电致吸收信号，另一信号通道收集电致发光强度信号，由所述处理器处理得到待测器件在外部调制电场导致的反射或透射信号微扰，并结合在未施加电场下的反射信号或透射信号得到在反射或透射模式下的电致吸收光谱信号。


2.如权利要求1所述的光二极管的测试装置，其特征在于，当测量器件在工作状态下的电致吸收信号随直流偏压的变化时，根据得到的电致吸收光谱信号，选取其中一功能层的吸收峰值作为探测波长，并设定激发模块输出这一单色波长，使所述函数发生器依次输出线性变化的直流偏压以实现对器件的直流偏压扫描，所述处理器依次获得不同直流偏压下的电致吸收信号值。

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【专利技术属性】
技术研发人员：陈崧，陈星同，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32