【技术实现步骤摘要】
一种半导体级石英环的洗净方法
本专利技术涉及一种清洗方法，具体为一种半导体级石英环的洗净方法，属于石英环加工处理应用
技术介绍
随着电子产业的发展，对晶圆和相关件的表面质量要求也越来越高；其表面洁净度将会严重影响器件的成品率和进入下一步工艺的品质；石英制品由于其纯度非常高、耐热性、透光性、电气绝缘性、化学稳定性都很优良，被大量应用于半导体设备，所以对石英表面的洁净度的要求越来越高，已有的洗净工艺已经不能满足石英行业的需求，更先进的洗净技术一直是目前需要突破的技术难点；目前的洗净工艺无法很好的去除石英产品表面的有机物、颗粒物和无机金属离子的污染物，尤其是洗净后的金属离子残留量相对于目前工艺有显著降低，大大提高了送至第三方洗净的洗净成本及运输成本，且在产品加工周期的控制上无法达到理想，为此，我们提出一种半导体级石英环的洗净方法。
技术实现思路
本专利技术的目的就在于提供一种半导体级石英环的洗净方法。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种半导体级石英环的洗净方法，该方法...
【技术保护点】
1.一种半导体级石英环的洗净方法，其特征在于：该方法具体包括下述步骤：/n步骤一：选取出需要进行洗净的产品，先用异丙醇来擦拭石英产品，除去粗的污染物和油脂；/n步骤二：在异丙醇擦拭后，通过冲洗装置对产品表面进行纯水冲洗；/n步骤三：通过纯水冲洗后将产品放入洗净槽，对产品进行浸泡，浸泡时间控制30-50分钟；/n步骤四：将在洗净槽内浸泡过后的产品取出，再进行纯水漂洗；/n步骤五：纯水漂洗后进行酸洗；/n步骤六：对酸洗后的产品进行纯水漂洗，漂洗时间为20-30秒，溢流速度5-10L/min；/n步骤七：对纯水漂洗后的产品进行第一次超声波清洗；/n步骤八：超声波清洗后进行第一次吹...
【技术特征摘要】
1.一种半导体级石英环的洗净方法，其特征在于：该方法具体包括下述步骤：
步骤一：选取出需要进行洗净的产品，先用异丙醇来擦拭石英产品，除去粗的污染物和油脂；
步骤二：在异丙醇擦拭后，通过冲洗装置对产品表面进行纯水冲洗；
步骤三：通过纯水冲洗后将产品放入洗净槽，对产品进行浸泡，浸泡时间控制30-50分钟；
步骤四：将在洗净槽内浸泡过后的产品取出，再进行纯水漂洗；
步骤五：纯水漂洗后进行酸洗；
步骤六：对酸洗后的产品进行纯水漂洗，漂洗时间为20-30秒，溢流速度5-10L/min；
步骤七：对纯水漂洗后的产品进行第一次超声波清洗；
步骤八：超声波清洗后进行第一次吹干，气枪压力0.5-1Mpa，吹干为止；
步骤九：第一次吹干后进行受入检查；
步骤十：产品受入检查后再进行第二次超声波清洗，强度控制在40-60W/m2，溢流速度5-10L/min，洗净时间控制在40-60分钟；
步骤十一：对第二次超声波清洗后的产品进行第二次吹干，气枪压力0.5-1Mpa，吹干为止；
步骤十二：第二次吹干后将产品放进烘干炉进行烘干，烘干温度控制在150℃-200℃之间，烘干时间控制在30-40分钟；
步骤十三：最后进行包装，包装袋内需抽真空，包装袋材质采用PVC材质。
2.根据权利要求1所述的一种半导体级石英环的洗净方法，其特征在于，步骤二中纯水冲洗的具体方法为：每个产品每遍需冲洗5-10秒，冲洗3-6遍。
3.根据权利要求1所述的一种半导体级石英环的洗净方法，其特征在于，步骤四中的纯水漂洗具体方法为：漂洗时间5-10秒，溢流速度5-10L/min。
4.根据权利要求1所述的一种半导体级石英环的洗净方法，其特征在于，步骤五中酸洗中酸的成分为氢氟酸，浓度为5-10％，浸泡时间为10-20分钟。
5.根据权利要求1所述的一种半导体级石英环的洗净方法，其特征在于，步骤七中第一次超声波清洗中超声波强度控制在40-60W/m2，溢流速度5-10L/min，洗净时间控制在40-60分钟。
6.根据权利要求1所述的一种半导体级石英环的洗净方法，其特征在于，所述步骤二中的冲洗装置具体包括壳体(1)，所述壳体(1)内部分别安装有水箱(2)和水泵(4)，且水泵(4)固定在水箱(2)一端，所述水泵(4)的输入端设置在水箱(2)内，所述壳体(1)顶部通过安装架安装有冲洗头(5)，且冲洗头(5)通过连接管与水泵(4)的输出端连接，所述壳体(1)顶部开设有冲洗槽(9)，且冲洗头(5)正对冲洗槽(9)设置；
所述壳体(1)内部安装有驱动电机(3)，所述冲洗槽(9)内转动连接有转盘(8)，所述驱动电机(3)的输出轴端部...
【专利技术属性】
技术研发人员：房玉林，杨军，邹琴，
申请(专利权)人：江苏富乐德石英科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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