一种半导体级石英环的洗净方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体级石英环的洗净方法，该方法具体包括下述步骤：步骤一：选取出需要进行洗净的产品，先用异丙醇来擦拭石英产品，除去粗的污染物和油脂；步骤二：在异丙醇擦拭后，通过冲洗装置对产品表面进行纯水冲洗，确保产品无可视污染物；步骤三：通过纯水冲洗后将产品放入洗净槽，对产品进行浸泡，浸泡时间控制30‑50分钟；步骤四：将在洗净槽内浸泡过后的产品取出，再进行纯水漂洗；本发明专利技术通过向下按动推动板，使得推动板带动支撑杆向着远离转盘的方向运动，从而使得第一清洗头与第二清洗头之间的距离增加，将产品放入到冲洗槽内，快速对产品本体进行放置，节省清洗前准备工作所消耗的时间，提高工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体级石英环的洗净方法
本专利技术涉及一种清洗方法，具体为一种半导体级石英环的洗净方法，属于石英环加工处理应用

技术介绍
随着电子产业的发展，对晶圆和相关件的表面质量要求也越来越高；其表面洁净度将会严重影响器件的成品率和进入下一步工艺的品质；石英制品由于其纯度非常高、耐热性、透光性、电气绝缘性、化学稳定性都很优良，被大量应用于半导体设备，所以对石英表面的洁净度的要求越来越高，已有的洗净工艺已经不能满足石英行业的需求，更先进的洗净技术一直是目前需要突破的技术难点；目前的洗净工艺无法很好的去除石英产品表面的有机物、颗粒物和无机金属离子的污染物，尤其是洗净后的金属离子残留量相对于目前工艺有显著降低，大大提高了送至第三方洗净的洗净成本及运输成本，且在产品加工周期的控制上无法达到理想，为此，我们提出一种半导体级石英环的洗净方法。
技术实现思路
本专利技术的目的就在于提供一种半导体级石英环的洗净方法。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种半导体级石英环的洗净方法，该方法具体包括下述步骤：步骤一：选取出需要进行洗净的产品，先用异丙醇来擦拭石英产品，除去粗的污染物和油脂；步骤二：在异丙醇擦拭后，通过冲洗装置对产品表面进行纯水冲洗，确保产品无可视污染物；步骤三：通过纯水冲洗后将产品放入洗净槽，对产品进行浸泡，浸泡时间控制30-50分钟；步骤四：将在洗净槽内浸泡过后的产品取出，再进行纯水漂洗；步骤五：纯水漂洗后进行酸洗，酸洗后目视无可视污染物；步骤六：对酸洗后的产品进行纯水漂洗，漂洗时间为20-30秒，溢流速度5-10L/min；步骤七：对纯水漂洗后的产品进行第一次超声波清洗；步骤八：超声波清洗后进行第一次吹干，气枪压力0.5-1Mpa，吹干为止；步骤九：第一次吹干后进行受入检查；步骤十：产品受入检查后再进行第二次超声波清洗，强度控制在40-60W/m2，溢流速度5-10L/min，洗净时间控制在40-60分钟；步骤十一：对第二次超声波清洗后的产品进行第二次吹干，气枪压力0.5-1Mpa，吹干为止；步骤十二：第二次吹干后将产品放进烘干炉进行烘干，烘干温度控制在150℃-200℃之间，烘干时间控制在30-40分钟；步骤十三：最后进行包装，包装袋内需抽真空，包装袋材质采用PVC材质。本专利技术的进一步技术改进在于：步骤二中纯水冲洗的具体方法为：每个产品每遍需冲洗5-10秒，冲洗3-6遍。本专利技术的进一步技术改进在于：步骤四中的纯水漂洗具体方法为：漂洗时间5-10秒，溢流速度5-10L/min。本专利技术的进一步技术改进在于：步骤五中酸洗中酸的成分为氢氟酸，浓度为5-10％，浸泡时间为10-20分钟。本专利技术的进一步技术改进在于：步骤七中第一次超声波清洗中超声波强度控制在40-60W/m2，溢流速度5-10L/min，洗净时间控制在40-60分钟。本专利技术的进一步技术改进在于：所述步骤二中的冲洗装置具体包括壳体，所述壳体内部分别安装有水箱和水泵，且水泵固定再水箱一端，所述水泵的输入端设置在水箱内，所述壳体顶部通过安装架安装有冲洗头，且冲洗头通过连接管与水泵的输出端连接，所述壳体顶部开设有冲洗槽，且冲洗头正对冲洗槽设置；所述壳体内部安装有驱动电机，所述冲洗槽内转动连接有转盘，所述驱动电机的输出轴端部与转盘底部固定连接，所述转盘的外侧等角度设置有弧形杆，且弧形杆的一端通过铰链与转盘转动连接，所述弧形杆远离转盘的一端固定有第一清洗头，所述冲洗槽内设置有产品本体，且第一清洗头远离弧形杆的一端与产品本体内壁相配合；所述产品本体外侧套设有安装板，所述安装板内壁等角度开设有限位滑槽，所述限位滑槽内滑动连接有支撑杆，所述限位滑槽内设置有伸缩弹簧，所述伸缩弹簧的两端分别与支撑杆和安装板固定连接，所述支撑杆远离伸缩弹簧的一端贯穿安装板侧壁固定有第二清洗头，所述第一清洗头和第二清洗头相互配合。本专利技术的进一步技术改进在于：所述第一清洗头包括第一弧形板和第一安装板，所述第一弧形板与第一安装板通过连接导杆滑动连接；所述第一弧形板远离第一安装板的一端与弧形杆端部固定连接，所述第一弧形板一侧对称设置有第一连接杆，且第一连接杆的一端通过扭力弹簧与第一弧形板转动连接，所述第一安装板靠近第一弧形板的一侧对称开设有第一稳定槽，所述第一稳定槽内对称设置有第一稳定块，且第一稳定块滑动连接在第一稳定槽内，所述第一连接杆远离第一弧形板的一端分别与对应第一稳定槽内的两个第一稳定块转动连接；所述第一安装板远离第一弧形板的一侧安装有第一清洗毛刷，且第一清洗毛刷与产品本体内壁相互配合。本专利技术的进一步技术改进在于：所述第二清洗头包括第二弧形板和第二安装板；所述第二弧形板远离第二安装板的一端与支撑杆端部固定连接，所述第二弧形板一侧对称设置有第二连接杆，且第二连接杆的一端通过扭力弹簧与第二弧形板转动连接，所述第二安装板靠近第二弧形板的一侧对称开设有第二稳定槽，所述第二稳定槽内对称设置有第二稳定块，且第二稳定块滑动连接在第二稳定槽内，所述第二连接杆远离第二弧形板的一端分别与对应第二稳定槽内的两个第二稳定块转动连接；所述第二安装板远离第二弧形板的一侧安装有第二清洗毛刷，且第二清洗毛刷与产品本体外侧相互配合。本专利技术的进一步技术改进在于：所述安装板顶部设置有推动板，且推动板的底端设置在安装板内部，所述支撑杆顶部开设有限位槽，所述推动板底端设置在限位槽内，且推动板与限位槽相互配合；所述限位滑槽内部滑动连接有挡板，且挡板的两端分别与伸缩弹簧和支撑杆固定连接。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：1、本专利技术在使用时，通过向下按动推动板，使得推动板带动支撑杆向着远离转盘的方向运动，从而使得第一清洗头与第二清洗头之间的距离增加，将产品放入到冲洗槽内，快速对产品本体进行放置，节省清洗前准备工作所消耗的时间，提高工作效率；2、启动驱动电机和水泵，驱动电机带动转盘转动，转盘带动弧形杆转动，使得弧形杆带动第一弧形板和第一安装板向着产品的方向运动，从而使得第一清洗毛刷对产品本体进行清洁，由于第一连接杆通过扭力弹簧与第一弧形板转动连接，使得第一连接杆推动第一安装板，当第一安装板受到产品本体的反向推力时，使得第一连接杆反向转动，并使得两个第一稳定块滑动，产生一个反向的缓冲力，增加对产品本体的清洗效率，由于第二清洗头是不转动的，在转盘转动的同时，第二清洗毛刷对产品本体外侧进行清洁，第二连接杆、第二安装板和第二稳定块同时产生一个反向的缓冲力，避免在清洁时对产品本体造成损坏，同时伸缩弹簧还对支撑杆产生一个推动力，增加第二清洗头与产品本体之间的紧密性。3、通过本专利技术中的洗净方法，使得产品表面洗净洁净度高，可批量洗净高质量的石英环。附图说明为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图对本专利技术作进一步的说明；图1为本专利技术整体结构示意图；图2为本专利技术冲洗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体级石英环的洗净方法，其特征在于：该方法具体包括下述步骤：/n步骤一：选取出需要进行洗净的产品，先用异丙醇来擦拭石英产品，除去粗的污染物和油脂；/n步骤二：在异丙醇擦拭后，通过冲洗装置对产品表面进行纯水冲洗；/n步骤三：通过纯水冲洗后将产品放入洗净槽，对产品进行浸泡，浸泡时间控制30-50分钟；/n步骤四：将在洗净槽内浸泡过后的产品取出，再进行纯水漂洗；/n步骤五：纯水漂洗后进行酸洗；/n步骤六：对酸洗后的产品进行纯水漂洗，漂洗时间为20-30秒，溢流速度5-10L/min；/n步骤七：对纯水漂洗后的产品进行第一次超声波清洗；/n步骤八：超声波清洗后进行第一次吹干，气枪压力0.5-1Mpa，吹干为止；/n步骤九：第一次吹干后进行受入检查；/n步骤十：产品受入检查后再进行第二次超声波清洗，强度控制在40-60W/m

【技术特征摘要】
1.一种半导体级石英环的洗净方法，其特征在于：该方法具体包括下述步骤：
步骤一：选取出需要进行洗净的产品，先用异丙醇来擦拭石英产品，除去粗的污染物和油脂；
步骤二：在异丙醇擦拭后，通过冲洗装置对产品表面进行纯水冲洗；
步骤三：通过纯水冲洗后将产品放入洗净槽，对产品进行浸泡，浸泡时间控制30-50分钟；
步骤四：将在洗净槽内浸泡过后的产品取出，再进行纯水漂洗；
步骤五：纯水漂洗后进行酸洗；
步骤六：对酸洗后的产品进行纯水漂洗，漂洗时间为20-30秒，溢流速度5-10L/min；
步骤七：对纯水漂洗后的产品进行第一次超声波清洗；
步骤八：超声波清洗后进行第一次吹干，气枪压力0.5-1Mpa，吹干为止；
步骤九：第一次吹干后进行受入检查；
步骤十：产品受入检查后再进行第二次超声波清洗，强度控制在40-60W/m2，溢流速度5-10L/min，洗净时间控制在40-60分钟；
步骤十一：对第二次超声波清洗后的产品进行第二次吹干，气枪压力0.5-1Mpa，吹干为止；
步骤十二：第二次吹干后将产品放进烘干炉进行烘干，烘干温度控制在150℃-200℃之间，烘干时间控制在30-40分钟；
步骤十三：最后进行包装，包装袋内需抽真空，包装袋材质采用PVC材质。


2.根据权利要求1所述的一种半导体级石英环的洗净方法，其特征在于，步骤二中纯水冲洗的具体方法为：每个产品每遍需冲洗5-10秒，冲洗3-6遍。


3.根据权利要求1所述的一种半导体级石英环的洗净方法，其特征在于，步骤四中的纯水漂洗具体方法为：漂洗时间5-10秒，溢流速度5-10L/min。


4.根据权利要求1所述的一种半导体级石英环的洗净方法，其特征在于，步骤五中酸洗中酸的成分为氢氟酸，浓度为5-10％，浸泡时间为10-20分钟。


5.根据权利要求1所述的一种半导体级石英环的洗净方法，其特征在于，步骤七中第一次超声波清洗中超声波强度控制在40-60W/m2，溢流速度5-10L/min，洗净时间控制在40-60分钟。


6.根据权利要求1所述的一种半导体级石英环的洗净方法，其特征在于，所述步骤二中的冲洗装置具体包括壳体(1)，所述壳体(1)内部分别安装有水箱(2)和水泵(4)，且水泵(4)固定在水箱(2)一端，所述水泵(4)的输入端设置在水箱(2)内，所述壳体(1)顶部通过安装架安装有冲洗头(5)，且冲洗头(5)通过连接管与水泵(4)的输出端连接，所述壳体(1)顶部开设有冲洗槽(9)，且冲洗头(5)正对冲洗槽(9)设置；
所述壳体(1)内部安装有驱动电机(3)，所述冲洗槽(9)内转动连接有转盘(8)，所述驱动电机(3)的输出轴端部...

【专利技术属性】
技术研发人员：房玉林，杨军，邹琴，
申请(专利权)人：江苏富乐德石英科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32