反应气体流量控制装置及等离子体处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种反应气体流量控制装置及等离子体处理装置，所述反应气体流量控制装置包括：第一进气件，其包括至少一个第一通孔；气体通路，形成于所述第一进气件，用于所述反应气体的通入；所述反应气体流经所述气体通路，从所述第一通孔流出；至少一个调节件，所述调节件用于调节与对应的所述第一通孔的相对位置，从而调节对应的所述第一通孔处反应气体的流量。本实用新型专利技术可以使通入等离子体处理装置的反应气体的流量具有可调节性，提高晶片的刻蚀均匀性。

【技术实现步骤摘要】
反应气体流量控制装置及等离子体处理装置
本技术涉及半导体工艺设备
，具体涉及一种反应气体流量控制装置及等离子体处理装置。
技术介绍
现有技术中，等离子体处理装置使用气体输送系统输送反应气体到等离子体处理装置的真空反应腔内，通过射频功率源和线圈产生等离子体，从而对晶片进行刻蚀。如图1所示，等离子体处理装置的反应腔1顶部和侧壁均设有开口11，大部分反应气体通过顶部开口11进入反应腔1，也有少部分反应气体通过侧壁开口11进入反应腔1。顶部开口11安装有喷嘴6，目前反应气体是通过与喷嘴6连接的法兰7直接进入喷嘴6，喷嘴6底部设置有多个通孔，多个通孔在喷嘴6底部呈圆周分布，反应气体通过多个通孔流入反应腔1。目前该喷嘴6以及侧壁开口11处的进气流量是无法调节的。随着刻蚀工艺的发展，关键尺寸逐渐变小，对于晶片刻蚀速率的sidetoside指标(即晶片上刻蚀的均匀性)要求越来越高，刻蚀均匀性的差异可接受范围为从一开始1％～2％到0.5％，现在甚至需要做到小于0.5％的要求。针对这个需求，迫切需要对顶部开口和侧壁开口处的进气结构进行改进，使通入反应腔的反应气体的流量具有可调节性。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种反应气体流量控制装置及等离子体处理装置，以使通入的反应气体的流量具有可调节性，提高晶片的刻蚀均匀性。为了达到上述目的，本技术采用的技术方案如下：一种反应气体流量控制装置，其用于等离子体处理装置，包括：第一进气件，其包括至少一个第一通孔；气体通路，形成于所述第一进气件，用于所述反应气体的通入；所述反应气体流经所述气体通路，从所述第一通孔流出；至少一个调节件，所述调节件用于调节与对应的所述第一通孔的相对位置，从而调节对应的所述第一通孔处反应气体的流量。进一步的，在上述反应气体流量控制装置中，所述第一进气件具有第一凹槽，所述第一通孔设置在所述第一凹槽底部。进一步的，在上述反应气体流量控制装置中，还包括第二进气件，所述第二进气件安装于所述第一进气件上，第二进气件包括至少一个贯通的第一安装孔，每一所述第一安装孔均与一个所述第一通孔相对设置，每一所述调节件安装于一个所述第一安装孔内；所述第一凹槽与所述第二进气件之间形成第一腔体，所述气体通路由所述第一腔体形成。进一步的，在上述反应气体流量控制装置中，所述第一进气件包括具有所述第一凹槽的第一筒状结构和位于所述第一筒状结构顶部的限位环，所述限位环与所述第一筒状结构连接，所述第一筒状结构用于安装在所述等离子体处理装置的开口内，所述限位环不能通过所述开口。进一步的，在上述反应气体流量控制装置中，所述气体通路的进气口由所述限位环的侧壁上开设的若干第二通孔形成。进一步的，在上述反应气体流量控制装置中，所述第二进气件包括位于所述第一凹槽内的第一插块和位于所述第一凹槽外的第一限位块，所述第一插块的一端与所述第一限位块连接，另一端不与所述第一凹槽底部接触，所述第一安装孔贯通所述第一限位块和所述第一插块。进一步的，在上述反应气体流量控制装置中，还包括第二进气件，其具有第二凹槽，所述第二凹槽底部设有至少一个第二安装孔，所述第一进气件安装于所述第二进气件上，每一所述第二安装孔均与一个所述第一通孔相对设置，每一所述调节件安装于一个所述第二安装孔内；所述第二凹槽与所述第一进气件之间形成第二腔体，所述气体通路由所述第二腔体形成。进一步的，在上述反应气体流量控制装置中，所述第二进气件包括具有所述第二凹槽的第二筒状结构，所述第二筒状结构用于安装在所述等离子体处理装置的开口内。进一步的，在上述反应气体流量控制装置中，所述第一进气件包括位于所述第二凹槽内的第二插块和位于所述第二凹槽外的第二限位块，所述第二插块的一端与所述第二限位块连接，另一端不与所述第二凹槽底部接触；所述第一通孔贯通所述第二插块和所述第二限位块。进一步的，在上述反应气体流量控制装置中，所述调节件包括相连接的驱动模块和调节杆，所述驱动模块用于驱动所述调节杆朝向或远离对应的所述第一通孔运动。进一步的，在上述反应气体流量控制装置中，所述调节杆末端的端部可至少部分覆盖所述第一通孔，所述驱动模块驱动所述调节杆运动使末端的端部靠近或远离对应的所述第一通孔，以调节对应的所述第一通孔处反应气体的流量。进一步的，在上述反应气体流量控制装置中，所述调节杆末端具有能够插入所述第一通孔的调节区段，所述驱动模块驱动所述调节杆运动使所述调节区段插入或远离对应的所述第一通孔，以调节对应的所述第一通孔处反应气体的流量。进一步的，在上述反应气体流量控制装置中，所述调节区段的横截面的面积沿着朝向所述第一通孔的方向逐渐变小，所述驱动模块驱动所述调节杆运动使所述调节区段中不同面积的横截面与所述第一通孔的气体流入端共面，以调节对应的所述第一通孔处反应气体的流量。进一步的，在上述反应气体流量控制装置中，所述调节件的数量为多个，在任一时刻，各个所述调节件可同步或异步调节与对应的所述第一通孔的相对位置，从而调节所述第一通孔处反应气体的流量分布。一种等离子体处理装置，包括：反应腔，所述反应腔顶部和/或侧壁设置开口，所述开口设置如上文任一所述的反应气体流量控制装置。与现有技术相比，本技术技术方案具有以下有益效果：本技术提供的反应气体流量控制装置，在反应气体流经气体通路，从所述第一通孔流出时，可以根据实际需要利用所述调节件改变与对应的所述第一通孔的相对位置，使所述第一通孔可以处于打开状态、关闭状态或者具有不同的流通面积的状态，从而调节所述第一通孔处反应气体的流量，进而提高晶片的刻蚀均匀性。本技术提供的等离子体处理装置，由于具有上述的反应气体流量控制装置，因此也具备相同的有益效果。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有技术中等离子体处理装置的一种结构示意图；图2是本技术一实施例提供的一种等离子体处理装置的结构示意图；图3是本技术提供的第一种实施例的反应气体流量控制装置的结构示意图；图4是本技术提供的第二种实施例的反应气体流量控制装置的结构示意图。具体实施方式以下结合附图2～4和具体实施方式对本技术作进一步详细说明。根据下面说明，本技术的优点和特征将更清楚。需要说明的是，附图采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施方式的目的。为了使本技术的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应气体流量控制装置，其用于等离子体处理装置，其特征在于：包括：/n第一进气件，其包括至少一个第一通孔；/n气体通路，形成于所述第一进气件，用于所述反应气体的通入；所述反应气体流经所述气体通路，从所述第一通孔流出；/n至少一个调节件，所述调节件用于调节与对应的所述第一通孔的相对位置，从而调节对应的所述第一通孔处反应气体的流量。/n

【技术特征摘要】
1.一种反应气体流量控制装置，其用于等离子体处理装置，其特征在于：包括：
第一进气件，其包括至少一个第一通孔；
气体通路，形成于所述第一进气件，用于所述反应气体的通入；所述反应气体流经所述气体通路，从所述第一通孔流出；
至少一个调节件，所述调节件用于调节与对应的所述第一通孔的相对位置，从而调节对应的所述第一通孔处反应气体的流量。


2.如权利要求1所述的反应气体流量控制装置，其特征在于，所述第一进气件具有第一凹槽，所述第一通孔设置在所述第一凹槽底部。


3.如权利要求2所述的反应气体流量控制装置，其特征在于，还包括第二进气件，所述第二进气件安装于所述第一进气件上，第二进气件包括至少一个贯通的第一安装孔，每一所述第一安装孔均与一个所述第一通孔相对设置，每一所述调节件安装于一个所述第一安装孔内；所述第一凹槽与所述第二进气件之间形成第一腔体，所述气体通路由所述第一腔体形成。


4.如权利要求2或3所述的反应气体流量控制装置，其特征在于，所述第一进气件包括具有所述第一凹槽的第一筒状结构和位于所述第一筒状结构顶部的限位环，所述限位环与所述第一筒状结构连接，所述第一筒状结构用于安装在所述等离子体处理装置的开口内，所述限位环不能通过所述开口。


5.如权利要求4所述的反应气体流量控制装置，其特征在于，所述气体通路的进气口由所述限位环的侧壁上开设的若干第二通孔形成。


6.如权利要求3所述的反应气体流量控制装置，其特征在于，所述第二进气件包括位于所述第一凹槽内的第一插块和位于所述第一凹槽外的第一限位块，所述第一插块的一端与所述第一限位块连接，另一端不与所述第一凹槽底部接触，所述第一安装孔贯通所述第一限位块和所述第一插块。


7.如权利要求1所述的反应气体流量控制装置，其特征在于，还包括第二进气件，其具有第二凹槽，所述第二凹槽底部设有至少一个第二安装孔，所述第一进气件安装于所述第二进气件上，每一所述第二安装孔均与一个所述第一通孔相对设置，每一所述调节件安装于一个所述第二安装孔内；所述第二凹槽与所述第一进气件之间形成第...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡楚洋，连增迪，左涛涛，吴狄，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31