【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于光学代码辨识的图像传感器
本专利技术涉及包含光学代码辨识装置中所用的有源像素(光敏元件像素结构和控制晶体管)的CMOS类型的矩阵图像传感器。存在条形码,条形码是符号化的线性代码(1D条形码)或矩阵代码(QR码、数据矩阵、Aztec等)。所述代码例如被印刷(标签、票据、海报)或被刻在工业或零售产品、医疗或实验产品、或书籍上,或者它们被作为图像显示在智能电话上,例如(电子码)。它们被用于一系列应用,诸如可追溯性(制造、分发、医疗保健)、销售、库存管理、票务(运输、博物馆),以及更一般地,对于支付服务的访问、或者要不然提供到附加内容(网页)的链接。将被辨识的代码也可以是印刷或压印在硬拷贝文档或匾牌(牌照)上的字母数字串(一个或多个),所涉及的应用,具体地说,是安全访问管理和/或付费访问服务,诸如,举例来说,当通过传递养路费时牌照的辨识、或进入停车场。
技术介绍
光学代码辨识系统确保两个功能:图像的捕捉和通过数字图像处理的、代码(一个或多个)的辨识或读取,所述数字图像处理使得所述光学代码辨识系统能够关联对产品、信息内容、服务……等的辨识的代码。图像被集成到读取器(代码读取器)中的图像传感器捕捉,所述读取器还集成了照明系统(与光学组件(反光镜、透镜)相关联的光源,诸如来自LED和/或激光束的光源)和电子控制系统,所述电子控制系统一在外部被激活(通过机械手段(诸如按钮或触发器)或电子手段(诸如存在检测系统)),就控制目标物体的照明,并且触发传感器拍摄图像。还可以提供激光指针(具有中心焦点)。每个图像被发送给外部数字处 ...
【技术保护点】
1.一种CMOS图像传感器,所述CMOS图像传感器被配置为根据外部命令(Trig)执行图像的捕捉,并且朝向光学代码辨识系统输出对应的图像帧(DATA-OUT)内的捕捉图像数据,所述图像传感器被集成到同一集成电路芯片中,像素矩阵(1)包括N行M列和所述矩阵的N行像素的顺序读取电路(4),其特征在于,所述传感器还包括数字处理电路(7),所述数字处理电路(7)被配置为:随着顺序读取电路(4)获取所述捕捉图像数据,并且以同步的方式,将计算处理(100)应用于所述捕捉图像数据,以便由与所述捕捉图像中的代码位置信息相对应的捕捉图像数据来飞速地计算宏图像;并且在所述捕捉图像数据之后,将其发送给所述图像帧(DATA-OUT)的页脚,所述宏图像使得每个宏图像点对应于所述捕捉图像的点块(B),所述宏图像的所述计算处理至少包括:/n-对于所述矩阵的每个像素:/n-计算由卷积掩码的系数定义的至少一个滤波器(F
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181106 FR 18602141.一种CMOS图像传感器,所述CMOS图像传感器被配置为根据外部命令(Trig)执行图像的捕捉,并且朝向光学代码辨识系统输出对应的图像帧(DATA-OUT)内的捕捉图像数据,所述图像传感器被集成到同一集成电路芯片中,像素矩阵(1)包括N行M列和所述矩阵的N行像素的顺序读取电路(4),其特征在于,所述传感器还包括数字处理电路(7),所述数字处理电路(7)被配置为:随着顺序读取电路(4)获取所述捕捉图像数据,并且以同步的方式,将计算处理(100)应用于所述捕捉图像数据,以便由与所述捕捉图像中的代码位置信息相对应的捕捉图像数据来飞速地计算宏图像;并且在所述捕捉图像数据之后,将其发送给所述图像帧(DATA-OUT)的页脚,所述宏图像使得每个宏图像点对应于所述捕捉图像的点块(B),所述宏图像的所述计算处理至少包括:
-对于所述矩阵的每个像素:
-计算由卷积掩码的系数定义的至少一个滤波器(FCV)的第一阶段(101),所述滤波器为所述像素建立第一数值(VF),所述第一数值(VF)对应于从所述像素的所述捕捉图像数据提取的高频空间信息,并且建立由以所述像素为中心的卷积掩码划定的相邻窗口中的相邻像素,随着顺序读取电路(4)对所考虑的像素和相邻像素的所述捕捉图像数据的获取,飞速地进行计算,所述第一数值使用与所述捕捉图像数据相同的位数(r)编码;
-对所述第一数值进行二值化(BIN1)的第二阶段(102),所述第二阶段(102)对所述矩阵的每个像素建立第一二进制值(VB1);并且
-对于所述矩阵的每个像素块(B):
-通过在Q=b1+b2个输出位的累加寄存器中将所涉及的块中的像素的所述第一二进制值(VB1)相加来计算第二数值(V∑)的第三阶段(103),其中b1和b2定义所述块的像素行的数量n=2b1和所述块的像素列的数量m=2b2,n和m大于1。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述第二数值是使用q个位编码的值(V∑q),其中q=1至Q。
3.根据权利要求1或2所...
【专利技术属性】
技术研发人员:布鲁诺·迪亚斯帕拉,蒂埃里·利戈扎特,罗曼·吉盖,加雷斯·鲍威尔,杰罗姆·万鲁姆比克,阿诺·富歇,
申请(专利权)人:特利丹E二V半导体简化股份公司,
类型:发明
国别省市:法国;FR
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