半导体晶片的评价方法和制造方法以及半导体晶片的制造工序管理方法技术

提供了半导体晶片的评价方法，其是具有研磨面的半导体晶片的评价方法，包含利用一种以上洗净液对上述半导体晶片进行洗净的洗净工序，包含：在上述洗净工序之前和之后分别使用激光表面检查装置来测定上述研磨面的LPD，基于通过上述测定得到的测定结果，根据表A所示的判别基准，来判别作为LPD被测定到的缺陷或异物的种类。表A：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体晶片的评价方法和制造方法以及半导体晶片的制造工序管理方法关联申请的相互参照本申请要求在2018年12月27日申请的日本特愿2018-245448号的优先权，其全部记载在此特别地作为公开而引用。
本专利技术涉及半导体晶片的评价方法和制造方法以及半导体晶片的制造工序管理方法，详细地涉及具有研磨面的半导体晶片的评价方法和制造方法以及具有研磨面的半导体晶片的制造工序管理方法。
技术介绍
作为用于评价半导体晶片的装置，广泛地使用激光表面检查装置（例如参照日本特开2016-212009号公报（其全部记载在此特别地作为公开而引用））。
技术实现思路
利用激光表面检查装置进行的评价通过使光入射到评价对象的半导体晶片的表面来检测来自该表面的放射光（散射光和反射光），从而评价半导体晶片的缺陷/异物的有无、尺寸。在半导体晶片中，抛光晶片（polishedwafer）是经过包含研磨工序的各种工序而制造的半导体晶片，其表面（最外表面）是研磨面。在此，研磨面是指施行了镜面研磨（也称为镜面磨光。）的面。在研磨面中可能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶片的评价方法，其是半导体晶片的评价方法，其中，/n评价对象的半导体晶片是具有研磨面的半导体晶片，/n包含利用一种以上洗净液对所述半导体晶片进行洗净的洗净工序，/n包含：/n在所述洗净工序之前和之后分别使用激光表面检查装置来测定所述研磨面的LPD，/n基于通过所述测定得到的测定结果，根据下述判别基准：/n表1/n表A/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181227 JP 2018-2454481.一种半导体晶片的评价方法，其是半导体晶片的评价方法，其中，
评价对象的半导体晶片是具有研磨面的半导体晶片，
包含利用一种以上洗净液对所述半导体晶片进行洗净的洗净工序，
包含：
在所述洗净工序之前和之后分别使用激光表面检查装置来测定所述研磨面的LPD，
基于通过所述测定得到的测定结果，根据下述判别基准：
表1
表A








测定结果
缺陷或异物的种类


所述洗净工序之前的检测尺寸X和所述洗净工序之后的检测尺寸Y满足X＜Y的关系的LPD
PID


在所述洗净工序之前被检测到但是在所述洗净工序之后未被检测到的LPD
通常颗粒


所述洗净工序之前的检测尺寸X和所述洗净工序之后的检测尺寸Y满足X≥Y的关系的LPD
粘附颗粒






来判别作为LPD被测定到的缺陷或异物的种类。


2.根据权利要求1所述的半导体晶片的评价方法，其中，
所述洗净工序是利用一种以上含有无机酸洗净液进行的洗净工序。


3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的评价方法，其中，
所述洗净工序包含HF洗净和SC-1洗净。


4.一种具有研磨面的半导体晶片的制造方法，其中，包含：
对半导体晶片施行镜面研磨来形成研磨面；
进行利用一种以上洗净液对形成了所述研磨面的半导体晶片进行洗净的洗净工序；
在所述洗净工序之前和之后分别使用激光表面检查装置来测定所述研磨面的LPD；和
基于通过所述测定得到的测定结果，根据下述判别基准：
表2
表A








测定结果
缺陷或异物的种类


所述洗净工序之前的检测尺寸X和所述洗净工序之后的检测尺寸Y满足X＜Y的关系的LPD
PID


在所述洗净工序之前被检测到但是在所述洗净工序之后未被检测到的LPD

【专利技术属性】
技术研发人员：长泽崇裕，村上雅大，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP