发光二极管和包括该发光二极管的显示装置制造方法及图纸

提供了发光二极管和包括该发光二极管的显示装置。实施例的发光二极管包括：第一电极；空穴传输区域，设置在第一电极上；发射层，设置在空穴传输区域上；电子传输区域，设置在发射层上；以及第二电极，设置在电子传输区域上，其中，空穴传输区域包括：第一空穴传输层，设置为与第一电极相邻，并且具有第一折射率；第二空穴传输层，设置为与发射层相邻，并且具有第二折射率；以及第三空穴传输层，设置在第一空穴传输层与第二空穴传输层之间，并且具有比第一折射率和第二折射率中的每个高的第三折射率，从而表现出高的光提取效率和高的发射效率特性。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管和包括该发光二极管的显示装置本申请要求于2020年1月21日提交的第10-2020-0007949号韩国专利申请和于2020年12月16日提交的第10-2020-0176483号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
本公开在此涉及一种发光二极管和一种包括该发光二极管的显示装置，更具体地，涉及包括具有不同折射率的多个空穴传输层的发光二极管以及包括该发光二极管的显示装置。
技术介绍
正在开发在诸如电视机、蜂窝电话、平板计算机、导航仪和游戏控制器的多媒体设备中使用的各种显示装置。在这样的显示装置中，使用了所谓的自发光显示器件，在自发光显示器件中，在发射层中的包括有机化合物或量子点的发光材料发光以实现显示，所述发射层设置在相对设置的电极之间。在将发光二极管应用到显示装置时，需要增大发光二极管的发射效率和寿命，并且正持续需要对用于发光二极管稳定地实现该需求的材料和结构的开发。
技术实现思路
本公开提供了一种表现出优异的光提取效率的发光二极管。本公开还提供了一种包括具有高的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，所述发光二极管包括：/n第一电极；/n空穴传输区域，设置在所述第一电极上；/n发射层，设置在所述空穴传输区域上；/n电子传输区域，设置在所述发射层上；以及/n第二电极，设置在所述电子传输区域上，/n其中，所述空穴传输区域包括：/n第一空穴传输层，设置为与所述第一电极相邻，并且具有第一折射率；/n第二空穴传输层，设置为与所述发射层相邻，并且具有第二折射率；以及/n第三空穴传输层，设置在所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层之间，并且具有比所述第一折射率和所述第二折射率中的每个高的第三折射率。/n

【技术特征摘要】
20200121 KR 10-2020-0007949;20201216 KR 10-2020-011.一种发光二极管，所述发光二极管包括：
第一电极；
空穴传输区域，设置在所述第一电极上；
发射层，设置在所述空穴传输区域上；
电子传输区域，设置在所述发射层上；以及
第二电极，设置在所述电子传输区域上，
其中，所述空穴传输区域包括：
第一空穴传输层，设置为与所述第一电极相邻，并且具有第一折射率；
第二空穴传输层，设置为与所述发射层相邻，并且具有第二折射率；以及
第三空穴传输层，设置在所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层之间，并且具有比所述第一折射率和所述第二折射率中的每个高的第三折射率。


2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第三折射率与所述第一折射率之间的差和所述第三折射率与所述第二折射率之间的差中的每个大于0.1。


3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，在460nm的波长处，所述第一折射率和所述第二折射率分别为1.30至1.80，并且
在460nm的波长处，所述第三折射率为1.85至2.40。


4.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，所述第一折射率和所述第二折射率相同。


5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第二空穴传输层直接设置在所述发射层下方。


6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，所述发射层的折射率比所述第二空穴传输层的所述第二折射率大，并且在460nm的波长处，所述发射层的所述折射率与所述第二折射率之间的差大于0.1。


7.根据权利要求6所述的发光二极管，其中，在460nm的波长处，所述发射层的所述折射率为1.80至2.40。


8.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一空穴传输层直接设置在所述第一电极上方。


9.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，所述第一电极的折射率比所述第一空穴传输层的所述第一折射率大，并且在460nm的波长处，所述第一电极的所述折射率与所述第一折射率之间的差大于0.1。


10.根据权利要求9所述的发光二极管，其中，在460nm的波长处，所述第一电极的所述折射率为1.80至2.40。


11.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一空穴传输层、所述第三空穴传输层和所述第二空穴传输层的厚度比为0.1:0.8:0.1至0.45:0.1:0.45。


12.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一电极是反射电极，并且所述第二电极是透射电极或透反射电极。


13.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述发射层发射具有在430nm至470nm的波长区域中的中心波长的光。


14.根据权利要求13所述的发光二极管，其中，所述第一空穴传输层、所述第二空穴传输层和所述第三空穴传输层的厚度分别为至


15.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层均独立地包括由下面的式1表示的胺化合物：
式1



在式1中，
Ara至Arc均独立地为取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的3个至30个成环碳原子的杂芳基，
Ra至Rc之中的至少两个均独立地为金刚烷基或环己基，并且
其余为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的胺基或者取代或未取代的1个至20个碳原子的烷基。


16.根据权利要求15所述的发光二极管，其中，Ara至Arc均独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基或者取代或未取代的二苯并噻吩基。


17.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层均独立地包括下面的化合物组1中的胺化合物之中的至少一种：
化合物组1




















18.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第三空穴传输层包括由下面的式2表示的化合物：
式2



在式2中，
Ar1和Ar2均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的1个至30个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地，Ar1和Ar2均独立地与相邻的基团结合以形成环，
Ar3为取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基，
a和b均独立地为0或1，
L1和L2均独立地为取代或未取代的3个至10个成环碳原子的亚环烷基、取代或未取代的2个至10个成环碳原子的亚杂环烷基、取代或未取代的3个至10个成环碳原子的亚环烯基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的2个至60个成环碳原子的亚杂芳基，
p和s均独立地为0至4的整数，
q和r均独立地为0至3的整数，并且
R1至R5均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的1个至60个碳原子的烷基、取代或未取代的3个至60个成环碳原子的杂环烷基、取代或未取代的6个至60个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至60个成环碳原子的杂芳基。


19.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宝罗，高效敏，赵一薰，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR