半导体装置制造方法及图纸

半导体装置(100)具有半导体基板(10)、第1阳极电极(1)、以及第2阳极电极(2)。第1阳极电极(1)配置于半导体基板(10)之上。第2阳极电极(2)在半导体基板(10)之上与第1阳极电极(1)隔开间隔而配置于第1阳极电极(1)的周围。第1阳极电极(1)的第2阳极电极(2)侧的第1端部(1E)以及第2阳极电极(2)的第1阳极电极(1)侧的第2端部(2E)的至少任一者被SInSiN膜(3)覆盖。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
例如，在日本特开2002-359377号公报中公开了一种半导体装置。该半导体装置具有半导体基板的一个主表面之上的阳极电极和半导体基板的另一个主表面之上的阴极电极。阳极电极包含第1阳极电极和第2阳极电极。第1阳极电极形成于半导体基板的一个主表面之上的中央部。第2阳极电极在一个主表面之上与第1阳极电极隔开间隔而形成于第1阳极电极的外侧。第1阳极电极以及第2阳极电极都是该半导体装置的通电部。但是，第1阳极电极形成于该半导体装置的有源区域，与此相对，第2阳极电极作为第1阳极电极的外侧的监视电极而形成。监视电极是为了确认半导体装置的通电特性而形成的。但是，就日本特开2002-359377号公报的半导体装置而言，有可能在第1阳极电极与第2阳极电极之间产生放电。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于上述课题而提出的。其目的在于提供一种能够抑制第1阳极电极与第1阳极电极外侧的第2阳极电极之间的放电的半导体装置。本专利技术所涉及的半导体装置具有半导体基板、第1阳极电极、以及第2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具有：/n半导体基板；/n第1阳极电极，其配置于所述半导体基板之上；以及/n第2阳极电极，其在所述半导体基板之上与所述第1阳极电极隔开间隔而配置于所述第1阳极电极的周围，/n所述第1阳极电极的所述第2阳极电极侧的第1端部以及所述第2阳极电极的所述第1阳极电极侧的第2端部的至少任一者被SInSiN膜覆盖。/n

【技术特征摘要】
20200206 JP 2020-0187821.一种半导体装置，其具有：
半导体基板；
第1阳极电极，其配置于所述半导体基板之上；以及
第2阳极电极，其在所述半导体基板之上与所述第1阳极电极隔开间隔而配置于所述第1阳极电极的周围，
所述第1阳极电极的所述第2阳极电极侧的第1端部以及所述第2阳极电极的所述第1阳极电极侧的第2端部的至少任一者被SInSiN膜覆盖。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述半导体基板之上的所述第1阳极电极包含有源部电极和外周电极，该外周电极与所述有源部电极隔开间隔而配置于所述有源部电极的所述第2阳极电极侧，
所述第1端部是所述外周电极的所述第2阳极电极侧的端部。


3.根据权利要求2所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：保利幸隆，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP