体内击穿玻钝二极管及制造方法技术

本发明专利技术提供了一种体内击穿玻钝二极管及制造方法，该玻钝二极管包括管芯、电极引线，电极引线设于管芯的两端，管芯与电极引线的外周包覆有钝化玻璃，管芯两端的电极引线分别伸出钝化玻璃；管芯的正面中部为P+突变结，围绕P+突变结设有一圈P区缓变结，P+突变结的端面设有铝片，管芯的背面为N+区扩散。本发明专利技术在管芯P面的中心位置装上铝片，在装电极引线、管芯烧焊时，P面与铝片又合金形成P+突变结，P面周围的区域仍然是P区缓变结；N型硅片衬底的背面形成N+区，与电极引线形成良好的欧姆接触；在相同衬底N区电阻率下，P区的反向击穿电压高于P+的的反向击穿电压；从而实现了体内击穿，大大提高了二极管的成品率及使用可靠性。

【技术实现步骤摘要】
体内击穿玻钝二极管及制造方法
本专利技术涉及二极管
，具体涉及一种体内击穿玻钝二极管及制造方法。
技术介绍
玻璃钝化实体封装二极管简称玻钝二极管，具有高温稳定性、抗辐照能力强、可靠性高、成本低等特点，广泛应用于中高端领域。玻璃钝化实体封装二极管为台面型二极管，管芯裂片后PN结是暴露在管芯的侧面的，需要对PN结的台面进行腐蚀、清洗、钝化保护。由于①离子沾污，②钝化材料的钝化程度、绝缘强度限制，③钝化材料与硅的匹配程度差异，由于这些原因，PN结的台面成为了二极管最薄弱的地方，往往反向击穿都是台面先于体内击穿；而体内击穿是可以恢复的，台面击穿往往都是破坏性的，最终导致二极管失效，大大降低了二极管的成品率及使用可靠性。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种体内击穿玻钝二极管及制造方法。本专利技术通过以下技术方案得以实现。本专利技术提供了一种体内击穿玻钝二极管，包括管芯、电极引线，所述电极引线设于管芯的两端，管芯与电极引线的外周包覆有钝化玻璃，管芯两端的电极引线分别伸出钝化玻璃；所述管芯的正面中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种体内击穿玻钝二极管，其特征在于：包括管芯(1)、电极引线(6)，所述电极引线(6)设于管芯(1)的两端，管芯(1)与电极引线(6)的外周包覆有钝化玻璃(7)，管芯(1)两端的电极引线(6)分别伸出钝化玻璃(7)；所述管芯(1)的正面中部为P+突变结(2)，围绕P+突变结(2)设有一圈P区缓变结(3)，P+突变结(2)的端面设有铝片(4)，管芯(1)的背面为N+区扩散(5)。/n

【技术特征摘要】
1.一种体内击穿玻钝二极管，其特征在于：包括管芯(1)、电极引线(6)，所述电极引线(6)设于管芯(1)的两端，管芯(1)与电极引线(6)的外周包覆有钝化玻璃(7)，管芯(1)两端的电极引线(6)分别伸出钝化玻璃(7)；所述管芯(1)的正面中部为P+突变结(2)，围绕P+突变结(2)设有一圈P区缓变结(3)，P+突变结(2)的端面设有铝片(4)，管芯(1)的背面为N+区扩散(5)。


2.如权利要求1所述的体内击穿玻钝二极管，其特征在于：所述N+区扩散(5)端部均匀地设有一层金属化铝(8)。


3.如权利要求1所述的体内击穿玻钝二极管，其特征在于：所述P+突变结(2)为铝片(4)在P区缓变面上烧焊扩散形成。


4.如权利要求1所述的体内击穿玻钝二极管，其特征在于：所述电极引线(6)包括铜引线(9)、钼柱(11)，钼柱(11)一端与管芯(1)连接，另一端与铜引线(9)连接，钼柱(11)侧面被包覆于钝化玻璃(7)内，铜引线(9)伸出钝化玻璃(7)。


5.如权利要求4所述的体内击穿玻钝二极管，其特征在于：所述铜引线(9)与钼柱(11)之间通过银铜焊片(10)角焊缝焊接。


6.如权利要求4所述的体内击穿玻钝二极管，其特征在于：位于管芯(1)正面的钼柱(11)与铝片(4)连接，铝片(4)周围为钝化玻璃(7)。


7.如权利要求1～6中任一项所述的体内击穿玻钝二极管的制造方法，其特征在于：包括如下步骤，
步骤一、单晶片，选择电阻率为0.005Ω·cm～500Ω·cm的N型单晶硅，进行磨片...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘德军，龚昌明，袁正刚，李应明，洪杜桥，夏静，
申请(专利权)人：中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂，
类型：发明
国别省市：贵州;52