基于二硫化钨/锑化镓结型场效应晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于WS

【技术实现步骤摘要】
基于二硫化钨/锑化镓结型场效应晶体管及其制备方法
本专利技术属于半导体
，涉及一种基于二硫化钨(WS2)/锑化镓(GaSb)结型场效应晶体管及其制备方法。
技术介绍
III-V半导体纳米线因其大玻尔激子半径、窄带隙、载流子迁移率高等优异特性而在下一代电子学和光电子学中引起了广泛的关注。特别是，作为一种重要的P型半导体，GaSb纳米线表现出约0.726eV的带隙，理论空穴迁移率高达1000cm2V-1s-1，以及强自旋轨道相互作用，已被用作电子和光电器件中通道的替代候选者([1]Borg,M.；Schmid,H.；Gooth,J.；etal.High-MobilityGaSbNanostructuresCointegratedwithInAsonSi.ACSNano.2017,11,2554-2560.)。例如，基于GaSb的光检测器呈现出在1550nm光照下的高响应率为6000A/W、3.7×109Jones的特定检测率和38μs的响应时间([2]Li,D.；Lan,C.；Manikandan,A.；etal.Ultra-fastphot本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于WS

【技术特征摘要】
1.基于WS2/GaSb结型场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底、N型WS2薄膜、P型GaSb纳米线、源电极、漏电极和栅电极；所述P型GaSb纳米线设于衬底的表面，所述源电极与漏电极设于P型GaSb纳米线表面的两端，所述N型WS2薄膜设于P型GaSb纳米线表面，且N型WS2薄膜位于源电极与漏电极之间，所述栅电极设于N型WS2薄膜的表面，且栅电极位于源电极与漏电极之间。


2.根据权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于，所述的衬底为为于SiO2、Al2O3、BN、SiNx或AlN衬底，或者在基底材料上沉积SiO2、Al2O3、BN、SiNx或AlN作为衬底。


3.根据权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于，所述的P型GaSb纳米线的厚度为1nm～50nm；所述的N型WS2薄膜的厚度为50nm～200nm；所述的源电极、漏电极和栅电极为Cr、Ti、Ni、Au、Pd、Pt、Ag中的一种或者多种的组合，厚度为40nm～100nm。


4.根据权利要求1至3任一所述的基于WS2/GaSb结型场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，在衬底上制备P型GaSb纳米线；
步骤2，在PDMS上，制备N型WS2薄膜；
步骤3，将步骤2制备的N型WS2薄膜转移到步骤1制备的P型GaSb纳米线上；
步骤4，在步骤3制得的带有N型WS2薄膜和P型GaSb纳米线的衬底上制备源电极图形、漏电极图形和栅电极图形，并对源电极图形、漏电极图形和栅电极图形进行金属沉积后得到源电极、漏电极和栅电极。


5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤1中...

【专利技术属性】
技术研发人员：程子超，剪宇轩，宋秀峰，顾宇，陈翔，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32