电子倍增器的制造方法及电子倍增器技术

一种电子倍增器的制造方法，电子倍增器具备：主体部；通道，其以在主体部的一端面及另一端面开口的方式设置于主体部，根据射入的电子放出二次电子，其中，电子倍增器的制造方法具备：第一工序，准备主体部件，主体部件具有一端面及另一端面，且设置有用于连通一端面和另一端面的通道的连通孔；第二工序，在主体部件的外表面及连通孔的内表面通过原子层沉积法形成至少包含电阻层的沉积层，由此形成通道；第三工序，通过除去形成于主体部件的外表面的沉积层，形成主体部。

【技术实现步骤摘要】
电子倍增器的制造方法及电子倍增器本申请是申请日为2017年8月3日、申请号为201780052951.5、专利技术名称为电子倍增器的制造方法及电子倍增器的专利申请的分案申请。
本专利技术的一方式涉及电子倍增器的制造方法及电子倍增器。
技术介绍
在专利文献1中记载有CEM(通道电子倍增器)。该CEM具备：基体；通道，其以在基体的一端部表面及另一端部表面开口的方式设置于基体，根据射入的电子放出二次电子。另外，在专利文献1中公开有为了提高二次电子放出效率，通过原子层沉积法在基板上形成电子放出层。在专利文献2中记载有MCP(微细通道板)。该MCP具备：基板；多个通道，其以在基板的上部表面及下部表面开口的方式设置于基板，由根据射入的电子放出数百万二次电子构成。另外，在专利文献2中公开有通过原子层沉积法将具有导电材料及绝缘材料的层叠结构的电阻层形成于基板，从而将电阻层的电阻值设为最佳值。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特表2011-513921号公报专利文献2:日本特表2011-525294号公报本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子倍增器，其特征在于，/n具备：/n主体部，其具有一端面、另一端面、及连接所述一端面和所述另一端面的侧面；以及/n通道，其以在所述一端面及所述另一端面开口的方式设置于所述主体部，/n所述通道具有包含形成于用于所述通道的连通孔的内表面的电阻层及二次电子倍增层的沉积层，/n在所述一端面、及所述另一端面形成有所述沉积层，/n在所述主体部，经由形成于所述侧面的绝缘体层而热连接有散热器，/n所述沉积层通过原子层沉积法而形成。/n

【技术特征摘要】
20160831 JP 2016-1698091.一种电子倍增器，其特征在于，
具备：
主体部，其具有一端面、另一端面、及连接所述一端面和所述另一端面的侧面；以及
通道，其以在所述一端面及所述另一端面开口的方式设置于所述主体部，
所述通道具有包含形成于用于所述通道的连通孔的内表面的电阻层及二次电子倍增层的沉积层，
在所述一端面、及所述另一端面形成有所述沉积层，
在所述主体部，经由形成于所述侧面的绝缘体层而热连接有散热器，
所述沉积层通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林浩之，杉浦银治，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP