阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器制造技术

本发明专利技术提供一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器，阵列基板的第一子像素区内设置有分压电容，分压电容由交叠设置的第一分压电极和第二分压电极构成；第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的栅极分别与主扫描线连接，第三薄膜晶体管的栅极与副扫描线连接，第一薄膜晶体管的源漏极分别和数据线、第一子像素电极连接，第二薄膜晶体管的源漏极分别与数据线、第二子像素电极连接，第三薄膜晶体管的源漏极分别与第二子像素电极、第二分压电极连接，第四薄膜晶体管的源漏极分别与第一分压电极、第二分压电极连接。本发明专利技术提供一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器，可以改善液晶显示面板的广视角品味。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器。
技术介绍
液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹持在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。液晶显示面板内设置有多个薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)，用来作为驱动液晶的电信号的开关，通过电信号来控制光的状态实现图像显示。现有技术中，在基于分压式共享电容式的像素设计中，两个子像素电极分别由两个与主扫描线连接的薄膜晶体管控制充电，另一薄膜晶体管与副扫描线、分压电容和其中一个子像素电极连接，分压电容由两个金属电极形成。由于分压电容的与薄膜晶体管连接的金属电极无法放电，当从不同灰阶刷新到另一固定灰阶时，由于该金属电极的初始电位不同，导致两个子像素电极的电压差存在差别，从而影响液晶显示面板的斜视角度下的色偏，降低液晶显示面板的广视角品味。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器，可以改善液晶显示面板的广视角品味。本专利技术提供一种阵列基板，包括：扫描线、数据线、公共电极主线、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管，所述扫描线和所述数据线交错设置并限定出像素区，所述公共电极主线位于所述像素区内并将所述像素区分为第一子像素区和第二子像素区，所述第一子像素区内设置有第一子像素电极和分压电容，所述第二子像素区内设置有第二子像素电极，分压电容由交叠设置的第一分压电极和第二分压电极构成，所述第一分压电极和所述公共电极主线连通；所述扫描线包括紧邻设置的主扫描线和副扫描线，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管的栅极分别与所述主扫描线连接，所述第三薄膜晶体管的栅极与所述副扫描线连接，所述第一薄膜晶体管的源漏极分别和所述数据线、所述第一子像素电极连接，所述第二薄膜晶体管的源漏极分别与所述数据线、所述第二子像素电极连接，所述第三薄膜晶体管的源漏极分别与所述第二子像素电极、所述第二分压电极连接，所述第四薄膜晶体管的源漏极分别与所述第一分压电极、所述第二分压电极连接。如上所述的阵列基板，所述第二分压电极、所述数据线、所述第四薄膜晶体管的源漏极为同层设置的第二金属层，所述第一分压电极、所述扫描线、所述公共电极主线为同层设置的第一金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层的上方，所述第一金属层和所述第二金属层通过栅极绝缘层隔开，所述第二金属层上覆盖有钝化层。如上所述的阵列基板，所述栅极绝缘层上设置有第一过孔，所述第四薄膜晶体管的源极或漏极通过所述第一过孔与所述第二分压电极连通。如上所述的阵列基板，所述钝化层上设置有第二过孔，所述第二过孔位于与所述第四薄膜晶体管的源极或漏极连通的所述第二金属层的上方，所述钝化层和所述栅极绝缘层上设置有第三过孔，所述第三过孔位于与所述第一分压电极连通的所述第一金属层的上方，所述第二过孔和所述第三过孔通过覆盖在所述钝化层上的导电层导通。如上所述的阵列基板，所述导电层与所述第一子像素电极、第二子像素电极同层但不连通。如上所述的阵列基板，所述导电层、所述第一子像素电极、所述第二子像素电极为氧化铟锡ITO。如上所述的阵列基板，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的面积不同。如上所述的阵列基板，所述阵列基板上还设置有公共电极支线，所述公共电极支线和所述公共电极主线连通。本专利技术另一方面还提供一种液晶显示面板，包括相对设置的彩膜基板和如上所述的阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板之间设置有液晶分子层。本专利技术再一方面还提供一种液晶显示器，包括如上所述的液晶显示面板。本专利技术提供一种阵列基板、液晶显示面板和液晶显示器，通过在阵列基板上增加设置一个薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极和副扫描线连接，源漏极分别和第一分压电极、第二分压电极连接，以在第二子像素电极对分压电容进行充放电之前，对分压电容的第二分压电极放电至第一分压电极的电位，即公共电极的电位，以使得在从不同灰阶刷新到另一固定灰阶之前，分压电容的第二分压电极的初始电位一致，从而使得第一子像素电极和第二子像素电极的保持电压差一致，从而提高液晶显示面板的广视角品味。附图说明为了更清楚地说明本专利技术或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术提供的阵列基板的结构示意图；图2为现有技术提供的阵列基板的简化电路示意图；图3为现有技术提供的阵列基板在模拟条件1下的电压变化示意图；图4为图3对应的时序图；图5为现有技术提供的阵列基板在模拟条件2下的电压变化示意图；图6为图5对应的时序图；图7为本申请实施例提供的阵列基板的简化电路示意图；图8为本申请实施例提供的阵列基板的一种结构示意图；图9为图8中第一过孔的截面示意图；图10为本申请实施例提供的阵列基板的另一种结构示意图；图11为图10中第二过孔和第三过孔的截面示意图；图12为本申请实施例提供的阵列基板在模拟条件1下的电压变化示意图；图13为图12对应的时序图；图14为本申请实施例提供的阵列基板在模拟条件2下的电压变化示意图；图15为图14对应的时序图。附图标记：11-主扫描线；12-副扫描线；13-数据线；14-第一子像素电极；15-第二子像素电极；16-公共电极主线；17-公共电极支线；18-第一分压电极；19-第二分压电极；21-第一金属层；22-第二金属层；31-绝缘层；32-钝化层；33-导电层；34-第一过孔；35-第二过孔；36-第三过孔；T1-第一薄膜晶体管；T2-第二薄膜晶体管；T3-第三薄膜晶体管；T4-第四薄膜晶体管；Clc-液晶电容；Cst-存储电容；Cbuf-分压电容；Vcom-公共电极电压。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1为现有技术提供的阵列基板的结构示意图，图2为现有技术提供的阵列基板的简化电路示意图。参考图1和图2所示，需要理解的是，现有技术提供的阵列基板，包括：扫描线、数据线13、公共电极主线16、第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3。扫描线和数据线13交错设置并限定出像素区，公共电极主线16位于像素区内并将像素区分为第一子像素区和第二子像素区，第一子像素区内设置有第一子像素电极14和分压电容Cbuf，第二子像素区内设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：扫描线、数据线、公共电极主线、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管，所述扫描线和所述数据线交错设置并限定出像素区，所述公共电极主线位于所述像素区内并将所述像素区分为第一子像素区和第二子像素区，所述第一子像素区内设置有第一子像素电极和分压电容，所述第二子像素区内设置有第二子像素电极，分压电容由交叠设置的第一分压电极和第二分压电极构成，所述第一分压电极和所述公共电极主线连通；/n所述扫描线包括紧邻设置的主扫描线和副扫描线，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管的栅极分别与所述主扫描线连接，所述第三薄膜晶体管的栅极与所述副扫描线连接，所述第一薄膜晶体管的源漏极分别和所述数据线、所述第一子像素电极连接，所述第二薄膜晶体管的源漏极分别与所述数据线、所述第二子像素电极连接，所述第三薄膜晶体管的源漏极分别与所述第二子像素电极、所述第二分压电极连接，所述第四薄膜晶体管的源漏极分别与所述第一分压电极、所述第二分压电极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：扫描线、数据线、公共电极主线、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管，所述扫描线和所述数据线交错设置并限定出像素区，所述公共电极主线位于所述像素区内并将所述像素区分为第一子像素区和第二子像素区，所述第一子像素区内设置有第一子像素电极和分压电容，所述第二子像素区内设置有第二子像素电极，分压电容由交叠设置的第一分压电极和第二分压电极构成，所述第一分压电极和所述公共电极主线连通；
所述扫描线包括紧邻设置的主扫描线和副扫描线，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管的栅极分别与所述主扫描线连接，所述第三薄膜晶体管的栅极与所述副扫描线连接，所述第一薄膜晶体管的源漏极分别和所述数据线、所述第一子像素电极连接，所述第二薄膜晶体管的源漏极分别与所述数据线、所述第二子像素电极连接，所述第三薄膜晶体管的源漏极分别与所述第二子像素电极、所述第二分压电极连接，所述第四薄膜晶体管的源漏极分别与所述第一分压电极、所述第二分压电极连接。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二分压电极、所述数据线、所述第四薄膜晶体管的源漏极为同层设置的第二金属层，所述第一分压电极、所述扫描线、所述公共电极主线为同层设置的第一金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层的上方，所述第一金属层和所述第二金属层通过栅极绝缘层隔开，所述第二金属层上覆盖有钝化层。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖锋，付兴凯，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51