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氮化硼纳米管及其制备方法技术

技术编号:29568381 阅读:23 留言:0更新日期:2021-08-06 19:21
本发明专利技术公开了一种氮化硼纳米管的制备方法,包括以下内容:以无机纳米粒子作为催化剂前驱体,使硼源和氮源通过化学气相沉积法在基底上生长形成氮化硼纳米管。本发明专利技术还公开了一种由前述方法制得的氮化硼纳米管。本发明专利技术提供的氮化硼纳米管的制备方法步骤简单、重现性好,能够在普通水平管式炉中制备氮化硼纳米管,而且所制得的氮化硼纳米管为圆柱状,结晶性良好。

【技术实现步骤摘要】
氮化硼纳米管及其制备方法
本专利技术是关于材料领域,特别是关于一种氮化硼纳米管及其制备方法。
技术介绍
氮化硼纳米管(BNNTs)的原子结构与碳纳米管(CNTs)类似,是由B原子和N原子组成的六边形网状结构。由于B(2.04)和N(3.04)之间电负性的差异导致了B-N键的极性,因此BNNT中的电荷分布是不对称的,电子在空间上被限制在N原子上,从而产生了宽带隙(5~6eV)的绝缘行为,且该性质几乎与管直径、手性和管壁数量无关。此外,BNNTs还有其他许多优良性能,如高导热系数,在空气中突出的热稳定性(900℃),低介电常数,优异的辐射吸收能力,极高的杨氏模量(1.3TPa)和抗拉强度(40GPa)。由于以上这些特性,BNNTs被认为是在热管理、光电子等领域具有重大应用潜力的一维纳米材料。而合成高质量的BNNTs仍然是进一步研究其实际应用价值的主要障碍,目前的合成方法主要有电弧放电、激光烧蚀、球磨和化学气相沉积(CVD)等。然而,由于等离子体面积的限制,电弧放电法不适合大批量生产,而且很难控制纳米管的尺寸和BN层数。激光烧蚀法可以获得直径本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化硼纳米管的制备方法,其特征在于,包括以下内容:/n以无机纳米粒子作为催化剂前驱体,使硼源和氮源通过化学气相沉积法在基底上生长形成氮化硼纳米管。/n

【技术特征摘要】
1.一种氮化硼纳米管的制备方法,其特征在于,包括以下内容:
以无机纳米粒子作为催化剂前驱体,使硼源和氮源通过化学气相沉积法在基底上生长形成氮化硼纳米管。


2.如权利要求1所述的氮化硼纳米管的制备方法,其特征在于,具体包括:
将所述无机纳米粒子和硼源混合均匀后置于反应容器中并以基底覆盖所述反应容器,再将所述反应容器置于化学气相沉积设备中;
在保护气氛下,以2~30℃/min的速率升温至1200~1700℃,然后通入氮源,保温1~4h,以在所述基底上生长形成氮化硼纳米管。


3.如权利要求1或2所述的氮化硼纳米管的制备方法,其特征在于,所述无机纳米粒子为纳米氧化镁、纳米二氧化钛、纳米氧化铝、纳米二氧化硅和纳米硅中的一种或多种。


4.如权利要求1或2所述的氮化硼纳米管的制备方法,其特征在于,所述硼源为...

【专利技术属性】
技术研发人员:姚亚刚何倩
申请(专利权)人:南京大学
类型:发明
国别省市:江苏;32

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