一种热膨胀系数局部可调的一体化微波盒体封装方法技术

本发明专利技术公开了一种热膨胀系数局部可调的一体化微波盒体封装方法，包括以下步骤：S1、根据设计图纸进行三维建模，绘制图纸；S2、根据绘制的图纸，采用粉末冶金或喷射成型的方式制备封装材料基体；S3、根据绘制的图纸，采用精密数控加工方式加工封装材料基体形成封装体；S4、根据封装结构表面处理要求，采用化镀或电镀的方式使用镀层金属对封装体进行表面镀涂，获得一体化微波盒体封装结构。本发明专利技术采用粉末冶金或喷射成型、精密数控机加、化镀或电镀的工艺路线，制作出一种热膨胀系数局部可调的一体化微波盒体封装结构。

【技术实现步骤摘要】
一种热膨胀系数局部可调的一体化微波盒体封装方法
本专利技术涉及微波组件盒体封装
，具体涉及一种热膨胀系数局部可调的一体化微波盒体封装方法。
技术介绍
电子设备的小型化需求致使电子组件从元器件、基板、封装结构等方面全面提升集成密度。各种小型化器件、多功能基板、三维堆叠互联等新技术不断被开发出来。对于微波组件而言，还有各种不同的封装结构、封装方法也层出不穷。现有微波组件的封装材料一般都是采用单一材料，如柯阀合金、紫铜、铝合金、高硅铝合金、碳化硅铝复合材料等，来满足封装盒体和封装基板材料的热膨胀系数需求。对于功能复杂的微波组件，其中会包含几种不同热膨胀系数的基板或芯片，此时就需要采用钎焊或粘接的方式将过渡层连接到封装盒体上，再将基板或芯片连接到过渡层上，以起到热膨胀系数匹配的作用，从而保证微波组件整体的可靠性。如西安明科微电子材料有限公司生产申请的《超低热膨胀铝碳化硅电子封装基板或外壳材料复合物及制备产品的方法》(CN200710018293.6)只能解决低热胀系数芯片组装的可靠性问题。中国电子科技集团第二十九研究所申请的《一种一体化盒本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热膨胀系数局部可调的一体化微波盒体封装方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、根据设计图纸进行三维建模，绘制图纸；/nS2、根据绘制的图纸，采用粉末冶金或喷射成型的方式制备封装材料基体；/nS3、根据绘制的图纸，采用精密数控加工方式加工封装材料基体形成封装体；/nS4、根据封装结构表面处理要求，采用化镀或电镀的方式使用镀层金属对封装体进行表面镀涂，获得一体化微波盒体封装结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种热膨胀系数局部可调的一体化微波盒体封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、根据设计图纸进行三维建模，绘制图纸；
S2、根据绘制的图纸，采用粉末冶金或喷射成型的方式制备封装材料基体；
S3、根据绘制的图纸，采用精密数控加工方式加工封装材料基体形成封装体；
S4、根据封装结构表面处理要求，采用化镀或电镀的方式使用镀层金属对封装体进行表面镀涂，获得一体化微波盒体封装结构。


2.根据权利要求1所述的热膨胀系数局部可调的一体化微波盒体封装方法，其特征在于，所述三维建模为使用CATIA或PRO/E等工具绘制1:1三维基体及电路布线模型。


3.根据权利要求1所述的热膨胀系数局部可调的一体化微波盒体封装方法，其特征在于，所述封装材料为铝合金和热膨胀系数梯度变化的高硅铝合金复合材料或铝合金和热膨胀系数梯度变化的铝基碳化硅复合材料。


4.根据权利要求1所述的热膨胀系数局部可调的一体化微波盒体封装方法，其特征在于，所述封装材...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔西会，方杰，邢大伟，何东，刘川，廖伟，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十九研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51