一种基于LTCC技术的超宽带集成电路制造技术

本实用新型专利技术提出了一种基于LTCC技术的超宽带集成电路，包括设置在LTCC基板上的合路器、开关、滤波器、限幅器、两级放大器和开关控制及供电稳压电路，所述LTCC基板共15层，且LTCC基板的第1层～第8层LTCC基板进行了挖腔处理，第9层～第11层LTCC基板进行了二次挖腔处理，所述合路器、限幅器、两级放大器均设置在第二次挖腔处理后的第11层LTCC基板上，所述开关穿过第9层～第15层LTCC基板设置在盒体上，所述合路器、开关、滤波器、限幅器、两级放大器通过微带线依次连接。本发明专利技术体积小重量轻、使用寿命长，且超宽带、低噪声。

【技术实现步骤摘要】
一种基于LTCC技术的超宽带集成电路
本技术属于射频前端技术，具体为一种基于LTCC技术的超宽带集成电路。
技术介绍
目前，射频前端为了实现超宽带的技术指标，滤波器普遍采用内嵌形式，前端整体尺寸难以做小。有些方案实现了小型化的超宽带射频前端，但内部使用电子开关，导致噪声系数偏大。
技术实现思路
本技术提出了一种基于LTCC技术的超宽带集成电路。实现本技术的技术解决方案为：一种基于LTCC技术的超宽带集成电路，包括设置在LTCC基板上的合路器、开关、滤波器、限幅器、两级放大器和开关控制及供电稳压电路，所述LTCC基板共15层，且LTCC基板的第1层～第8层LTCC基板进行了挖腔处理，第9层～第11层LTCC基板进行了二次挖腔处理，所述合路器、限幅器、两级放大器均设置在第二次挖腔处理后的第11层LTCC基板上，所述开关穿过第9层～第15层LTCC基板设置在盒体上，所述合路器、开关、滤波器、限幅器、两级放大器通过微带线依次连接。优选地，所述微带线采用三层LTCC基板作为介质，且设置于第8层LTCC基板上。优选地，所述合路器、限幅器、两级放大器均通过金丝与设置于第8层LTCC基板上的微带线连接。优选地，所述开关控制及供电稳压电路设置于LTCC基板下方。优选地，所述滤波器为采用15层LTCC基板的带状线结构，其中，第7层和第8层为带状线结构的走线层。优选地，所述带状线结构与微带线之间设有过渡结构，所述过渡结构包括带状线结构与微带线连接导体带，以及贯穿LTCC基板的金属通孔，所述导体带通过线宽优化处理，形成阶梯变换结构。优选地，所述LTCC基板的介电常数为5.9。优选地，所述LTCC基板的尺寸为47mm*40mm，单层厚度为0.096mm。优选地，所述开关采用机械式单刀二掷开关。本技术与现有技术相比，其显著优点为：本专利技术体积小重量轻、使用寿命长，且超宽带、低噪声。下面结合附图对本技术做进一步详细的描述。附图说明图1为本技术的布局示意图。图2为本技术的分层布局图。图3为微带线转带状线的过渡结构示意图。图4为本技术的原理图。具体实施方式如图1、4所示，一种基于LTCC技术的超宽带集成电路，包括设置在LTCC基板上的合路器、开关、滤波器、限幅器、两级放大器和开关控制及供电稳压电路，所述LTCC基板共15层，且LTCC基板的第1层～第8层LTCC基板进行了挖腔处理，第9层～第11层LTCC基板进行了二次挖腔处理，所述合路器、限幅器、两级放大器均设置在第二次挖腔处理后的第11层LTCC基板上，所述开关穿过第9层～第15层LTCC基板设置在盒体上，所述合路器、开关、滤波器、限幅器、两级放大器通过微带线依次连接。如图2所示，进一步的实施例中，所述微带线采用三层LTCC基板作为介质，且设置于第8层LTCC基板上。进一步的实施例中，所述合路器、限幅器、两级放大器均通过金丝于设置于第8层LTCC基板上的微带线连接，从而实现相互间的连接。进一步的实施例中，所述开关控制及供电稳压电路设置于LTCC基板下方，即第15层LTCC基板下表面。进一步的实施例中，所述滤波器为采用15层LTCC基板的带状线结构，其中，第7层和第8层为带状线结构的走线层。如图3所示，进一步的实施例中，所述带状线结构与微带线之间设有过渡结构，所述过渡结构包括带状线结构与微带线连接导体带，以及贯穿LTCC基板的金属通孔，所述导体带通过线宽优化处理，形成阶梯变换结构。所述金属通孔抑制谐振。进一步的实施例中，所述LTCC基板的介电常数为5.9。进一步的实施例中，所述LTCC基板的所述LTCC基板的尺寸为47mm*40mm，单层厚度为0.096mm。进一步的实施例中，所述开关采用机械式单刀二掷开关。在某些实施例中，开关采用插损较小的机械开关，选用SR-2-min-min。6～18GHz插损最大0.7dB，驻波1.7，端口隔离度40dB。开关耐受功率平均功率大于8W。合路器使用芯片NC6507C-618U。滤波器插损小于0.8dB，驻波小于2.4，带外抑制度大于60dBc@5GHz，大于38dBc@19GHz，大于65dBc@20GHz。应用限幅芯片CLA4606、CLA4601，其结电容分别为0.2pF、0.12pF，通过改变并联电感调节插损，得到限幅器插损最小接近1.5dB，实现抗烧毁功率：2W(CW)200W(1us1‰占空比)。两级放大器第一级选用低噪声放大器F511A1，6-18GHz频带范围内噪声系数典型值为1.6dB；增益典型值19.5dB；P-1典型值16dBm。第二级放大器选用IPA0618-22，增益19.5dB。两级放大器总增益39dB。两级放大器间预留温补衰减器、斜率较正器位置以调节增益范围。本专利技术的整体尺寸为50mm*44mm，整体厚度为15mm，体积小且重量轻。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于LTCC技术的超宽带集成电路，其特征在于，包括设置在LTCC基板上的合路器、开关、滤波器、限幅器、两级放大器和开关控制及供电稳压电路，所述LTCC基板共15层，且LTCC基板的第1层～第8层LTCC基板进行了挖腔处理，第9层～第11层LTCC基板进行了二次挖腔处理，所述合路器、限幅器、两级放大器均设置在第二次挖腔处理后的第11层LTCC基板上，所述开关穿过第9层～第15层LTCC基板设置在盒体上，所述合路器、开关、滤波器、限幅器、两级放大器通过微带线依次连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于LTCC技术的超宽带集成电路，其特征在于，包括设置在LTCC基板上的合路器、开关、滤波器、限幅器、两级放大器和开关控制及供电稳压电路，所述LTCC基板共15层，且LTCC基板的第1层～第8层LTCC基板进行了挖腔处理，第9层～第11层LTCC基板进行了二次挖腔处理，所述合路器、限幅器、两级放大器均设置在第二次挖腔处理后的第11层LTCC基板上，所述开关穿过第9层～第15层LTCC基板设置在盒体上，所述合路器、开关、滤波器、限幅器、两级放大器通过微带线依次连接。


2.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的超宽带集成电路，其特征在于，所述微带线采用三层LTCC基板作为介质，且设置于第8层LTCC基板上。


3.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的超宽带集成电路，其特征在于，所述合路器、限幅器、两级放大器均通过金丝与设置于第8层LTCC基板上的微带线连接。


4.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的超宽带集成电路，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢君，魏良桂，邓畅，于忠吉，张兴稳，孙彪，
申请(专利权)人：扬州船用电子仪器研究所中国船舶重工集团公司第七二三研究所，
类型：新型
国别省市：江苏;32