【技术实现步骤摘要】
启动模块、开关电源芯片及系统
本专利技术涉及开关电源的
,特别涉及一种启动模块、开关电源芯片及系统。
技术介绍
现有技术中,开关电源系统输出端接有采样电阻,采样电阻采样系统输出电压VOUT来产生反馈电压FB,该反馈电压FB通过反馈电压FB输入端送入芯片内误差放大器中与基准电压VREF进行比较运算,误差放大器正相输入端与反相输入端间电压差为△V,当误差放大器的增益GM一定时,误差放大器输出电流I=△V/GM。该电流I给误差放大器输出端电容进行充放电从而产生误差信号VE。误差信号VE再与锯齿波信号SAW进行比较,并最终转化成PWM信号来控制功率管的开启与关断,达到调整系统输出电压VOUT的目的。但在开关电源系统上电初期,由于系统输出电压VOUT的建立需要时间,所以在系统输出电压VOUT到达设定值前,反馈电压FB低于基准电压VREF,因此芯片中误差放大器正相输入端与反相输入端间电压差较大,误差放大器输出电流I较大,误差信号VE上升速度较快,使功率管以较大的占空比进行开启与关断,从而导致系统输出电压VOUT超出设定值, ...
【技术保护点】
1.一种启动模块,其特征在于,包括:偏置电路、软启动电路;/n所述偏置电路一端与VCC电压输入端相连,根据电流源在电流镜上产生第一偏置电流,根据内部电源电路产生稳定电压V1,并通过偏置电路第一输出端为软启动电路提供第一偏置电流、稳定电压V1;/n所述软启动电路包括PMOS管M25、NMOS管M24、M26、电容C2、三极管Q3、电阻R2,其中M24源极、M25漏极、M26源极、C2第二端、Q3集电极分别与GND端相连,M24栅极与VDD电压输入端相连,M24漏极与偏置电路第一输出端相连,M26栅极与M24漏极相连,M26漏极分别与C2第一端、M25栅极、Q3基极相连,R2第 ...
【技术特征摘要】
1.一种启动模块,其特征在于,包括:偏置电路、软启动电路;
所述偏置电路一端与VCC电压输入端相连,根据电流源在电流镜上产生第一偏置电流,根据内部电源电路产生稳定电压V1,并通过偏置电路第一输出端为软启动电路提供第一偏置电流、稳定电压V1;
所述软启动电路包括PMOS管M25、NMOS管M24、M26、电容C2、三极管Q3、电阻R2,其中M24源极、M25漏极、M26源极、C2第二端、Q3集电极分别与GND端相连,M24栅极与VDD电压输入端相连,M24漏极与偏置电路第一输出端相连,M26栅极与M24漏极相连,M26漏极分别与C2第一端、M25栅极、Q3基极相连,R2第一端与VDD电压输入端相连,R2第二端与Q3发射极相连,M25源极与误差信号VE输出端相连。
2.根据权利要求1所述的启动模块,其特征在于,还包括:滞回开关模块,滞回开关模块采用模拟集成电路工艺实现,包括:NMOS管M19、M20、M21、M22、M23,三极管Q1、Q2,电阻R1,反相器INV1、INV2;M19源极、M21源极、R1第二端、Q2发射极分别与GND端相连,M19漏极与M19源极相连,M19漏极与偏置电路第二输出端相连,M19栅极与M21栅极相连,M20栅极与M20源极相连,M20源极与偏置电路第三输出端相连,M20漏极分别与EN使能输入端、M21漏极相连,M22栅极与M20源极相连,M22漏极与偏置电路第四输出端相连,M22源极分别与Q1基极、Q1集电极、M23漏极相连,Q1发射极分别与M23源极、Q2基极、R1第一端相连,Q2集电极分别与偏置电路第五输出端、INV1输入端相连,INV1输出端分别与M23栅极、INV2输入端相连,INV2输出端输出系统开关信号ON来控制开关电源芯片内部稳压源和基准电压模块。
3.根据权利要求2所述的启动模块,其特征在于,所述M19、M20、M21为高压NMOS管。
4.根据权利要求2所述的启动模块,其特征在于,所述M21宽长比为M19的三倍。
5.根据权利要求2所述的启动模块,其特征在于,所述电流镜具体包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:王建虎,李瑞平,刘彬,池伟,
申请(专利权)人:上海芯龙半导体技术股份有限公司南京分公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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