发光二极管及其制造方法技术

本申请公开了一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：第一半导体层；有源层，位于第一半导体层上；第二半导体层，位于有源层上；绝缘介质层，位于第二半导体层上；以及多个欧姆接触结构，覆盖绝缘介质层的部分表面，各欧姆接触结构经绝缘介质层的表面延伸至第二半导体层中，各欧姆接触结构与第二半导体层形成欧姆接触。该发光二极管通过将欧姆接触结构与第二半导体层的欧姆接触面纵向延伸至第二半导体层的内部，从而提高欧姆接触面的面积，降低了发光二极管的导通电阻，进而达到了降低电压、降低能耗的目的。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制造方法
本申请涉及半导体制造
，更具体地，涉及一种发光二极管及其制造方法。
技术介绍
反极性发光二极管(LED)在国内市场有着较大的需求，应用范围也极广，在日常用的遥控器，商场的摄像头，安防监控，医疗器具以及高速路的自动刷卡系统中都有应用。反极性发光二极管的应用需求包括自身具有较大发光功率，为保证其较大的发光功率，目前反极性发光二极管的制程和工艺相对较复杂。多道光刻以及薄膜沉积技术，使得其整个工艺流程步骤要远多于其他发光二极管的制程步骤，这也就增加了降低可靠性和整体良率的不确定因素。如果可以简化其中间步骤，或者用一种结构达到多种结构的作用，就可以减少成本，降低不确定因素对整个工艺流程的不利影响。因此，希望进一步优化发光二极管的结构及其制造方法，从而可以优化工艺步骤、降低成本。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种发光二极管及其制造方法，以达到优化工艺步骤、降低成本的目的。根据本专利技术实施例的一方面，提供了一种发光二极管，包括第一半导体层；有源层，位于所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，包括：/n第一半导体层；/n有源层，位于所述第一半导体层上；/n第二半导体层，位于所述有源层上；/n绝缘介质层，位于所述第二半导体层上；以及/n多个欧姆接触结构，覆盖所述绝缘介质层的部分表面，各所述欧姆接触结构经所述绝缘介质层的表面延伸至所述第二半导体层中，各所述欧姆接触结构与所述第二半导体层形成欧姆接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括：
第一半导体层；
有源层，位于所述第一半导体层上；
第二半导体层，位于所述有源层上；
绝缘介质层，位于所述第二半导体层上；以及
多个欧姆接触结构，覆盖所述绝缘介质层的部分表面，各所述欧姆接触结构经所述绝缘介质层的表面延伸至所述第二半导体层中，各所述欧姆接触结构与所述第二半导体层形成欧姆接触。


2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述多个欧姆接触结构之间按照预设规律排布。


3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，所述按照预设规律排布包括按照等间距排布。


4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，每个所述欧姆接触结构包括位于所述绝缘介质层上的第一部分和位于所述绝缘介质层和第二半导体层中的第二部分，
对于各所述欧姆接触结构，所述第一部分覆盖在所述第二部分与所述绝缘介质层的接触面上方。


5.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，所述第一部分的厚度为


6.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述绝缘介质层作为电流限制层将电流限制到各所述欧姆接触结构中。


7.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，沿所述第二半导体层的厚度方向，各所述欧姆接触结构的第二部分的截面形状呈上宽下窄的形状。


8.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，沿所述第二半导体层的厚度方向，各所述欧姆接触结构的第二部分的截面形状呈上下同宽的形状。


9.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，所述欧姆接触结构的第二部分深度为3～5um。


10.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，沿平行于所述绝缘介质层表面的方向，所述欧姆接触结构的截面形状呈圆形、椭圆形以及多边形中的至少一种。


11.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，沿平行于所述绝缘介质层表面的方向，所述欧姆接触结构的截面形状呈正方形，该正方形的边长为4～7um。


12.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，沿平行于所述绝缘介质层表面的方向，所述欧姆接触结构的第一部分的截面面积占发光二极管的出光区面积的3％～9％。


13.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述绝缘介质层与所述第二半导体层组成单层布拉格反射镜，
所述绝缘介质层的折射率小于所述第二半导体层的折射率。


14.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述绝缘介质层的厚度为100至200nm。


15.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述绝缘介质层由接触层氧化获得。


16.根据权利要求15所述的发光二极管，其中，所述接触层与所述第二半导体层的材料包括AlGaAs、AlGaInP、AlInP中的至少一种含Al化合物，
其中，所述接触层的含铝化合物中的Al组份大于所述第二半导体层的含铝化合物中的Al组份。


17.根据权利要求16所述的发光二极管，其中，所述含铝化合物为AlxGa1-xAs，
在所述第二半导体层的AlxGa1-xAs中，x取值在0.1至0.3之间，
在所述接触层的AlxGa1-xAs中，x取值在1至0.8之间。


18.根据权利要求16所述的发光二极管，其中，所述含铝化合物为AlxGa1-xInP，
在所述第二半导体层的AlxGa1-xInP中，x取值在0.1至0.2之间，
在所述接触层的AlxGa1-xInP中，x取值在1至0.7之间。


19.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第二半导体层包括：
阻挡层，位于所述有源层上；
空间层，位于所述阻挡层上；以及
窗口层，位于所述空间层上，
其中，各所述欧姆接触结构延伸至所述窗口层中。


20.根据权利要求19所述的发光二极管，其中，所述窗口层的厚度为6至8um。


21.根据权利要求1-20任一项所述的发光二极管，其中，还包括反射层，覆盖所述绝缘介质层与所述多个欧姆接触结构。


22.根据权利要求21所述的发光二极管，其中，所述反射层为Ag镜反射层或Au镜反射层。


23.根据权利要求21所述的发光二极管，其中，还包括：
永久衬底，位于所述反射层上；以及
键合层，位于所述永久衬底与所述反射层之间，以固定连接所述永久衬底和所述反射层。


24.根据权利要求23所述的发光二极管，其中，还包括：
第一电极，位于所述第一半导体层远离所述有源层的表面；以及
第二电极，位于所述永久衬底远离所述键合层的表面。


25.一种发光二极管的制造方法，包括：
在生长衬底上形成第一半导体层；
在所述第一半导体层上形成有源层；
在所述有源层上形成第二半导体层；
在所述第二半导体层上形成绝缘介质层；以及
形成多个欧姆接触结构，覆盖所述绝缘介质层的部分表面，各所述欧姆接触结构经所述绝缘介质层的表面延伸至所述第二半导体层中，各所述欧姆接触结构与所述第二半导体层形成欧姆接触。


26.根据权利要求25所述的制造方法，其中，形成所述绝缘介质层的步骤包括：
在所述第二半导体层上形成接触层；以及
将所述接触层氧化以形成绝缘介...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志，杨美佳，李森林，章旋，黄庆，毕京锋，
申请(专利权)人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35