薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板技术

本申请公开了一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板，所述薄膜晶体管的制备方法包括：在基板上方依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层；对所述第二金属层进行蚀刻以在所述第二金属层形成第一沟道；在所述第二金属层上方形成钝化层；以所述钝化层为掩体，对位于所述第一沟道下方的所述欧姆接触层进行蚀刻，以在所述第一沟道下方形成第二沟道；在所述第二金属层上方形成第二绝缘层。能够避免制备得到的薄膜晶体管存在半导体台阶，从而避免半导体台阶引起的漏电问题。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板
本申请涉及液晶显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板。
技术介绍
在制备薄膜晶体管时，常采用4Mask工艺；在采用4Mask工艺蚀刻金属层以及半导体层的沟道时，金属层的沟道与半导体层的沟道之间存在半导体台阶，半导体台阶的存在会造成薄膜晶体管漏电，基于此，本申请所要解决的技术问题为，如何避免薄膜晶体管中存在的半导体台阶所导致的漏电问题。
技术实现思路
本申请的主要目的在于提供一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板，旨在解决薄膜晶体管中存在半导体台阶导致漏电的技术问题。为实现上述目的，本申请提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述薄膜晶体管的制备方法包括：在基板上方依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层；对所述第二金属层进行蚀刻以在所述第二金属层形成第一沟道；在所述第二金属层上方形成钝化层；以所述钝化层为掩体，对位于所述第一沟道下方的所述欧姆接触层进行蚀刻，以在所述第一沟道下方形成第二沟道；在所述第二金属层上方形成第二绝缘层。可选地，所述在基板上方依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层的步骤以及在所述第二金属层上方形成钝化层的步骤之间，还包括：在所述第二金属层上方形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图案化处理；以图案化处理后的所述光刻胶层为掩体，对所述第二金属层进行蚀刻以在所述第二金属层形成第一沟道；>剥离所述光刻胶层。可选地，所述在所述第二金属层上方形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图案化处理的步骤以及剥离所述光刻胶层的步骤之间，还包括：以图案化处理后所述光刻胶层为掩体，对所述第二金属层进行图案化处理；以图案化处理后所述光刻胶层为掩体，对所述欧姆接触层进行图案化处理；以图案化处理后所述光刻胶层为掩体，对所述有源层进行图案化处理；以图案化处理后的所述光刻胶层为掩体，对图案化处理后的所述第二金属层进行蚀刻以形成所述第一沟道。可选地，所述光刻胶层包括第一光刻胶区域以及第二光刻胶区域，所述第一光刻胶区域的厚度小于所述第二光刻胶区域的厚度，所述第一光刻胶区域位于所述第一沟道上方，所述第二光刻胶区域与所述第一光刻胶区域不重合，所述以图案化处理后所述光刻胶层为掩体，对所述有源层进行图案化处理的步骤之后，还包括：对所述光刻胶层进行蚀刻，以去除所述第一光刻胶区域并保留所述第二光刻胶区域。可选地，所述在基板上方依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层的步骤包括：在所述基板上方形成第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理；在图案化处理后的所述第一金属层上方形成所述第一绝缘层；在所述第一绝缘层上方形成所述有源层；在所述有源层上方形成所述欧姆接触层；在所述欧姆接触层上方形成所述第二金属层。可选地，所述在所述第二金属层上方形成第二绝缘层的步骤之后，还包括：对所述第二绝缘层进行图案化处理；在图案化处理后的所述第二绝缘层上方形成像素电极层；对所述像素电极层进行图案化处理。可选地，所述以所述钝化层为掩体，对位于所述第一沟道下方的所述欧姆接触层进行蚀刻的步骤之后，还包括：对所述有源层的暴露区域进行蚀刻，其中，蚀刻后的所述有源层的暴露区域的厚度为30nm～120nm，所述暴露区域位于所述第二沟道下方。可选地，所述钝化层的厚度为50nm～100nm。此外，为实现上述目的，本申请还提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管根据上述任一项所述的薄膜晶体管的制备方法制备得到。此外，为实现上述目的，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括根据上述任一项所述的薄膜晶体管的制备方法制备得到的薄膜晶体管。本申请实施例提出的一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板，通过在基板上依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层，对第二金属层进行蚀刻以在第二金属层形成第一沟道，在第二金属层上方形成钝化层，钝化层能够起到保护作用，以钝化层为掩体，对位于第一沟道下方的欧姆接触层进行蚀刻，避免第二金属层被蚀刻的情况下，在第一沟道下方形成第二沟道，在蚀刻第二沟道时，由于钝化层对第二金属层进行保护，蚀刻时不会令第二金属层产生横向的偏移，使得第二沟道的位置以及大小与第一沟道的位置以及大小相对应，第二金属层与欧姆接触层位于各自沟道的横切面之间不存在相对偏离，也即不存在半导体台阶，进一步在第二金属层上方形成第二绝缘层，从而使得制备得到的薄膜晶体管不存在半导体台阶，解决了薄膜晶体管中半导体台阶导致漏电的技术问题。附图说明图1是本申请薄膜晶体管的制备方法第一实施例的流程示意图；图2是本申请薄膜晶体管的制备方法第二实施例的流程示意图；图3A至图3L是本申请薄膜晶体管的制备方法第三实施例涉及的示意图；图4是本申请薄膜晶体管一实施例的示意图；图5A以及图5B为示例性技术制备薄膜晶体管时存在半导体台阶的原理示意图。附图标号说明：本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。在制备薄膜晶体管时，示例性技术采用4Mask工艺实现制备，然而，在基于4Mask工艺实现薄膜晶体管的制备时，是以同一个光刻胶层作为保护层，从上至下蚀刻出金属层的沟道以及金属层下方半导体层的沟道，其中，在从上至下进行蚀刻时，会在金属层进行横向的蚀刻，导致金属层向内侧偏离，这种偏离会导致金属层与半导体层的横切面不对应，横切面之间存在偏移，这种偏移会形成一种半导体台阶，半导体台阶的存在会导致制备的薄膜晶体管存在漏电的问题；请参照图5A至图5B，图5A至图5B为示例性技术制备薄膜晶体管时导致产生半导体台阶的原理示意图，在图5A中，13为示例光刻胶层，12为示例金属层，11为示例半导体层，在蚀刻得到示例金属层12的沟道以及示例半导体层11的沟道时，所采取的方式是以示例光刻胶层13为掩体，从上至下进行蚀刻，在蚀刻的过程中，示例金属层12会产生相对于示例半导体层11的偏差，之所以会形成这种偏差，原因之一在于从上至下进行蚀刻时，不仅会进行竖直方向上的蚀刻，还会进行横向或者水平方向的蚀刻，导致示例金属层12进行了横向的蚀刻，参照图5B所示，这种偏差形成半导体台阶，半导体台阶的存在会导致薄膜晶体管漏电。参照图1，本申请第一实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述薄膜晶体管的制备方法包括：步骤S10，在基板上方依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层；薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor，TFT)是液晶显示面板的核心器件，薄膜晶体管从功能上定义是实现开关功本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法包括：/n在基板上方依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层；/n对所述第二金属层进行蚀刻以在所述第二金属层形成第一沟道；/n在所述第二金属层上方形成钝化层；/n以所述钝化层为掩体，对位于所述第一沟道下方的所述欧姆接触层进行蚀刻，以在所述第一沟道下方形成第二沟道；/n在所述第二金属层上方形成第二绝缘层。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法包括：
在基板上方依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层；
对所述第二金属层进行蚀刻以在所述第二金属层形成第一沟道；
在所述第二金属层上方形成钝化层；
以所述钝化层为掩体，对位于所述第一沟道下方的所述欧姆接触层进行蚀刻，以在所述第一沟道下方形成第二沟道；
在所述第二金属层上方形成第二绝缘层。


2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在基板上方依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层的步骤以及在所述第二金属层上方形成钝化层的步骤之间，还包括：
在所述第二金属层上方形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图案化处理；
以图案化处理后的所述光刻胶层为掩体，对所述第二金属层进行蚀刻以在所述第二金属层形成第一沟道；
剥离所述光刻胶层。


3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述第二金属层上方形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图案化处理的步骤以及剥离所述光刻胶层的步骤之间，还包括：
以图案化处理后所述光刻胶层为掩体，对所述第二金属层进行图案化处理；
以图案化处理后所述光刻胶层为掩体，对所述欧姆接触层进行图案化处理；
以图案化处理后所述光刻胶层为掩体，对所述有源层进行图案化处理；
以图案化处理后的所述光刻胶层为掩体，对图案化处理后的所述第二金属层进行蚀刻以形成所述第一沟道。


4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层包括第一光刻胶区域以及第二光刻胶区域，所述第一光刻胶区域的厚度小于所述第二光刻胶区域的厚度，所述第一光刻胶区域位于所述第一沟道上方，所述第二光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲜济遥，周佑联，许哲豪，郑浩旋，
申请(专利权)人：北海惠科光电技术有限公司，惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广西;45